- •Введение
- •Электронные приборы: основные понятия
- •Раздел 1 электропроводность твердых тел
- •Строение твердого тела
- •Понятие об энергетических уровнях и энергетических зонах
- •Классификация тел по электропроводности
- •Собственная электропроводность полупроводников
- •Примесные полупроводники
- •Получение пп n-типа
- •Получение пп р-типа
- •Электронно-дырочный переход
- •Свойства р-n перехода
- •Пробой р-n перехода. Виды пробоев
- •Емкость р-n перехода
- •Примеры решения задач Задача № 1
- •Задача № 2
- •Раздел 2 полупроводниковые диоды выпрямительные диоды
- •Туннельный диод
- •Варикап
- •Система обозначений диодов
- •Раздел 3 биполярные транзисторы устройство биполярного транзистора
- •Режимы работы транзистора
- •Способы включения биполярного транзистора
- •Статические характеристики
- •Система вторичных параметров
- •Методика определения h – параметров для схемы включения бт с оэ
- •Порядок величин h параметров
- •Система обозначений транзисторов
- •Пример маркировки биполярных транзисторов
- •Раздел 4 анализ нагрузочного режима транзистора работа усилительного элемента с нагрузкой
- •Раздел 5 полевые транзисторы полевые транзисторы с управляющим
- •Принцип работы пт, включенного по схеме с общим истоком
- •Статические параметры полевого транзистора и методика их определения
- •Раздел 6 фотоэлектронные приборы
- •Внешний и внутренний фотоэффект
- •Фоторезистор
- •Фотодиод
- •Фототранзистор
- •Светодиод
- •Оптроны
- •Домашнее задание
- •Литература
Примеры решения задач Задача № 1
Задача № 2
Вопросы самоконтроля:
Определение ЭП.
Классификация ЭП.
Что является основой для изготовления ППП?
Какие электроны называются валентными?
Что понимают под ковалентной связью?
Определение энергетического уровня, энергетической зоны.
Местоположение , чем образована ВЗ.
Местоположение , чем образована ЗП.
Местоположение ЗЗ.
Классификация твердых тел по электропроводности.
Энергетические диаграммы проводника, ПП, диэлектрика, их анализ.
Собственная электропроводность в ПП.
Получение ПП p –типа.
Получение ПП n –типа.
Определение ЭДП.
Потенциальный барьер.
Прямое включение p-n перехода, свойства.
Обратное включение p-n перехода, свойства.
ВАХ p-n перехода, анализ.
Пробой p-n перехода. Виды пробоев, их обратимость.
Задача №№1-5 из домашнего задания.
Л. 1:[ с. 8-22]
Раздел 2 полупроводниковые диоды выпрямительные диоды
Полупроводниковым диодом называют полупроводниковый прибор с одним p-n переходом и двумя выводами.
По функциональному назначению различают:
Выпрямительные диоды.
Стабилитроны.
Импульсные и высокочастотные диоды.
Туннельные диоды.
Варикапы.
Выпрямительные диоды предназначены для выпрямления переменного тока частотой 50 Гц в постоянный. Используется основное свойство электронно-дырочного перехода - односторонняя проводимость.
Представляет собой один p-n переход в герметичном корпусе с двумя выводами. Вывод положительной области называется анод, вывод отрицательной – катод. На рисунке 12 изображена структура выпрямительного диода.
Рисунок 12 – Структура выпрямительного диода
Диод в электрических схемах обозначается в соответствии с рисунком 13.
Рисунок 13 – Условно-графическое обозначение (УГО) диода в электрических схемах
График зависимости между током и напряжением называется вольт-амперной характеристикой (ВАХ). Выпрямительный диод имеет нелинейную ВАХ (рисунок 14).
Рисунок 14 – ВАХ выпрямительного диода
Рассмотрим принцип работы схемы простейшего однопериодного выпрямителя (см. рисунок 15).
Рисунок 15 - Схема простейшего выпрямителя
Схема состоит из:
- трансформатора Т, который служит для преобразования исходного напряжения в напряжение нужной величины;
-выпрямительного диода VD, который служит для выпрямления переменного тока;
- конденсатора С, который служит для сглаживания пульсаций;
- нагрузки Rн.
