- •1. Электрические заряды. Строение атома. Энергетические уровни и энергетические зоны. Положительные и отрицательные ионы.
- •2. Электрическое поле. Взаимодействие электрических зарядов с электрическим полем. Закон Кулона.
- •3. Электрический потенциал и разность потенциалов.
- •4. Электрическая емкость. Конденсатор. Способы изменения электрической емкости конденсаторов. Параллельное и последовательное соединения конденсаторов.
- •5. Постоянный электрический ток. Условия существования электрического тока. Направление, сила и плотность постоянного электрического тока.
- •6. Электрическое сопротивление. Единицы измерения сопротивления. Зависимость сопротивления от температуры.
- •7. Резисторы. Виды резисторов. Параллельные и последовательные соединения резисторов.
- •8. Закон Ома для участка и полной электрической цепи.
- •9. Законы Кирхгофа.
- •10. Работа и мощность электрического тока.
- •11. Переменный электрический ток и его основные параметры: период, частота, амплитуда, мгновенное и среднее (действующее) значения.
- •12. Основные сведения о полупроводниках. Разрешенные и запрещенные зоны. Валентная зона и зона проводимости.
- •14. Полупроводники с электронной электропроводностью. Энергетическая диаграмма. Формулы для концентраций основных и неосновных носителей. Положение уровня Фермы.
- •15. Полупроводники с дырочной электропроводностью. Энергетическая диаграмма. Формулы для концентраций основных и неосновных носителей. Положение уровня Фермы.
- •16. Неравновесная и избыточная концентрации основных и неосновных носителей зарядов в полупроводнике.
- •17. Диффузионный и дрейфовый токи в полупроводнике. Причины, вызывающие их появление. Формулы для плотностей токов.
- •19. Прямое включение эдп. Явление инжекции неосновных носителей. Влияние прямого напряжения на контактную разность потенциалов и ширину запирающего слоя. Энергетическая диаграмма.
- •20. Обратное включение эдп. Обратный ток. Включение обратного напряжения на ширину запирающего слоя. Энергетическая диаграмма.
- •21. Вольтамперная характеристика эдп (вах). Уравнение теоретической вах и ее график.
- •22. Емкость эдп. Зарядная и диффузионная емкости, их физическая интерпретация. Графическая зависимость зарядной емкости от обратного напряжения.
- •23. Эквивалентные схемы эдп при прямом и обратном включениях.
- •24. Разновидности электрических переходов. Электрический переход между полупроводником и металлом (переход или барьер Шотки). Выпрямляющие и невыпрямляющие электрические переходы.
- •25. Полупроводниковые диоды. Классификация, основные параметры и система обозначений.
- •26. Выпрямительные полупроводниковые диоды. Назначение, основные параметры, классификация. Простейший выпрямитель на полупроводниковом диоде.
- •27. Полупроводниковые стабилитроны. Назначение, вах и основные параметры. Схема простейшего стабилизатора напряжения на стабилитроне и принцип его работы.
- •28. Варикапы. Назначение вольт-фарадная характеристика. Схема включения варикапа в колебательный контур для изменения его резонансной частоты.
- •29. Туннельные диоды. Энергетическая диаграмма при прямом и обратном включениях. Вах. Пояснить появление на вах участка с отрицательным сопротивлением.
- •30. Общие сведения о биполярных транзисторах (бт). Структурные схемы бт типов р-n-р и n-р-n. Условные графические обозначения.
- •34. Статические гибридные характеристики бт, включенного по схеме оэ. Функциональные зависимости. Схема для их экспериментального снятия. График семейств входных и выходных характеристик.
- •35. Малосигнальные h-параметры бт, включенного по схеме оэ. Формулы и методика определения по статическим гибридным характеристикам.
- •39. Параметры режима усиления. Формулы, методика определения по статическим гибридным характеристикам в схеме оэ,oб
- •40. Факторы, ограничивающие полезную выходную мощность бт. Определение рабочей области на выходных статических гибридных характеристиках.
- •41. Особенности работы бт в ключевом режиме. Схема, графики напряжений и токов.
- •42. Схема ключа с транзистором Шотки. Пояснить причину уменьшения времени рассасывания в таком ключе.
- •43. Устройство, принцип действия, статические характеристики и параметры мдп-транзисторов с индуцированным каналом п- и р- типов.
- •45. Устройство, принципы действия статические характеристики и параметры мдп-транзистора с управляющим р-п-переходом.
- •46. Устройство, принцип действия, статические характеристики и параметры меп-транзисторов.
- •47. Дифференциальные параметры полевых транзисторов и методика их определения по статическим характеристикам.
- •48. Работа пт в режиме усиления. Схема простейшего усилителя. Параметры режима усиления и методика их определения по характеристикам.
- •49. Инвертoр на мдп-транзисторах с индуцированным каналом. Схема, графики входного и выходного напряжения. Уровни выходного напряжения u0 и u1.
