11.2 сурет _{квазирезонансты жиілік }0 _{ 1 .}

55

1

1

3

_{Егер C C2 C және R R2 R , онда} _кб ¹ _,

1

₀ _RC .

11.3 суретте Вина көпірінің АЖМ және ФЖМ

келтірілген, бұл жерде квазирезонансты жиілікте ₀

_{фазалық бұру} _{кб нөлге, ал кері байланыс тізбегінің}

_{үшейту коэффициенті} _{кб 1/3-ге тең екенін көреміз.}

балансын орындау үшін қажетті теріс кері байланыс тереңдігін құру үшін

қосылған. VD₁ және VD₂ қарама-қарсы параллельді диодтар шығыс сигнал

_{амплитудасын сақтау үшін қосылған. Өте жоғары} U_{шыг кезінде диодтар тура}

өткізу жағдайына ауыспалы түрде кіреді және сигналдың күшейту

коэффициентін азайта отырып теріс кері байланыс сигналының амплитудасын

ұлғайтады.

11.3 Автотербелісті мультивибратор

ОКБ R₁, R₂ (11.3 сурет) кернеу бөлгішімен қамтамасыз етілетін ОК-тегі

автотербелісті мультивибратор жұмысын шығысынан терістемейтін кірісіне

қарай қарастырайық. Мультивибраторды бір квазитұрақты теңгерімнен

_{екіншісіне ауыстырып қосу} U^_{kip релаксационды өзгеру есебінен жүзеге}

асырылады.

Егер t=0 (11.3 сурет) кезінде ОК қорек көзін қосатын болсақ, онда R₁,

_{R2 бөлгіші есебінен} U_{шыг шығыс кернеуі өсе бастайды, терістемейтін кірісінде}

_{де кернеу жоғарылайды, ал бұл} U_{шыг бұрынғысынан да жоғарырақ ұлғаюға}

_{алып келеді. Нәтижесінде, пәрменді ағынды үрдісте} U_{шыг шығыс кернеуі}

секірмелі түрде Е⁺ -ке дейін, ал кіріс ^Ukip E⁺-ге дейін жоғарылайды, бұл

жерде ^-= R₂/(R₁ +R₂), Е – интегралды операционды күшейткіш қорек көзінің

_{кернеуі.} U^_{kip бұл жағдайда өзгеріп}

үлгермейді және нөлге тең болады. С

конденсатор заряды

R арқылы

басталады. Бұл тұрақты

уақытпен _зар

_{=RC Е}⁺ _{-ке ұмтылған,} U^_{kip ұлғаюына}

алып келеді.

_{t1 кезінде,} U^_kip U^_kip E^

_{болған жағдайда} U_{шыг режимі де}

секірмелі түрде E^-ге дейін өзгереді, ал

11.3 сурет ^{Бұл сұлбада (11.2 сурет) кедергі R амплитуда}

11.4 сурет

56

U^_kip E^_{. Бұл пәрменді ағынды түрде жүреді.}

E^-ге оң қаптама, ал корпуска теріс байланысқан С конденсаторы +С, R,

ОК шығысы, – С тізбегі бойынша E^-ге дейін қайта зарядталуға ұмтылады. t₂

_{кезінде} U^_kip E^_{-болғанда қайтадан аудару болады.}

Бұл үрдістер периодты түрде қайталанады.

Импульс ұзақтығы тең:



1

u u

t^t^RCln^1_.

Импульстерді қайталау периоды:



1

u u

T t^t^2RCln^1_.

Қуыстылығы Q=T/t_u =2.

11.2 Операциялық күшейткіштегі сызықты өзгеретін кернеу

генераторы (СӨКГ)

11.3 суретте СӨКГ сұлбасында терістейтін RC –тізбегі ОК теріс кері

байланыс тізбегіне қосылған. СӨКГ ара тәрізді тура жолы уақытына тең t_и

_{ұзақтығымен,} U_{kip оң полярлы импульстермен басқарылады. Кіріс импульстер}

VD диодтар базасына беріледі, оның эмиттері ОК терістейтін кірісімен

байланысқан.

_{Генератордың бастапқы калпы (t<t1),} U_kip 0 _{болғанда VD диоды ашық,}

_{ток қорек көзінен R, VD диоды,} U_{kiр сигнал көзі, корпус арқылы беріледі:}

U^_kip U_д 0_.

Терістейтін кірістегі кернеу

R

1

2

U^_kip _{R R}2 E E _,

бұл жерде

1

R₂

R R₂





.