При положительной полуволне на входе схемы выпрямителя напряжение для диода VD является прямым, и диод открывается, пропускает ток через нагрузку RН, в это время начинает заряжаться конденсатор С.
При отрицательной полуволне диод закрывается, ток через него не проходит, но в нагрузке существует ток, который образован разряжающимся в это время конденсатором. Далее процесс повторяется.
Статические параметры и методика их определения:
Крутизна вольт-амперной характеристики:
,
где Iпр – приращение тока;
Uпр – приращение напряжения.
Крутизна вольт-амперной характеристики показывает, на сколько миллиампер изменится ток при увеличении напряжения на 1 Вольт.
Внутреннее сопротивление диода переменному току.
Сопротивление диода постоянному току.
Сопротивление диода постоянному току при обратном включении RОБР, МОм,:
Для проведения расчета параметров выпрямительного диода графическим методом необходимо сделать дополнительные построения, согласно рисунку16.
Рисунок 16 – Графические построения для определения статических параметров выпрямительного диода
Пример
определения статических параметров
диода графическим методом. Для заданного
положения рабочей точки (
диода КД102А определить статические
параметры (рисунок17).
Рисунок 17 – ВАХ диода КД102А
Крутизна вольт-амперной характеристики:
Внутреннее сопротивление диода переменному току.
Сопротивление диода постоянному току.
Задача № 3
Задача № 4
Задача № 5
СТАБИЛИТРОНЫ
Стабилитрон – кремниевый полупроводниковый диод, используемый для стабилизации напряжения в цепи постоянного тока. Условно-графическое обозначение стабилитрона приведено на рисунке 18.
Рисунок 18– УГО стабилитрона в схемах
Принцип стабилизации заключается в том, что при изменении напряжения источника питания, в определенных пределах, напряжение в нагрузке должно оставаться постоянным. Это необходимо для устойчивой работы аппаратуры.
Стабилитрон включается в схему под обратное напряжение. Работает в режиме электрического пробоя, где напряжение слабо зависит от приложенного тока – основное свойство стабилизации.
Вольт-амперная характеристика стабилитрона (рисунок 19) при обратном включении имеет большую крутизну.
Точка 1 соответствует минимальному значению тока при обеспечении режима электрического пробоя.
Точка 2 – среднее значение тока.
Точка 3 – максимально допустимое значение тока стабилизации, ток равен максимальной рассеиваемой мощности на стабилитроне.
Рисунок 19 – ВАХ стабилитрона
Рассмотрим принцип стабилизации напряжения. Идея стабилизации заключается в том, что напряжение на выходе схемы может колебаться в определенных пределах, а на нагрузке должно оставаться неизменным. Схема простейшего стабилизатора приведена на рисунке 20.
Рисунок 20 – Простейшая схема стабилизации напряжения
В схеме создается делитель напряжения, состоящий из постоянного балансного сопротивления (Rб) и сопротивления стабилитрона (). Стабилитрон в схему включается под обратное напряжение. Rб выбирают много больше внутреннего сопротивления стабилитрона (RБ R СТ.).
Если входное напряжение увеличились, то сопротивление Rст уменьшается, ток возрастает, а напряжение на нем и на нагрузке почти не изменяется. Изменение напряжения гасится на балансном сопротивлении.
Статические параметры и методика их определения
Крутизна вольт-амперной характеристики:
где IСТ– приращение тока;
UСТ – приращение напряжения.
RСТ. – сопротивление стабилитрона постоянному току
RДИН. – динамическое сопротивление стабилитрона переменному току
Для проведения расчета параметров стабилитрона графическим методом необходимо сделать дополнительные построения, согласно рисунка 21.
Рисунок 21 - Графические построения для определения статических параметров стабилитрона
Пример
определения статических параметров
стабилитрона графическим методом. Для
заданного положения рабочей точки (
стабилитрона КС170А определить статические
параметры (рисунок 22).
Рисунок 22 – ВАХ стабилитрона КС170А
Крутизна вольт-амперной характеристики:
Rдин. – динамическое сопротивление стабилитрона переменному току:
RСТ. – сопротивление стабилитрона постоянному току:
