- •1. Электрические заряды. Строение атома. Энергетические уровни и энергетические зоны. Положительные и отрицательные ионы.
- •2. Электрическое поле. Взаимодействие электрических зарядов с электрическим полем. Закон Кулона.
- •3. Электрический потенциал и разность потенциалов.
- •4. Электрическая емкость. Конденсатор. Способы изменения электрической емкости конденсаторов. Параллельное и последовательное соединения конденсаторов.
- •5. Постоянный электрический ток. Условия существования электрического тока. Направление, сила и плотность постоянного электрического тока.
- •6. Электрическое сопротивление. Единицы измерения сопротивления. Зависимость сопротивления от температуры.
- •7. Резисторы. Виды резисторов. Параллельные и последовательные соединения резисторов.
- •8. Закон Ома для участка и полной электрической цепи.
- •9. Законы Кирхгофа.
- •10. Работа и мощность электрического тока.
- •11. Переменный электрический ток и его основные параметры: период, частота, амплитуда, мгновенное и среднее (действующее) значения.
- •12. Основные сведения о полупроводниках. Разрешенные и запрещенные зоны. Валентная зона и зона проводимости.
- •14. Полупроводники с электронной электропроводностью. Энергетическая диаграмма. Формулы для концентраций основных и неосновных носителей. Положение уровня Фермы.
- •15. Полупроводники с дырочной электропроводностью. Энергетическая диаграмма. Формулы для концентраций основных и неосновных носителей. Положение уровня Фермы.
- •16. Неравновесная и избыточная концентрации основных и неосновных носителей зарядов в полупроводнике.
- •17. Диффузионный и дрейфовый токи в полупроводнике. Причины, вызывающие их появление. Формулы для плотностей токов.
- •19. Прямое включение эдп. Явление инжекции неосновных носителей. Влияние прямого напряжения на контактную разность потенциалов и ширину запирающего слоя. Энергетическая диаграмма.
- •20. Обратное включение эдп. Обратный ток. Включение обратного напряжения на ширину запирающего слоя. Энергетическая диаграмма.
- •21. Вольтамперная характеристика эдп (вах). Уравнение теоретической вах и ее график.
- •22. Емкость эдп. Зарядная и диффузионная емкости, их физическая интерпретация. Графическая зависимость зарядной емкости от обратного напряжения.
- •23. Эквивалентные схемы эдп при прямом и обратном включениях.
- •24. Разновидности электрических переходов. Электрический переход между полупроводником и металлом (переход или барьер Шотки). Выпрямляющие и невыпрямляющие электрические переходы.
- •25. Полупроводниковые диоды. Классификация, основные параметры и система обозначений.
- •26. Выпрямительные полупроводниковые диоды. Назначение, основные параметры, классификация. Простейший выпрямитель на полупроводниковом диоде.
- •27. Полупроводниковые стабилитроны. Назначение, вах и основные параметры. Схема простейшего стабилизатора напряжения на стабилитроне и принцип его работы.
- •28. Варикапы. Назначение вольт-фарадная характеристика. Схема включения варикапа в колебательный контур для изменения его резонансной частоты.
- •29. Туннельные диоды. Энергетическая диаграмма при прямом и обратном включениях. Вах. Пояснить появление на вах участка с отрицательным сопротивлением.
- •30. Общие сведения о биполярных транзисторах (бт). Структурные схемы бт типов р-n-р и n-р-n. Условные графические обозначения.
- •34. Статические гибридные характеристики бт, включенного по схеме оэ. Функциональные зависимости. Схема для их экспериментального снятия. График семейств входных и выходных характеристик.
- •35. Малосигнальные h-параметры бт, включенного по схеме оэ. Формулы и методика определения по статическим гибридным характеристикам.
- •39. Параметры режима усиления. Формулы, методика определения по статическим гибридным характеристикам в схеме оэ,oб
- •40. Факторы, ограничивающие полезную выходную мощность бт. Определение рабочей области на выходных статических гибридных характеристиках.
- •41. Особенности работы бт в ключевом режиме. Схема, графики напряжений и токов.
- •42. Схема ключа с транзистором Шотки. Пояснить причину уменьшения времени рассасывания в таком ключе.
- •43. Устройство, принцип действия, статические характеристики и параметры мдп-транзисторов с индуцированным каналом п- и р- типов.
- •45. Устройство, принципы действия статические характеристики и параметры мдп-транзистора с управляющим р-п-переходом.
- •46. Устройство, принцип действия, статические характеристики и параметры меп-транзисторов.
- •47. Дифференциальные параметры полевых транзисторов и методика их определения по статическим характеристикам.
- •48. Работа пт в режиме усиления. Схема простейшего усилителя. Параметры режима усиления и методика их определения по характеристикам.
- •49. Инвертoр на мдп-транзисторах с индуцированным каналом. Схема, графики входного и выходного напряжения. Уровни выходного напряжения u0 и u1.
