23.Охарактеризуйте вах тонкого перехода. Приведите формулу Шокли.

28.Рассмотрите вах тонкого перехода. Приведите формулу Шокли. ) ахуенное комбо.

Тонким р-n переходом называют электронно-дырочный переход, толщина которого столь мала, что можно пренебречь процессами рекомбинации и генерации носителей заряда в области объемного заряда р-n-перехода.

На рис. показана ВАХ р-n-перехода. Как видно из рисунка р-n-переход обладает ярко выраженной односторонней (униполярной) проводимостью, т.е. проявляет высокие выпрямляющие свойства.

Подчеркнем, что перенос заряда через р-n-переход осуществляется с помощью неосновных носителей, т.к. область р-n-перехода обеднена основными носителями.

При обратном смещении на р-n-переходе (U<0) , а скобка , следовательно, обратный ток р-n-перехода стремится к

Формула Шокли (она выше написана блять!) J_н- плотность тока насыщения

24.Рассмотрите Вольт-фарадные характеристики мдп-структур.

Рассмотрим емкость МДП-стуктуры с полупроводником n-типа при изменении напряжения смещения на металлическом электроде при наложении переменного сигнала.

В режиме обогащения в МДП-структуре с полупроводником n-типа (плюс на металлическом электроде) электроны притягиваются к поверхности и в приповерхностном слое полупроводника возникает заряд Q_S притянутых электронов, по величине равный заряду Q_М, индуцируемому на металлическом электроде (рис. 5.3). С увеличением напряжения толщина заряженного слоя сохраняется практически неизменной и рост заряда Q_S происходит за счет повышения объемной плотности. Поэтому емкость структуры не зависит от приложенного напряжения.

В состоянии обеднения электроны отгоняются от поверхности полупроводника и в приповерхностном слое образуется неподвижный заряд ионизированных доноров Q_С= qN_Дd_П, где d_ОПЗ- толщина области поверхностного заряда(ОПЗ) (рис. 5.4). Емкость такой структуры будет складываться из емкостей двух последовательно соединенных конденсаторов: конденсатора образованного диэлектрическим слоем d_Д и конденсотора образованного обедненным слоем d_ОПЗ.

Емкости этих конденсаторов при единичной площади равны:

Емкость С_ОПЗ зависит от падающей на полупроводнике разности потенциалов, так как с ее изменением меняется толщина обедненного слоя d_ОПЗ, играющая роль расстояния между обкладками конденсатора.

25.Классифицируйте и охарактеризуйте полевые транзисторы.

Полевые транзисторы содержат три полупроводниковые области исток, сток и канал, а так же управляющий электрод затвор. Исток и сток сильно легированные области полупроводника.

По структуре и способу управления проводимостью канала различают три типа полевых транзисторов:

- полевые транзисторы с изолированным затвором, между металлическим затвором и каналом расположен слой диэлектрика (МДП-транзисторы);

- полевые транзисторы с управляющим переходом металл-полупро-водник (с диодом Шоттки), металлический электрод затвора образует выпрямляющий контакт с каналом, на который в рабочем режиме подается обратное напряжение;

- полевые транзисторы с управляющем p-n-переходом, в качестве затвора используют слой полупроводника образующий с каналом p-n-переход, в рабочем режиме имеющий обратное включение

Полевые транзисторы по типу проводимости канала подразделяются на транзисторы с каналом n или p -типа.

Если канал n-типа, то рабочими носителями являются электроны и на сток подается положительный потенциал. В случае канала p-типа рабочими носителями являются дырки и на сток подается отрицательный потенциал.

В полевых транзисторах используется движение носителей заряда одного знака, которые под действием электрического поля, созданного вдоль канала, перемещаются от истока к стоку.

Характерной особенностью полевых транзисторов является малый ток затвора. Входное сопротивление полевых транзисторов на постоянном токе составляет 10⁸10¹⁰ Ом. Поэтому полевые транзисторы являются приборами, управляемыми напряжением, в отличие от биполярных транзисторов, которые управляются током.