- •Введение
- •Основные полупроводниковые квантово размерные структуры
- •Условия наблюдения квантовых размерных эффектов
- •Структуры с двумерным электронным газом
- •1.2.1. Полупроводниковые и полуметаллические пленки
- •1.2.3. Гетероструктуры
- •1.2.4. Дельта-слои
- •1.2.5. Графен
- •1.4. Квантовые точки
- •1.3. Квантовые нити
- •1.5. Сверхрешетки
- •1.5.1. Полупроводниковые композиционные ср
- •1.5.2. Ср типа полуметалл-полупроводник
- •1.5.4. Легированные ср
- •1.5.5. Композиционно-легированные ср
- •1.5.6. Квазипериодические и непериодические ср
- •2. Энергетический спектр
- •2.1. Изолированные квантовые ямы, нити, точки
- •2.1.1. Квантовые ямы
- •2.1.2. Квантовые нити
- •2.1.3. Квантовые точки
- •2.2. Одномерные сверхрешетки
- •2.3. Локализованные состояния
- •2.4. Размерное квантование во внешних полях
- •2.4.1. Двумерные системы в магнитном поле
- •2.4.2. Квантовые ямы и сверхрешетки в электрическом поле
- •3. Плотность состояний и концентрация носителей заряда
- •3.1. Изолированные квантовые ямы и нити
- •3.2. Сверхрешетки
- •4. Оптические свойства
- •4.1. Общие положения
- •4.2. Межзонное поглощение в квантовых ямах и сверхрешетках
- •4.4. Межподзонное поглощение в квантовых ямах и сверхрешетках
- •4 Рис. 4.6. Спектр межподзонного ик–поглощения ср при условии слабого рассеяния – низких температур. .5. Фотодетекторы ик–излучения
- •5. Кинетические явления
- •5.1. Неравновесная функция распределения в низкоразмерных структурах
- •5.2. Планарный перенос в квантовых ямах
- •5.3. Вертикальный перенос в сверхрешетках
- •5.3.1. Область омической проводимости
- •5.3.2. Отрицательная дифференциальная проводимость в классических полях
- •5.3.3. Резонансное туннелирование в области
- •5.4. Баллистическая проводимость квантовых нитей
- •5.5. Квантовый эффект Холла в квантовых ямах
- •5.5.1. Классическая теория целочисленного кэх
- •5.5.2. Влияние эффектов локализации на кэх.
- •6. Резонансное туннелирование
- •6.1. Прохождение электронов в структурах с одиночными квантовыми ямами и потенциальными барьерами
- •6.1.1. Коэффициент пропускания и резонансное туннелирование электронов при прохождении над квантовой ямой
- •6.1.2. Коэффициент пропускания и резонансное туннелирование электронов при прохождении над потенциальным барьером
- •6.2. Туннелирование электронов через двухбарьерную квантовую структуру (дбкс)
- •6 Рис. 6.5. Потенциальный рельеф несимметричной дбкс с двумя резонансными энергетическими уровнями е1 и е2 в квантовой яме .2.1. Прохождение электромагнитных волн через резонатор
- •6.2.2 Энергетический спектр электронов в изолированной
- •6.2.3. Естественное и релаксационное уширения уровней энергии
- •6.2.4. Туннелирование электронов через дбкс в области резонансных значений энергии. Формула Лоренца
- •6.3. Резонансно-туннельный диод (ртд)
- •6.3.1. Строение и действие ртд
- •6.3.2. Вах и одп идеального ртд
- •6.3.3. Эквивалентная схема и максимальная частота генерации ртд
- •Заключение
- •Список литературы
- •Содержание
- •1. Основные полупроводниковые квантово-размерные
- •Учебное издание
- •Учебное пособие
6.1. Прохождение электронов в структурах с одиночными квантовыми ямами и потенциальными барьерами
Характер осцилляций продольного тока, протекающего в поперечном к слоям квантовой гетероструктуры направлении, определяется вероятностью прохождения через них электронов с заданной скоростью или энергией. Эта вероятность называется коэффициентом пропускания или коэффициентом прохождения Т. Расчет коэффициента пропускания как функции энергии электрона Е основывается на решении стационарного уравнения Шредингера. Наиболее простой вид функция Т(Е) имеет в гетероструктурах с одной КЯ или одним ПБ в отсутствие электрического поля.
