- •Введение
- •Электронные приборы: основные понятия
- •Раздел 1 электропроводность твердых тел
- •Строение твердого тела
- •Понятие об энергетических уровнях и энергетических зонах
- •Классификация тел по электропроводности
- •Собственная электропроводность полупроводников
- •Примесные полупроводники
- •Получение пп n-типа
- •Получение пп р-типа
- •Электронно-дырочный переход
- •Свойства р-n перехода
- •Пробой р-n перехода. Виды пробоев
- •Емкость р-n перехода
- •Примеры решения задач Задача № 1
- •Задача № 2
- •Раздел 2 полупроводниковые диоды выпрямительные диоды
- •Туннельный диод
- •Варикап
- •Система обозначений диодов
- •Раздел 3 биполярные транзисторы устройство биполярного транзистора
- •Режимы работы транзистора
- •Способы включения биполярного транзистора
- •Статические характеристики
- •Система вторичных параметров
- •Методика определения h – параметров для схемы включения бт с оэ
- •Порядок величин h параметров
- •Система обозначений транзисторов
- •Пример маркировки биполярных транзисторов
- •Раздел 4 анализ нагрузочного режима транзистора работа усилительного элемента с нагрузкой
- •Раздел 5 полевые транзисторы полевые транзисторы с управляющим
- •Принцип работы пт, включенного по схеме с общим истоком
- •Статические параметры полевого транзистора и методика их определения
- •Раздел 6 фотоэлектронные приборы
- •Внешний и внутренний фотоэффект
- •Фоторезистор
- •Фотодиод
- •Фототранзистор
- •Светодиод
- •Оптроны
- •Домашнее задание
- •Литература
Раздел 4 анализ нагрузочного режима транзистора работа усилительного элемента с нагрузкой
Если в выходную цепь усилительного элемента включить сопротивление нагрузки RК, а во входную – источник сигнала ЕС, и ко входу и выходу подать постоянное напряжение источника питания (рисунок 46), то транзистор будет работать в нагрузочном режиме (динамическом режиме).
Рисунок 46– Схема включения БТ в нагрузочном режиме
Напряжение источника питания ЕК в выходной цепи распределяется между сопротивлением RК и выходными зажимами транзистора UКЭ по закону Кирхгофа:
EКЭ=UКЭ+URН=UКЭ+IК ·RК
Уравнение является
уравнением прямой линии, которую можно
построить по двум точкам, отложенным
по осям координат на выходных статических
характеристиках транзистора. Точку А
на оси напряжений получаем, приравняв
IК
к нулю. При этом напряжение UКЭ=EК,
точку В на оси токов получаем при UКЭ=0.
В этой точке
. Проведенная через эти точки прямая
является нагрузочной
линией
по постоянному
току.
Рисунок 47– Построение нагрузочной прямой на выходных статических характеристиках
Нагрузочная прямая позволяет определить для каждого значения тока IК, соответствующее ему значение напряжения UКЭ при данном сопротивлении нагрузки RК и ЭДС источника питания EК. Если напряжение источника сигнала EC=0, то в этих цепях установится постоянные токи и напряжения. Такой режим работы называется режимом покоя, на характеристике обозначается точкой Р.Т.
При значении тока базы большем, чем т. В транзистор переходит в режим насыщения. При значении тока базы меньшем, чем т. А, транзистор в режиме отсечки.
Пример построения нагрузочной прямой на выходных характеристиках БТ.
Начертите на статических характеристиках БТ, включенного по схеме с ОЭ нагрузочную линию и определите амплитуду тока коллектора. Положение Р.Т. – IБ Р.Т. =8мА. Величина сопротивления RК = 16 Ом и напряжение источника питания EК = 16 В (рисунок 48).
Рисунок 48 – Пример построение нагрузочной прямой на выходных статических характеристиках
Уравнение нагрузочной прямой:
Нагрузочную прямую строят по двум точкам пересечения с осями координат:
т.
А
;
т. В
.
Определяем
координаты :т. А:
;
т. В
.
Через обе точки проводим нагрузочную
прямую, на нее наносим Р.Т. согласно
условию задачи. Точки О и N
наносим на нагрузочную прямую в местах
пересечения с ветвями характеристик
IБ
МАХ =10мА, IБ
МIN=6мА.
Из Р.Т. и точек O
и N
восстанавливаем перпендикуляры к оси
тока коллектора, обозначаем величины
IК
МАХ , IК
МIN.
Определяем амплитуду тока коллектора:
Вопросы самоконтроля:
Динамический режим работы БТ. Уравнение нагрузочного режима работы.
Построение нагрузочной прямой на выходных статических характеристиках.
Задача № 21 из домашнего задания.
Л.1: [с. 209-214]
Раздел 5 полевые транзисторы полевые транзисторы с управляющим
P-N - ПЕРЕХОДОМ
Одним из основных недостатков биполярных транзисторов является их малое входное сопротивление, которое шунтирует сопротивление источника входного напряжения, требует согласования для нормальной работы. Этих недостатков лишены полевые транзисторы, у которых входное сопротивление очень велико.
Полевой транзистор (ПТ) – это электропреобразовательный прибор, у которого управление выходным током осуществляется электрическим полем. Может применяться для усиления мощности электрических колебаний. Однако наиболее часто его используют в качестве электронного ключа.
Условно-графическое обозначение полевого транзистора с управляющим p-n-переходом приведена на рисунке 49.
Рисунок 49 - УГО ПТ с управляющим р-п переходом
Полевой транзистор состоит из токоведущего канала N- или Р-типа c двумя выводами, которые называются исток и сток.
Исток – предназначен для введения носителей заряда в канал.
Сток – предназначен для собирания носителей.
Токопроводящий канал находится между двумя областями противоположной проводимости, с которым он образует два p-n-перехода. Эти области соединяются между собой и имеют один выход – затвор.
Затвор - предназначен для регулирования площади поперечного сечения канала.
