Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
2.2 Практикум по ТЭ .docx
Скачиваний:
5
Добавлен:
01.07.2025
Размер:
4 Мб
Скачать
☆

Методика определения h – параметров для схемы включения бт с оэ

H-параметры транзистора определяются по статическим характеристикам, параметры h11, h12 - по входной характеристике, а h21 и h22 - по выходным характеристикам. Методика графического расчета параметров приведена на рисунке 40 и рисунке 41.

Рисунок 40 - Входные характеристики транзистора

Входное сопротивление транзистора h11Э, Ом, определяется методом характеристического рассчитывается по формуле:

Коэффициент обратной связи по напряжению h12Э, определяется методом 2-х точек и рассчитывается по формуле:

Напряжение UКЭ, В, определяется как разность значений выходных напряжений двух статических характеристик:

UКЭ = UКЭ 2 - UКЭ1

Рисунок 41 - Выходные характеристики транзистора

Параметр h21 - коэффициент передачи тока определяется методом трех точек и рассчитывается по формуле:

При этом IБ, мА, определяется разностью двух постоянных величин на статических характеристиках:

IБ = IБ6 - IБ4

Параметр h22 - выходная проводимость транзистора определяется методом характеристического треугольника и рассчитывается по формуле:

Пример определения h - параметров для БТ графическим методом. Для заданного положения рабочей точки ( определить статические параметры (рисунок 42).

Рисунок 42 – Пример графических построений для определения параметров БТ

;

=

Рисунок 43 – Пример графических построений для определения параметров БТ

Рисунок 44 – Пример графических построений для определения параметров БТ

=

Рисунок 45 – Пример графических построений для определения параметров БТ

Порядок величин h параметров

Параметр

Схема ОЭ

Схема ОБ

Сотни Ом – единицы кОм

Десятки Ом

10-3 – 10-4

10-3 – 10-4

- десятки или сотни

Единицы и десятки кОм

Сотни кОм

Система обозначений транзисторов

Обозначения состоит из пяти элементов:

1–ый элемент буква или цифра – обозначает исходный полупроводниковый материал:

Г (1) – германий;

К (2) – кремний;

А (3) – арсенид- галлия.

2–ой элемент буква – обозначает тип транзистора:

Т- биполярный;

П – полевой.

3–ий элемент цифра – обозначает электрические параметры:

1, 2, 3 – транзисторы малой мощности

1 – низкочастотные, 2 – средних частот, 3 – высокой частоты.

4, 5, 6 – транзисторы средней мощности

4 – низкой частоты, 5- средней частоты, 6 – высокой частоты.

7, 8, 9 – транзисторы высокой мощности:

7 – низкой частоты, 8 – средней частоты, 9 – высокой частоты.

4–ый элемент двух- трех- четырехзначное число – обозначает порядковый номер разработки.

5–ый элемент буква – обозначает подкласс приборов

Пример маркировки биполярных транзисторов

Вопросы самоконтроля:

  1. Биполярный транзистор. Устройство, режимы работы.

  2. Принцип работы БТ в активном режиме. Токи в транзисторе.

  3. Схема включения БТ с ОЭ. Свойства.

  4. Схема включения БТ с ОБ. Свойства.

  5. h- параметры для схемы включения БТ с ОЭ, физический смысл, методика определения их по характеристикам.

Задача №№ 15– 21 из домашнего задания.

Л. 1: [с. 60-94]