6.1.1. Коэффициент пропускания и резонансное туннелирование электронов при прохождении над квантовой ямой
Рассмотрим
одномерную задачу о движении электрона
в зоне проводимости над прямоугольной
потенциальной ямой. Для этого найдем
волновую функцию электрона
с заданной энергией Е
> 0, движущегося
вдоль оси симметрии гетероструктуры z
(рис. 6.1). В приближении эффективной
массы22
уравнение Шредингера для этого движения
запишем в виде
Рис.6.1. Прохождение
электрона над квантовой ямой

где

-потенциальная
энергия электрона,
- глубина и ширина КЯ. С учетом зависимости
разобьем всю гетероструктуру на три
области, в каждой из которых потенциальная
энергия является константой, а решение
для волновой функции будем искать в
виде суперпозиции падающей и отраженной
волны слева от КЯ и в самой КЯ и прошедшей
волны справа от КЯ:
![]()
(6.2)
![]()
где
,
- константы.
Согласно квантовой механике [17], каждый электрон при своем движении создает электрический ток с плотностью
, (6.3)
где i - мнимая единица. Согласно этой формуле, с учетом (6.2) плотность тока, создаваемая электроном в каждой из областей гетероструктуры, равна
(6.4)
где знак (+) над j
соответствует плотности тока, создаваемой
электронной волной, движущейся в
положительном направлении оси z, а знак
(-) - в обратном;
-скорости электрона с энергией Е
над КЯ и вне
ее. Согласно (6.4), при падении электронной
волны на гетероструктуру часть ее
проходит, а часть отражается. Отношение
плотности тока, соответствующей прошедшей
волне, к плотности тока падающей на
гетероструктуру волны называется
коэффициентом пропускания или
коэффициентом прохождения Т.
Согласно данному определению коэффициент
прохождения определяется через амплитуды
падающей и прошедшей волны
. (6.5)
Для коэффициента отражения R по аналогии с коэффициентом пропускания имеем
. (6.6)
Согласно закону
непрерывности электрического тока
,
откуда следует связь между коэффициентом
пропускания и отражения
. (6.7)
Чтобы рассчитать
R
и T,
необходимо использовать условия сшивания
для волновой функции и ее производной,
вытекающие из уравнения непрерывности
для электронной плотности
[17]:
. (6.8)
Эти условия приводят
к системе 4-х уравнений для неизвестных
амплитуд
,
решение для которых выражается через
заданную амплитуду падающей волны
.
При подстановке этих решений в (6.5),
формула для коэффициента пропускания
принимает вид
. (6.9)
Согласно этой
формуле коэффициент Т
является осциллирующей функцией энергии
электрона Е,
максимальное значение которой равняется
единице и соответствует полной
прозрачности структуры. Достигается
это значение при некоторых – резонансных
значениях энергий En,
удовлетворяющих условию
,
где n
целое положительное число. Причина
столь необычного результата связана с
наличием отраженных волн от гетерограниц,
которые при резонансных значениях
энергии электрона гасят друг друга за
счет интерференции между собой.
Из условия для резонансных значений энергии при En > 0 с учетом (6.2) получаем
, (6.10)
где
.
Если
,
где n1
- целое число, тогда квантовое число n
может
принимать значения
,
а первый резонансный уровень
.
Такие КЯ называются резонансными [23].
С учетом зависимости энергии Е от волнового числа q (см.(6.2)) формулу (6.9) можно переписать в удобном для анализа виде
. (6.11)
С
Рис. 6.2. Зависимость
коэффициента прозрачности от энергии
при прохождении
электрона над резонансной КЯ.
коэффициент пропускания
,
тогда как для нерезонансных КЯ при Е=0
коэффициент пропускания Т=0.
На рис. 6.2 представлена зависимость
T(E), рассчитанная
для резонансных КЯ. Кривой с номером m
соответствует значение
глубины квантовой ямы
.
Из рисунка следует, что значения
коэффициента прохождения относительных
минимумов с ростом энергии электрона
быстро стремятся к единице. Т.е. перепад
между соседним максимумом и минимумом
с ростом энергии стремится к нулю, а,
следовательно, резонансные свойства
коэффициента прохождения исчезают.
