Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Elektronika_d_1241_rister_zhina_1171_y.doc
Скачиваний:
1
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
32 Мб
Скачать
☆

13

Ортақ эмиттерлі сұлба үшін коллектор тогын анықтайық:

Iк 1Iб 1Iк0 Iб Iк0 .

ОЭ сұлбасының артықшылықтары:

а) токты, кернеуді және қуатты күшейтеді;

б) шығыс және кіріс кедергілерінің

арасындағы айырмашылық аз, Rкірэ >> Rкірб.

Сонымен қатар кемшіліктері:

а) температураға тәуелділігі жоғары;

б) сипаттамалары пропорционалдықтан

айтарлықтай ауытқиды;

в) жұмыс істейтін жиілігі төмен.

ОЭ сұлбасы күшейткіштерде,

қолданылады.

2.5 Транзистордың күшейту коэффициентінің жиіліке тәуелділігі

Төменгі жиіліктерде, заряд тасушылардың базадағы ұшып өту уақыты

сигналдың қайталану периодынан аз болғанда, электрондар үлесінің базада

таралуы эмиттерден коллекторға қарай бір қалыпты азаяды.

Егер электрондардың базадағы ұшып өту уақыты сигналдың қайталану

периодымен бірдей болса, таралу сипаты өзгереді.

Транзистордың кірісіне синусоида тәрізді сигнал берілсін делік.

Сигналдың оң жарты толқыны әсер еткенде эмиттерлік ауысудың

потенциалдық тосқауылы азаяды да, ЭА арқылы өтетін инжекцияланған заряд

тасушылардың ағыны көбейеді. Жарты периодтан кейін сигналдың полюсі

өзгеріп, ЭА потенциалдық тосқауылы жоғарылайды. Егер электрондар

эмиттерден коллекторға дейінгі жолдың бір бөлігінен өтсе, онда электрондар

үлесінің таралуы өзгереді және заряд тасушылар коллекторға ғана емес кері

бағытта да, яғни эмиттерге де инжекцияланады. Ток беру еселігі азаяды. Ток

2.5 сурет

2.6 сурет генераторларда және басқа да құрылғыларда

Соседние файлы в предмете [НЕСОРТИРОВАННОЕ]