Принцип работы пт, включенного по схеме с общим истоком

Входом транзистора являются зажимы затвор-исток. На вход подается обратное напряжение Е1 от источника питания и напряжение от источника колебаний Е₁ (рисунок 50).

Рисунок 50 – Схема включения ПТ

Выходом транзистора являются зажимы исток-сток. В выходную цепь включается нагрузка R_Н и напряжение источника питания Е₂.

В полевом транзисторе в исходном состоянии протекает ток носителей заряда. При увеличении входного напряжения (U_ЗИ) увеличивается величина обратного напряжения, что вызовет увеличение запирающего слоя, следовательно, уменьшится и площадь поперечного сечения области, через которую проходят носители заряда. Это, в свою очередь, повлияет на сопротивление канала. Его сопротивление растет, ток стока уменьшается.

При некотором значении обратного напряжения (U_ЗИ) канал полностью перекрывается запирающем слоем, ток стока очень мал, транзистор закрывается. Напряжение U_ЗИ, при котором происходит перекрытие запирающем слоем всего канала, называется напряжением отсечки. Таким образом, в транзисторе протекает один ток – ток стока.

Статические параметры полевого транзистора и методика их определения

Статические параметры полевого транзистора определяются графо-аналитическим методом по стоковым характеристикам (рисунок 51).

S - крутизна вольтамперной характеристики, определяется методом трех точек и рассчитывается по формуле:

Напряжение Uзи, В, определяется разностью:

Uзи = U_ЗИ2 – U_{ЗИ 4}

Рисунок 51 - Стоковые характеристики

Ri - внутреннее сопротивление канала, определяется методом характеристического треугольника и рассчитывается по формуле:

Статический коэффициент усиления напряжения , рассчитывается по формуле:

Пример определения статических параметров для ПТ графическим методом. Для заданного положения рабочей точки ( определить статические параметры (рисунок 52).

Рисунок 52 – Пример графических построений для определения параметров ПТ

Крутизна вольтамперной характеристики , вычисляется по формуле:

Внутреннее сопротивление канала , вычисляется по формуле:

Статический коэффициент усиления напряжения , вычисляется по формуле:

ДОСТОИНСТВА ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

1. Высокое входное сопротивление –

2. Высокие значения коэффициентов усиления , .

3. Высокая температурная стабильность,

4. Низкий уровень шумов.

5. Высокая экономичность.

6. Низкая чувствительность к радиационным излучениям.

НЕДОСТАТКИ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

1. Низкая крутизна ВАХ.

2. Большая входная емкость.

ПРИМЕРЫ МАРКИРОВКИ ТРАНЗИСТОРОВ

Вопросы самоконтроля

1. Полевой транзистор, устройство, достоинства, недостатки.

2. Принцип работы ПТ с управляющим p-n переходом.

3. Статические параметры ПТ, методика их определения по статическим характеристикам.

Задача №№ 22-24из домашнего задания.

Л.1:[с. 96-102]

Раздел 6 фотоэлектронные приборы

ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ ОБ ЭФФЕКТЕ ФОТОПРОВОДНОСТИ

Свет представляет собой поток электромагнитной энергии. Обладая как волновой, так и корпускулярной природой, свет излучается или поглощается веществом только в виде дискретных количеств энергии – фотонов или квантов.

Световой поток – мощность электромагнитной энергии, которая вызывает зрительные ощущения. Световой поток измеряется в люменах [лм].

Фотоэлектронные приборы (ФЭП) преобразуют световую энергию в электрическую. Они работают на принципе фотоэффекта. Главные закономерности фотоэффекта были выведены Альбертом Эйнштейном на основе фотонной теории света. Основные законы фотоэффекта были открыты выдающимся русским физиком А.Г. Столетовым в 1888 году.

Фотоэффект – это процесс передачи энергии световым потоком облучаемому телу.

ФЭП подразделяются на 2 группы:

а) приборы с внутренним фотоэффектом (полупроводниковые),

б) приборы с внешним фотоэффектом (электровакуумные).