_U^_{kip кернеуі} U_шыг E^

болған кезде ОК шектеу

режиміне жеткізу үшін

U^_{kip -тен асып түседі. VD,}

11.5 сурет U_{kip сигнал көзі, корпус .}

57

Бұл кезде С конденсаторы U_C (0) = E кернеуіне дейін зарядталған.

_{Конденсатор заряды Е}⁺ _{ОК шығысы, С, VD,} U_{kip сигнал көзі, корпусы}

тізбегі бойынша жүреді.

T_пр, ара тәрізді жұмысының барысын қалыптастыру.

t₁ қосылу кезінде, ұзақтығы t_u кіріс импульсін жібергенде VD диоды

_{жабылады. Е көзінен} U^_{kip оң кернеуінің секірмелілігі ОК-ны сызықтық}

күшейткіш режимге ауыстырады және ОК өзіне кіріс болып табылатын Е

_{кернеуін терістей бастайды. t1 кезінде} U^_{kip кірісіндегі оң секіру шығысында}

теріс секіру береді.

_{С зарядталған конденсаторы ақырын разрядтала бастайды, ол} U_шыг

_{шығыс кернеуінің азаюына негізделген} U^_{kip кіріс кернеудің ұлғаюын}

тудырады.

Жұмыс барысының ұзақтығы T_пр = t_и және тұрақты уақытты RC тізбегі t_и

_{интервалы аяқталғанша нөлге дейін разрядтталып үлгеріп және} U_C E^_{– ге}

дейін қайта зарядталуы тиіс.

Т_{kб ара тәрізді кері жолын қалыптастыру.}

_{t2 кезінде кіріс импульстің аяқталуы VD диодқа ашылады} U^_kip

_{секірмелі түрде} U_kip 0_{-ге дейін азаяды. Бұл кезде ОК күшейту режимінен}

_{шығады.} U_{шыг Е}⁺_{– ге дейін ұлғаяды. E}^_{– ге дейін зарядталған, жоғары}

жылдамдықты, VD ашық диодының кедергісімен анықталатын конденсатор,



нөлге дейін разрядталады және бастапқы қалпына U_С (t) = E_n дейін қайта

зарядталады.

58

А қосымшасы

а) резисторлық оптожұп (а сурет), ондағы жарық көзі – сәулелі диод,

фотокабылдағыш – кадмий селенидінен, кадмий немесе қорғасын

сульфидтерінен жасалған фоторезистор;

б) диодтық оптрон (б сурет) сәулелі диод (GaAs) пен фотодиодтың (Si)

біріктірілуін көрсетеді;

в) фотоварикаптық оптрон (в сурет);

г) транзисторлық оптрон – галлий арсенидінен жасалған сәулелі диод

кремний фототранзистормен (г сурет);

д) құрама транзисторлы оптрон, оның сезімталдығы жоғары, бірақ

шапшаңдығы төмен (д сурет);

е) диодты транзисторлық оптрон (е сурет), шапшаңдығы алдыңғы

оптронға қарағанда жоғары;

ж) бір өткелді транзисторлы оптрон (з сурет).

Бір өткелді фототранзисторды мына мақсаттарда пайдалануға болады:

1) тек базалар қосылған кезде фоторезистор ретінде;

2) тек эмиттерлік өткел қосылған кезде фотодиод ретінде;

3) барлық үш электрод қосылған кезде бір өткелді транзистор ретінде;

и) өрістік транзисторлы оптрон жақсы сызықты шығыс сипаттамалары

болғандықтан оларды аналогты құрылғыларда пайдалану қолайлы;

к) тиристорлық оптрон. Фоторезисторлық және фотодиодтық

оптрондардан асқын жұмыстық кернеулер кезіндегі жоғары жүктемелік

қабілеттігімен ерекшеленеді;

л) оптоэлектрондық интегралдық сұлбаларда (ОЭ ИС) жеке бөлшектер

арасында оптикалық байланыс бар. Бұл микросұлбаларда диодтық,

транзисторлық және тиристорлық оптожұптар негізінде жарық көздері мен

фотоқабылдағыштардан басқа, фотоқабылдағыштан келген сигналды өңдеуге

арналған құрылғылар бар. ОЭ ИС ерекшелігі – сигналды бір жақты тарату

және кері байланыстың болмауы. Оптоэлектрондық аспаптардың

техникасының келешегі бар және үздіксіз даму үстінде.

59

Б қосымшасы

Аспаптың атауы Белгіленуі

Динистор

Жұқа базадан басқарылатын тиристор

Қалың базадан басқарылатын тиристор

Жұқа базадан басқарылатын жабылатын тиристор

Қалың базадан басқарылатын жабылатын тиристор

Диак

Триак