- •Введение
- •Основные полупроводниковые квантово размерные структуры
- •Условия наблюдения квантовых размерных эффектов
- •Структуры с двумерным электронным газом
- •1.2.1. Полупроводниковые и полуметаллические пленки
- •1.2.3. Гетероструктуры
- •1.2.4. Дельта-слои
- •1.2.5. Графен
- •1.4. Квантовые точки
- •1.3. Квантовые нити
- •1.5. Сверхрешетки
- •1.5.1. Полупроводниковые композиционные ср
- •1.5.2. Ср типа полуметалл-полупроводник
- •1.5.4. Легированные ср
- •1.5.5. Композиционно-легированные ср
- •1.5.6. Квазипериодические и непериодические ср
- •2. Энергетический спектр
- •2.1. Изолированные квантовые ямы, нити, точки
- •2.1.1. Квантовые ямы
- •2.1.2. Квантовые нити
- •2.1.3. Квантовые точки
- •2.2. Одномерные сверхрешетки
- •2.3. Локализованные состояния
- •2.4. Размерное квантование во внешних полях
- •2.4.1. Двумерные системы в магнитном поле
- •2.4.2. Квантовые ямы и сверхрешетки в электрическом поле
- •3. Плотность состояний и концентрация носителей заряда
- •3.1. Изолированные квантовые ямы и нити
- •3.2. Сверхрешетки
- •4. Оптические свойства
- •4.1. Общие положения
- •4.2. Межзонное поглощение в квантовых ямах и сверхрешетках
- •4.4. Межподзонное поглощение в квантовых ямах и сверхрешетках
- •4 Рис. 4.6. Спектр межподзонного ик–поглощения ср при условии слабого рассеяния – низких температур. .5. Фотодетекторы ик–излучения
- •5. Кинетические явления
- •5.1. Неравновесная функция распределения в низкоразмерных структурах
- •5.2. Планарный перенос в квантовых ямах
- •5.3. Вертикальный перенос в сверхрешетках
- •5.3.1. Область омической проводимости
- •5.3.2. Отрицательная дифференциальная проводимость в классических полях
- •5.3.3. Резонансное туннелирование в области
- •5.4. Баллистическая проводимость квантовых нитей
- •5.5. Квантовый эффект Холла в квантовых ямах
- •5.5.1. Классическая теория целочисленного кэх
- •5.5.2. Влияние эффектов локализации на кэх.
- •6. Резонансное туннелирование
- •6.1. Прохождение электронов в структурах с одиночными квантовыми ямами и потенциальными барьерами
- •6.1.1. Коэффициент пропускания и резонансное туннелирование электронов при прохождении над квантовой ямой
- •6.1.2. Коэффициент пропускания и резонансное туннелирование электронов при прохождении над потенциальным барьером
- •6.2. Туннелирование электронов через двухбарьерную квантовую структуру (дбкс)
- •6 Рис. 6.5. Потенциальный рельеф несимметричной дбкс с двумя резонансными энергетическими уровнями е1 и е2 в квантовой яме .2.1. Прохождение электромагнитных волн через резонатор
- •6.2.2 Энергетический спектр электронов в изолированной
- •6.2.3. Естественное и релаксационное уширения уровней энергии
- •6.2.4. Туннелирование электронов через дбкс в области резонансных значений энергии. Формула Лоренца
- •6.3. Резонансно-туннельный диод (ртд)
- •6.3.1. Строение и действие ртд
- •6.3.2. Вах и одп идеального ртд
- •6.3.3. Эквивалентная схема и максимальная частота генерации ртд
- •Заключение
- •Список литературы
- •Содержание
- •1. Основные полупроводниковые квантово-размерные
- •Учебное издание
- •Учебное пособие
6.2. Туннелирование электронов через двухбарьерную квантовую структуру (дбкс)
Двухбарьерной квантовой структурой будем называть гетероструктуру, состоящую из пяти слоев, в которой профиль дна зоны проводимости в поперечном для слоев направлении имеет вид, представленный на рис. 6.5. Коэффициент прохождения такой структуры электронами T представляет собой в общем случае осциллирующую функцию, что приводит к возникновению ОДП. Чтобы рассчитать коэффициент прохождения, необходимо решить уравнение Шредингера для свободных электронов, проходящих через эту структуру, аналогично тому, как это было сделано в случае надъямного и надбарьерного прохождения. Однако эту задачу можно упростить, если воспользоваться аналогией между прохождением электронной волны через ДБКС и прохождением электромагнитной волны через резонатор Фабри - Перо. Резонатор представляет собой прибор в виде прозрачной пластинки с полупрозрачными гранями, который может работать как оптический фильтр, пропуская через себя электромагнитные волны лишь с определенными частотами.