- •52. Этапы изготовления полупроводниковых имс, обеспечивающие формирование в кристалле полупроводника транзисторной структуры.
- •53. Интегральные транзисторы n-p-n и p-n-p. Способ увеличения коэффициента передачи тока h21э транзистора типа p-n-p. Многоколлекторный транзистор.
- •54. Интегральные многоэмиттерые транзисторы. Структура. Схема включения мэт в цифровых устройствах.
- •55. Интегральные транзисторы с инжекционным питанием. Структурная и эквивалентная схемы. Принципа работы.
- •56. Диоды, резисторы и конденсаторы полупроводниковых имс.
- •57.Фоторезисторы
- •58. Фотодиод, устройство, принцип действия, схема включения.
- •59. Фототранзистор, устройство, принцип действия, схема включения, выходные характеристики.
- •60. Полупроводниковые источники излучения. Светоизлучающие диоды. Оптопары.
25. Полупроводниковые диоды. Классификация, основные параметры и система обозначений.
ППД наз. электропреобразовательный электронный прибор с одним выпрямляющим электрическим переходом и имеющий 2 выхода. ППД используются для выпрямления переменного тока, детектирования модулированных колебаний, преобразования СВЧ-колебаний в колебания промежуточной частоты, стабилизации напряжения в цепях постоянного тока. Если в ППД используется ЭДП, то его выводы через омические(невыпрямляющие) контакты к p- и n- областям. В диодах Шотки один вывод подсоединяется к ПП,а второй - к металлической плёнке, нанесённой на поверхность ПП.
В зависимости от области применения ППД подраздел. на следующ. основные группы: выпрямительные, импульсные, универсальные, сверхвысокочастотные, варикапы, туннельные и др.
По типу ЭДП ППД делятся на плоскостные и точечные. Плоскостными наз.диоды, у которых линейные размеры ЭДП значительно больше его толщины. В противном случае диоды наз. точечными.
Ситема обозначений ППД состоит из буквенных и цифровых элементов. Первый элемент обозначения - буква или цифра, определяющая исходный материал ПП: Г или 1-германий, К или 2-кремний, А или 3- соединение галлия. Цифровое обозначение первого элемента используется для диодов спец. применения.
Второй элемент обозначения - буква, определяющая подкласс диода: Д-выпрямительные, импульсные и универсальные; А-диоды СВЧ; С-стабилитроны; В-варикапы; Н-туннельные.
После второго элемента идёт число, характеризующее назначение диода и номер разработки. Обозначение заканчивается буквами русского алф. от А до Я, характеризующими специальные параметры диода.
К общим основным параметрам диодов относятся допустимые температуры ЭДП, допустимая мощность, рассеиваемая диодом, допустимые прямой и обратный токи, прямое и обратное сопротивления диода постоянному и переменному токам.
26. Выпрямительные полупроводниковые диоды. Назначение, основные параметры, классификация. Простейший выпрямитель на полупроводниковом диоде.
Выпрямительными наз. диоды, предназначенные для выпрямления переменного тока.
На рис.3.1,априведена схема простейшего однополупериодного выпрямителя, а нарис.3.1,б-графики,поясняющие его работу.
При UВХ>0 диод включается в прямом
направлении и напряжение на выходе(UВЫХ)
практически=входному: UВЫХ=UВХ-UДО,
где UДО- падение напряжения на
открытом (прямосмещённом) диоде. При
UВХ<0 диод включается в обратном
направлении, его сопротивление
RД.ОБР.>>RН, а всё входное
напряжение практически падает на диоде,
а UВЫХ
0.
Т.о., ППД можно рассматривать как
электронный ключ, управляемый приложенным
к нему напряжением.
На рис.3.1,вприведена схема улучшенного выпрямителя, а нарис.3.1,г-графики,поясняющие его работу.
Основными параметрами выпрямительных диодов являются:
IПР.СР.MAX- максимальное(за период входного напряжения) значение среднего тока;
UОБР.MAX- максимальное допустимое значение постоянного обратного напряжения;
fMAX- максимально допустимая частота входного напряжения;
UПР- прямое падение напряжения на диоде при заданном прямом токе.
Выпрямительные диоды классифицируются
также по мощности и частоте. По мощности:
маломощные (IПР.СР.MAX
0,3А);
средней мощности(0,3А< IПР.СР.MAX
10A);
большой мощности(IПР.СР.MAX>10А).
По частоте: низкочастотные(fMAX<10^3Гц);
высокочастотные(fMAX>10^3Гц).
В качестве выпрямительных применяются
также диоды, выполненные на выпрямляющем
контакте металл-ПП(диоды Шотки). В отличие
от диодов с ЭДП диоды Шотки имеют меньшее
значение UПР(
0,4В)
и способны работать на высоких частотах.
![]()
Рис. 1
Рис.
2
Рис. 3
Рис.
4