- •52. Этапы изготовления полупроводниковых имс, обеспечивающие формирование в кристалле полупроводника транзисторной структуры.
- •53. Интегральные транзисторы n-p-n и p-n-p. Способ увеличения коэффициента передачи тока h21э транзистора типа p-n-p. Многоколлекторный транзистор.
- •54. Интегральные многоэмиттерые транзисторы. Структура. Схема включения мэт в цифровых устройствах.
- •55. Интегральные транзисторы с инжекционным питанием. Структурная и эквивалентная схемы. Принципа работы.
- •56. Диоды, резисторы и конденсаторы полупроводниковых имс.
- •57.Фоторезисторы
- •58. Фотодиод, устройство, принцип действия, схема включения.
- •59. Фототранзистор, устройство, принцип действия, схема включения, выходные характеристики.
- •60. Полупроводниковые источники излучения. Светоизлучающие диоды. Оптопары.
5. Постоянный электрический ток. Условия существования электрического тока. Направление, сила и плотность постоянного электрического тока.
При отсутствии электрического поля в проводнике находящиеся в нем свободные электроны совершают хаотическое (беспорядочное) движение. Если же в проводнике создать электрическое поле, то движение электронов принимает направленный характер, т.е. они начинают двигаться в направлении, противоположном вектору напряженности электрического поля. Через проводник потечет электрический ток. Для протекания тока длительное время в проводнике должно постоянно поддерживаться электрическое поле. Электрическое поле, обеспечивающие силы, заставляющее электроны (или другие виды заряженных частиц) двигаться в заданном направлении, создается внешними источниками энергии. Силу, вызывающую или способную вызывать движение электрических зарядов, приводящее к появлению электрического тока, называют электродвижущей силой или сокращенно э.д.с. и обычно обозначают буквой Е.
Исторически сложилось так, что за направление тока принимают направление, по которому двигались бы положительные заряды, т.е. от + источника э.д.с к -. В действительности электроны движутся от - к +. (рис 1)
Электрическое поле в проводнике распространяется со скоростью света в вакууме (300000 км/с) С такой же скоростью в проводнике течет электрический ток.
За единицу силы тока принят 1 Ампер. При этом через сечение проводника за 1 секунду проходит заряд равный 1 кулону, т.е.
1 ампер = 1 кулон/1 секунду
Отношение силы тока к площади сечения проводника называется плотностью тока. Практически за плотность тока принимают ток, проходящий через 1мм^2 сечения проводника.
Силу тока принято обозначать буквой I, а плотность буквой J ( или i и j).
Ток, не изменяющийся во времени ни по силе ни по направлению называют постоянным током.
Рис. 1

6. Электрическое сопротивление. Единицы измерения сопротивления. Зависимость сопротивления от температуры.
Электроны, двигаясь в проводнике под действием электрического поля, испытывают сопротивление своему движению из-за столкновения с неподвижными атомами и молекулами проводника. Это сопротивление различно для различных проводников и зависит от материала проводника, его длины и поперечного сечения.
За единицу сопротивления принято сопротивление ртутного столбика сечением 1 мм^2, высотой 106,3 см. Эта единица называется Ом.
Производными единицами сопротивления являются:
1 килоом (кОм) = 1000 Ом
1 мегаом (Мом) = 10^6 Ом
1 гигаом (ГОм) = 10^9 Ом
Основной электрической характеристикой проводника является его удельное сопротивление - сопротивление проводника длиной 1 метр и сечением 1 мм^2. Зная удельное сопротивление, можно определить сопротивление любого проводника различной длины и различного сечения по формуле:
R=
l/S
Ом (1.5)
где: R - сопротивление проводника;
-
удельное сопротивление этого проводника;
l и S - соответственно длина и площадь
поперечного сечения проводника.
Удельное сопротивление проводников
является справочным материалом и
приводится в таблицах, в которых значение
-
Ом*мм^2/м; l - в метрах; S -в мм^2. При этом
значение R - в омах.
ПРИМЕР: Определить сопротивление стального и медного проводников длиной 1 кми диаметром 3,5 мм
Решение
По таблице находим: для стали
ст=0,1
Ом*мм^2/м
для меди
ст=0,017
Ом*мм^2/м
Площадь сечения проводников S=
D^2
/4=3,14*(3,5)^2/4
10
мм^2
Rст=0,1*1000/10=10 Ом; Rст=0,017*1000/10=1,7 Ом
Наилучшими проводниками электрического
тока (т.е. обладающими наименьшим удельным
сопротивлением) являются медь (
=0,017
Ом*мм^2/м) и серебро (
=0,016
Ом*мм^2/м). Это является причиной применения
в электрических цепях медных проводников
(серебро значительно дороже меди).
Сопротивление проводников изменяется при изменении температуры. Температурная зависимость проводников определяется формулой:
Rt=R0(1+
t),
где R0- сопротивление проводника
при t=0 C ; t - текущее значение температуры;
-
температурный коэффициент, являющийся
также справочной величиной. Для меди
=0,0040.
