- •Введение
- •Электронные приборы: основные понятия
- •Раздел 1 электропроводность твердых тел
- •Строение твердого тела
- •Понятие об энергетических уровнях и энергетических зонах
- •Классификация тел по электропроводности
- •Собственная электропроводность полупроводников
- •Примесные полупроводники
- •Получение пп n-типа
- •Получение пп р-типа
- •Электронно-дырочный переход
- •Свойства р-n перехода
- •Пробой р-n перехода. Виды пробоев
- •Емкость р-n перехода
- •Примеры решения задач Задача № 1
- •Задача № 2
- •Раздел 2 полупроводниковые диоды выпрямительные диоды
- •Туннельный диод
- •Варикап
- •Система обозначений диодов
- •Раздел 3 биполярные транзисторы устройство биполярного транзистора
- •Режимы работы транзистора
- •Способы включения биполярного транзистора
- •Статические характеристики
- •Система вторичных параметров
- •Методика определения h – параметров для схемы включения бт с оэ
- •Порядок величин h параметров
- •Система обозначений транзисторов
- •Пример маркировки биполярных транзисторов
- •Раздел 4 анализ нагрузочного режима транзистора работа усилительного элемента с нагрузкой
- •Раздел 5 полевые транзисторы полевые транзисторы с управляющим
- •Принцип работы пт, включенного по схеме с общим истоком
- •Статические параметры полевого транзистора и методика их определения
- •Раздел 6 фотоэлектронные приборы
- •Внешний и внутренний фотоэффект
- •Фоторезистор
- •Фотодиод
- •Фототранзистор
- •Светодиод
- •Оптроны
- •Домашнее задание
- •Литература
Методика определения h – параметров для схемы включения бт с оэ
H-параметры транзистора определяются по статическим характеристикам, параметры h11, h12 - по входной характеристике, а h21 и h22 - по выходным характеристикам. Методика графического расчета параметров приведена на рисунке 40 и рисунке 41.
Рисунок 40 - Входные характеристики транзистора
Входное
сопротивление транзистора h11Э,
Ом, определяется методом характеристического
рассчитывается по формуле:
Коэффициент обратной связи по напряжению h12Э, определяется методом 2-х точек и рассчитывается по формуле:
Напряжение UКЭ, В, определяется как разность значений выходных напряжений двух статических характеристик:
UКЭ = UКЭ 2 - UКЭ1
Рисунок 41 - Выходные характеристики транзистора
Параметр h21 - коэффициент передачи тока определяется методом трех точек и рассчитывается по формуле:
При этом IБ, мА, определяется разностью двух постоянных величин на статических характеристиках:
IБ = IБ6 - IБ4
Параметр h22 - выходная проводимость транзистора определяется методом характеристического треугольника и рассчитывается по формуле:
Пример
определения h
- параметров для БТ графическим методом.
Для заданного положения рабочей точки
(
определить статические параметры
(рисунок 42).
Рисунок 42 – Пример графических построений для определения параметров БТ
;
=
Рисунок 43 – Пример графических построений для определения параметров БТ
Рисунок 44 – Пример графических построений для определения параметров БТ
=
Рисунок 45 – Пример графических построений для определения параметров БТ
Порядок величин h параметров
Параметр |
Схема ОЭ |
Схема ОБ |
|
Сотни Ом – единицы кОм |
Десятки Ом |
|
10-3 – 10-4 |
10-3 – 10-4 |
|
|
|
|
Единицы и десятки кОм |
Сотни кОм |
Система обозначений транзисторов
Обозначения состоит из пяти элементов:
1–ый элемент буква или цифра – обозначает исходный полупроводниковый материал:
Г (1) – германий;
К (2) – кремний;
А (3) – арсенид- галлия.
2–ой элемент буква – обозначает тип транзистора:
Т- биполярный;
П – полевой.
3–ий элемент цифра – обозначает электрические параметры:
1, 2, 3 – транзисторы малой мощности
1 – низкочастотные, 2 – средних частот, 3 – высокой частоты.
4, 5, 6 – транзисторы средней мощности
4 – низкой частоты, 5- средней частоты, 6 – высокой частоты.
7, 8, 9 – транзисторы высокой мощности:
7 – низкой частоты, 8 – средней частоты, 9 – высокой частоты.
4–ый элемент двух- трех- четырехзначное число – обозначает порядковый номер разработки.
5–ый элемент буква – обозначает подкласс приборов
Пример маркировки биполярных транзисторов
Вопросы самоконтроля:
Биполярный транзистор. Устройство, режимы работы.
Принцип работы БТ в активном режиме. Токи в транзисторе.
Схема включения БТ с ОЭ. Свойства.
Схема включения БТ с ОБ. Свойства.
h- параметры для схемы включения БТ с ОЭ, физический смысл, методика определения их по характеристикам.
Задача №№ 15– 21 из домашнего задания.
Л. 1: [с. 60-94]

-
десятки или сотни