6 Рис. 6.5. Потенциальный рельеф несимметричной дбкс с двумя резонансными энергетическими уровнями е1 и е2 в квантовой яме .2.1. Прохождение электромагнитных волн через резонатор
Фабри -Перо. Резонансные частоты
Проведем расчет
коэффициента прохождения электромагнитной
волны через резонатор Фабри-Перо,
образованный двумя плоскими полупрозрачными
зеркалами, при нормальном падении света
на плоскость зеркал. На рис. 6.6 представлена
схематическая картина падающей плоской
электромагнитной волны с напряженностью
электрического поля F,
прохождение которой сопровождается
отражением, преломлением и интерференцией
когерентных волн. В результате этого
падающая волна распадается на отраженную
с напряженностью поля
и прошедшую
с напряженностью
.
На рисунке для наглядности волна падает
под углом близким к нулю. Согласно
определению, коэффициент прохождения
электромагнитной волны представляет
собой отношение потока энергии прошедшей
волны к потоку энергии падающей волны.
Поэтому, чтобы его найти необходимо
рассчитать напряженность поля прошедшей
волны
по заданному значению F
падающей волны*.
Рис.
6.6. Прохождение
электромагнитной волны
через резонатор
Фабри – Перо.
,
(6.15)
,
где
,
-
коэффициенты прохождения и отражения
амплитуды электрического вектора,
соответствующие различным зеркалам
резонатора;
- комплексные показатели преломления;
-
частота света; d - толщина резонатора
(см. рис.6.6). Амплитуды отраженных волн
отмечены одним штрихом, прошедших -
двумя, падающих- не отмечены. С учетом
формул (6.15), для коэффициента прохождения
амплитуды, используя формулу для
геометрической прогрессии, получаем
. (6.16)
Пользуясь формулой (6.16), для искомого коэффициента прохождения по мощности будем иметь
, (6.17)
где
-коэффициент поглощения среды между
зеркалами резонатора,
- время прохождения света через пластинку,
.
В приближении малой прозрачности зеркал
и слабого поглощения (
)
коэффициент пропускания (6.17) с учетом
того, что
,
принимает более простой вид
, (6.18)
где
.
Согласно формулам (6.17), (6.18) коэффициент прохождения как функция частоты носит осциллирующий характер и имеет максимумы на резонансных частотах, удовлетворяющих уравнению
. (6.19)
Вблизи резонансной частоты с номером n функция Т принимает вид
, (6.20)
где
-
отклонение частоты от резонансной,
,
,
, (6.21)
- нагруженная,
собственная и внешняя добротности
резонатора на частоте
,
- среднее время жизни фотона в резонаторе2,
связанное с поглощением. В случае
идентичных зеркал
при слабом поглощении света
функция
Т в
области частоты
принимает наиболее простой вид
(6.22)
и при
принимает максимальное значение, равное
единице.
Рассмотрим специфику электромагнитных волн, для которых коэффициент прохождения имеет максимальное значение.
Для этого решим уравнение (6.19), предполагая, что зеркала резонатора идентичны и представляют собой металлический напыленный слой на прозрачной пластинке. Это соответствует следующим приближениям (см. рис.6.6):
.
С учетом данных приближений для коэффициента отражения зеркал получаем
,
, (6.23)
,
где
.
Из формул (6.23) следует, что фазой в уравнении (6.19) можно пренебречь. Тогда для резонансных частот получаем простую формулу
. (6.24)
Из этой формулы,
где
- период колебаний с частотой
,
следует, что резонансным частотам
соответствуют такие волны, которые
удовлетворяют условию стоячих волн в
резонаторе
. (6.25)
Рис. 6.7.
Зависимость коэффициента прохождения
света через резонатор
Фабри-Перо от
частоты:

![]()
и коэффициента межзеркального поглощения.
Из рисунка следует, что уменьшение
прозрачности зеркал (увеличение внешней
добротности) существенно уменьшает
нерезонансное прохождение и слабо
влияет на резонансное. Наоборот,
увеличение коэффициента поглощения и
толщины резонатора (уменьшение собственной
добротности) приводит к резкому уменьшению
коэффициента вблизи резонансного
прохождения и слабому уменьшению в
области нерезонансных частот.
