1.Выпрямительные диоды.
VD
Выпрямительный полупроводниковый диод – это полупроводниковый диод, предназначенный для преобразования переменного тока в постоянный.
Используются также в схемах управления и коммутации для ограничения паразитных выбросов напряжений, в качестве элементов электрической развязки цепей и т.д.
Выпрямительные диоды выполняются на основе р-n- перехода и имеют две области, одна из них является более низкоомной (содержит большую концентрацию примеси), и называется эмиттером. Другая область, база – более высокоомная (содержит меньшую концентрация примеси).
В основе работы выпрямительных диодов лежит свойство односторонней проводимости р-n- перехода, которое заключается в том, что последний хорошо проводит ток (имеет малое сопротивление) при прямом включении и практически не проводит ток (имеет очень высокое сопротивление) при обратном включении.
Как известно, прямой ток диода создается основными, а обратный – не основными носителями заряда. Концентрация основных носителей заряда на несколько порядков превышает концентрацию не основных носителей, чем и обусловливаются вентильные свойства диода.
Основными параметрами выпрямительных полупроводниковых диодов являются:
прямой ток диода Iпр, который нормируется при определенном прямом напряжении (обычно Uпр = 1…2В);
максимально допустимый прямой ток Iпр мах диода;
максимально допустимое обратное напряжение диода Uобр мах, при котором диод еще может нормально работать длительное время;
постоянный обратный ток Iобр, протекающий через диод при обратном напряжении, равном Uобр мах;
средний выпрямленный ток Iвп.ср, который может длительно проходить через диод при допустимой температуре его нагрева;
максимально допустимая мощность Pмах, рассеиваемая диодом, при которой обеспечивается заданная надежность диода.
По максимально допустимому значению среднего выпрямленного тока диоды делятся на маломощные (Iвп.ср < 0,3А), средней мощности (0,3А < Iвп.ср < 10А) и большой мощности (Iвп.ср > 10А).
Для сохранения работоспособности германиевого диода его температура не должна превышать +85°С. Кремниевые диоды могут работать при температуре до +150°С
Рисунок 1. Вольт - амперная характеристика (ВАХ) полупроводникового диода от температуры.
Падение
напряжения при пропускании прямого
тока у германиевых диодов составляет 
Uпр
= 0,3…0,6В, у кремниевых диодов −
Uпр
= 0,8…1,2В. Большие падения напряжения
при прохождении прямого тока через
кремниевые диоды по сравнению с прямым
падение напряжения на германиевых
диодах связаны с большей высотой
потенциального барьера р-n- переходов,
сформированных в кремнии.
С увеличением температуры прямое падение напряжения уменьшается, что связано с уменьшением высоты потенциального барьера.
При подаче на полупроводниковый диод обратного напряжения в нем возникает незначительный обратный ток, обусловленный движением не основных носителей заряда через р-n- переход.
При повышении температуры р-n- перехода число не основных носителей заряда увеличивается за счет перехода части электронов из валентной зоны в зону проводимости и образования пар носителей заряда электрон-дырка. Поэтому обратный ток диода возрастает.
В случае приложения к диоду обратного напряжения в несколько сотен вольт внешнее электрическое поле в запирающем слое становится настолько сильным, что способно вырвать электроны из валентной зоны в зону проводимости (эффект Зенера). Обратный ток при этом резко увеличивается, что вызывает нагрев диода, дальнейшей рост тока и, наконец, тепловой пробой (разрушение) р-n- перехода. Большинство диодов может надежно работать при обратных напряжениях, не превышающих (0,7…0,8)Uпроб.
Допустимое обратное напряжение германиевых диодов достигает − 100…400В, а кремниевых диодов − 1000…1500В.