- •Введение
- •Электронные приборы: основные понятия
- •Раздел 1 электропроводность твердых тел
- •Строение твердого тела
- •Понятие об энергетических уровнях и энергетических зонах
- •Классификация тел по электропроводности
- •Собственная электропроводность полупроводников
- •Примесные полупроводники
- •Получение пп n-типа
- •Получение пп р-типа
- •Электронно-дырочный переход
- •Свойства р-n перехода
- •Пробой р-n перехода. Виды пробоев
- •Емкость р-n перехода
- •Примеры решения задач Задача № 1
- •Задача № 2
- •Раздел 2 полупроводниковые диоды выпрямительные диоды
- •Туннельный диод
- •Варикап
- •Система обозначений диодов
- •Раздел 3 биполярные транзисторы устройство биполярного транзистора
- •Режимы работы транзистора
- •Способы включения биполярного транзистора
- •Статические характеристики
- •Система вторичных параметров
- •Методика определения h – параметров для схемы включения бт с оэ
- •Порядок величин h параметров
- •Система обозначений транзисторов
- •Пример маркировки биполярных транзисторов
- •Раздел 4 анализ нагрузочного режима транзистора работа усилительного элемента с нагрузкой
- •Раздел 5 полевые транзисторы полевые транзисторы с управляющим
- •Принцип работы пт, включенного по схеме с общим истоком
- •Статические параметры полевого транзистора и методика их определения
- •Раздел 6 фотоэлектронные приборы
- •Внешний и внутренний фотоэффект
- •Фоторезистор
- •Фотодиод
- •Фототранзистор
- •Светодиод
- •Оптроны
- •Домашнее задание
- •Литература
Литература
Ф.А. Ткаченко – Электронные приборы и устройства – Мн.: Новое знание, 2011.
Ф.И. Вайсбурд – Электронные приборы и усилители. М.: Радио и связь, 1987.
Методические указания по выполнению практической работы № 1 «Анализ параметров полупроводниковых диодов» по дисциплине «Техническая электроника».
Методические указания по выполнению практической работы № 2 «Анализ параметров биполярных транзисторов» по дисциплине «Техническая электроника».
Методические указания по выполнению практической работы № 3 «Анализ параметров полевых транзисторов» по дисциплине «Техническая электроника».
Содержание
Рисунок 1 – Строение атома и 4
Рисунок 2 – Ковалентная связь в кристалле кремния 5
Рисунок 3 – Энергетические диаграммы материалов 6
Рисунок 4 – Образование собственной электропроводности 7
Рисунок 5 – Плоскостной р-n переход 8
Рисунок 7а – Прямое включение p-n перехода 11
11
Рисунок 7б – Обратное включение p-n перехода 11
12
Рисунок 8 – ВАХ р-n перехода для двух температур 12
13
Рисунок 9 – Анализ пробоя по ВАХ 13
14
Рисунок 10 – График зависимости Сб от Uобр 14
Пример решения задачи по способам включения p-n перехода. 14
Укажите, в каком направлении включен p-n переход, если: 14
а) дырки перемещаются справа налево; 14
б) дырки в этой области являются Н.Н. заряда. 14
По функциональному назначению различают: 18
Выпрямительные диоды. 18
Стабилитроны. 18
Импульсные и высокочастотные диоды. 18
Туннельные диоды. 18
Варикапы. 18
18
Рисунок 12 – Структура выпрямительного диода 18
18
Рисунок 13 – Условно-графическое обозначение (УГО) диода в электрических схемах 18
Рисунок 14 – ВАХ выпрямительного диода 19
19
Рисунок 15 - Схема простейшего выпрямителя 19
1. Крутизна вольт-амперной характеристики: 20
, 20
где Iпр – приращение тока; 20
Uпр – приращение напряжения. 20
2. Внутреннее сопротивление диода переменному току. 20
20
3. Сопротивление диода постоянному току. 20
20
4. Сопротивление диода постоянному току при обратном включении RОБР, МОм,: 20
20
20
Рисунок 16 – Графические построения для определения статических параметров выпрямительного диода 20
