11

коллектор тогын I_к құрайтын қосалқы заряд тасушылардың салыстырмалы

мөлшері, тасымалдау еселігімен δ_өтк сипатталады:

δ_өтк = I_кө /I_эө = 0,98÷0,995.

Коллектор тогын I_кө өсіру үшін, электрондардың өмір сүру уақыты

базадағы тасымалдау уақытынан әлдеқайда үлкен болуы қажет. Ол үшін:

– базадағы қоспалардың үлесін азайту қажет, сонда эмиттер тогының

әсерлесуші құраушысы I_эәсер азаяды;

– база енін w азайту қажет;

– коллекторлық ауысудың ауданы эмиттерлік ауысу ауданынан

әлдеқайда үлкен болуы қажет S_кө >> S_эө.

Коллекторлық ауысуда соққы ионизация әсерінен заряд тасушылардың

көбеюі туындауы мүмкін, ол көбею еселігімен сипатталады:

M=1/ [1-(U_кері/U_тура)ⁿ],

мұндағы n 35 транзистор материалына байланысты қабылданады.

Эмиттер тогын коллектор тізбегіне берудің жалпы еселігі:

α=I_кө/I_э = γ_э· δ_өтк ·M.



Нақты құрылымдар үшін 0,90,99.

Эмиттерлік ауысудың кедергісі аз (жүздеген ом), ал коллекторлық

ауысудың кедергісі жүздеген килоомды құрайды.

Коллекторлық тізбекке тіркей жалғанған жүктеме кедергісі R_ж ≈1 кОм

қосылсын делік, ол транзистордың жұмыс істеу режиміне әсерін тигізбейді,

бірақ кедергіден үлкен кернеу алуға болады.

Эмиттер тізбегіне айнымалы сигнал көзін Е_с қосу базада

инжекцияланатын қосалқы заряд тасушылардың санын өзгертеді және

эмиттер мен коллектор тогының Е_с-мен бірдей өзгеруіне әкеледі. R_ж

жүктемесінде жиілігі кіріс сигналдың жиілігіне тең күшейтілген кернеу

бөлінеді, бірақ бұл кездегі шығыс сигналдың кернеуі кіріс сигналдан Е_с

әлдеқайда үлкен болады. Осылайша сигналдың күшейтілуі жүзеге асады.

2.3 Транзисторлардың қосылу сұлбалары

Транзистор шықпаларының қайсысы кірістегі сигнал көзі мен

транзистордың шығыс тізбегі арасында ортақ болып табылатынына

байланысты, транзисторды электр тізбегіне қосудың үш негізгі сұлбасы бар:

ортақ базалы (ОБ, 2.4,а сурет), ортақ эмиттерлі (ОЭ, 2.4,б сурет), ортақ

коллекторлы (ОК, 2.4,в сурет).

12

2.4 сурет

2.4 Ортақ эмиттерлі транзистордың статикалық сипаттамалары

ОЭ сұлба бойынша қосылған транзистордың кіріс сипаттамасы, берілген

U_кэ кернеуінде кіріс I_б тогының U_бэ кернеуінен тәуелділігі болып табылады: I_б

=f(U_бэ). Мұндай тәуелділіктердің жиынтығы транзистордың кіріс

сипаттамаларының тобы деп аталады (2.5,а сурет). U_кэ =0 болған кезде

коллектор тізбегінде жылулық ток I_к0 болмайды және I_Б =f(U_бэ) тәуелділігі

тура бағытта қосылған р-n–ауысудың ВАС-на сәйкес. U_кэ>0 болғанда

коллектор тізбегінде I_б тогына қарсы бағытталған -I_к0 тогы пайда болады.

База тогындағы бұл токтың орнын толықтыру үшін қажетті U_бэ кернеуін

беріп, I_б= I_к0 токты алу қажет. Бұл кіріс сипаттаманың оңға және төмен

ығысуына әкеледі.

Ортақ эмиттерлі сұлба бойынша транзистордың шығыс сипаттамасы

дегеніміз берілген I_б тогындағы I_к = f(U_кэ) тәуелділігі (2.5,б сурет). Егер I_б=0

болса, онда коллектор тізбегінде тек жылулық ток қана ағады, өйткені бұл

жағдайда кемтіктердің эмиттерден базаға енуі (p-n-p-транзистор үшін) немесе

электрондардың эмиттерден базаға енуі (n-p-n–транзистор үшін) болмайды.

U_кэ =0 болғанда коллектор тізбегінен ток өтпейді,

бұл U_бэ және U_кэ

кернеулерінің бір-біріне қарама-қарсы бағытталуымен

түсіндіріледі, яғни

коллектор потенциалы база потенциалынан жоғары және коллекторлық ауысу

бұл кезде жабық болады. Сондықтан шығыс сипаттамалар ординаталар өсін

қиып өтпейді:

а) I_б = -I_к0, қисығы p-n ауысудың кері тармағына сәйкес келеді;

б) ОЭ шығыс сипаттамалары ОБ-ның сәйкес сипаттамаларының U_к = 0,

I_к = 0 жағдайдағы бастапқы бөлігінен өзгеше өйткені, коллекторлық

ауысудағы потенциалдар айырмасы нөлге тең;

в) I_б = 0 болғандағы қисық, ажыратылған базалы режимге сәйкес келеді.

Транзистор арқылы коллектордың I_к0б – өтпелі (сквозной) тогы ағады. I_к0б > I_к0,

өйткені тек I_к0 тогы ғана емес, сонымен бірге I_эр тогы да ағады.