Рисунок 17 – ВАХ диода КД102А 21
21
21
2. Внутреннее сопротивление диода переменному току. 21
21
21
3. Сопротивление диода постоянному току. 21
21
22
22
23
24
Рисунок 18– УГО стабилитрона в схемах 24
Стабилитрон включается в схему под обратное напряжение. Работает в режиме электрического пробоя, где напряжение слабо зависит от приложенного тока – основное свойство стабилизации. 24
Точка 1 соответствует минимальному значению тока при обеспечении режима электрического пробоя. 24
Точка 2 – среднее значение тока. 24
Точка 3 – максимально допустимое значение тока стабилизации, ток равен максимальной рассеиваемой мощности на стабилитроне. 24
25
Рисунок 19 – ВАХ стабилитрона 25
25
Рисунок 20 – Простейшая схема стабилизации напряжения 25
Если входное напряжение увеличились, то сопротивление Rст уменьшается, ток возрастает, а напряжение на нем и на нагрузке почти не изменяется. Изменение напряжения гасится на балансном сопротивлении. 25
Статические параметры и методика их определения 25
1. Крутизна вольт-амперной характеристики: 25
25
где IСТ– приращение тока; 25
UСТ – приращение напряжения. 25
2. RСТ. – сопротивление стабилитрона постоянному току 25
26
3. RДИН. – динамическое сопротивление стабилитрона переменному току 26
26
26
Рисунок 21 - Графические построения для определения статических параметров стабилитрона 26
1. Крутизна вольт-амперной характеристики: 27
27
27
2. Rдин. – динамическое сопротивление стабилитрона переменному току: 27
27
27
3. RСТ. – сопротивление стабилитрона постоянному току: 27
27
27
28
Рисунок 23 – УГО туннельного диода 28
28
Рисунок 24 – ВАХ туннельного диода 28
29
Рисунок 25– Схема включения туннельного диода 29
29
29
30
Рисунок 28 – Схема включения варикапа 30
1 элемент – обозначает исходный материал (цифра или буква) 30
Г (1) – германий, 30
К (2) – кремний, 30
А (3) – арсенид- галлия. 30
2 элемент – буква, указывает подкласс прибора: 30
Д – выпрямительный диод, импульсный диод, ВЧ диоды, 30
А – СВЧ диод, 30
С – стабилитрон, 30
И – туннельный диод, 30
В – варикап, 30
Ц – выпрямительные столбы. 30
3 элемент – цифра, указывающая на назначение прибора и его электрические свойства. 30
Подкласс Д 30
1- малой мощности 30
2- большой мощности 30
3- для импульсных диодов 30
Подкласс В 30
1 - подстроечный варикап 30
2 - умножительный варикап 30
Подкласс И 30
1 - усилительные 30
2 - генераторные 30
3 – переключательные 30
Подкласс С 31
1-3 - стабилитрон с мощностью до 0,5 Вт 31
4-6 - стабилитрон с мощностью до 5 Вт 31
7-9 – стабилитрон с мощностью до 10 Вт 31
4 элемент – двух-, трех- или четырехзначное число, обозначающее порядковый номер разработки. 31
5 элемент – разновидность прибора в данной серии изготовления. 31
Пример расшифровки маркировки диодов. 31
Учебное издание
ПРАКТИКУМ
по решению задач по дисциплине «Техническая электроника»
для учащихся 1-го курса ЗФО
для учащихся специальности
2-45 01 33 – Сети телекоммуникаций
специализации
2-45 01 33 01 – Техническая эксплуатация сетей телекоммуникаций
ПРАКТИКУМ
по решению задач по дисциплине «Техническая электроника»
Составитель
Белан Елена Михайловна
Редактор _________
Компьютерная верстка _______
План 2015/2016 уч.г., поз. ____
Подписано в печать _______ Формат 60*84/16.
Бумага офсетная. Гарнитура «Times».
Печать цифровая.
Усл. печ. л. 1,86. Уч.-изд. л. 1,08.
Тираж ____ экз. Заказ ____
Издатель и полиграфическое исполнение:
учреждение образования
«Белорусская государственная академия связи»
ЛИ № 02330/0622 от 03.11.2011.
Ул.
Ф.Скорины, 8/2, 220114
