- •4 Оглавление
- •Глава1.Температурныеполявтермическихсенсорах........................ 17
- •Глава2.Термочувствительныеэлементы 105
- •Глава3.Примерыпрактическойреализациитермическихсенсоров
- •Глава4.Взаимодействиеизлученияствердымтелом 183
- •Глава5.Фотоэлектрическиеприемникиизлучения.Определения
- •Глава6.Равновесныеинеравновесныеносители заряда 271
- •Глава7.Физическиеосновыработыфотонныхприемниковизлу-
- •Глава8.Основныенаправленияразвитиятехникирегистрацииоптическогоизлучения 411
- •Теплотаитемпература
- •Способы теплопередачи:теплопроводность
- •Уравнениетеплопроводности
- •Теплопроводностьгазов
- •Теплопроводностьитеплоемкостьтвердыхтел
- •Теплопроводностьжидкостей
- •1.3.Радиационныйспособтеплопередачи
- •Основныепонятияизаконы
- •Радиационныйтеплообменмеждутвердымителами,
- •Теплообменмеждудвумятелами,одноизкоторыхнаходится
- •Конвективныйтеплообмен
- •Основныеособенностиконвективноготеплообмена
- •Основныеуравненияконвективноготеплообмена
- •Критериитеорииподобия
- •Вынужденнаяконвекциядляплоскойповерхности
- •Теплообменвусловияхестественнойконвекции
- •Естественнаяконвекция
- •Примеррасчетаконвективноготеплообмена
- •Cтационарныетемпературныеполявэлементахтермическихсенсоровиактюаторов
- •Распределениетемпературы
- •Передачатеплачерезстенку
- •Электростатическаяаналогияуравнениятеплопроводности
- •Тепловоесопротивлениесоставнойтеплопроводящейпла-стины.
- •Параллельное соединение двух разнородных тепловых
- •Температурноеполевинтегральнойконсольнойбалочке
- •Стационарноетемпературноеполевкруглойдиафрагме
- •Однородныйнагрев
- •Точечныйисточниктепла
- •Температурнаядинамикаэлементовтермическихсенсоров
- •Решениенаосновеэлектростатическойаналогии
- •Аналитическоерешениедлятеплообмена
- •2.1.ТермочувствительныеэлементынаосновеэффектАтермоЭдс
- •Физическиепроцессывтермопарах
- •ОбъемныесоставляющиетермоЭдс
- •КонтактнаясоставляющаятермоЭдс
- •2.1.2.Эффекттермоэдсвметаллахиполупроводниках
- •Термоэлектрическиеэффектыпельтьеитомсона
- •Терморезисторы
- •Металлическиетерморезисторы
- •Кремниевыетерморезисторы
- •Транзисторы
- •Термисторы
- •Термическийвакуумметр
- •Термическиесенсорыпотокагаза
- •Термоанемометры
- •Термоанемометрыснагревателемизполикристаллическогокремния
- •Термическийсенсор,чувствительныйкнаправлениюпотока
- •VXSxuxSxucos;
- •Термическийконверторсреднеквадратичногозначениянапряжения
- •Биморфныйтермомеханическийактюатор
- •Взаимодействиеизлучениясполупроводниками
- •Уравнениямаксвелла
- •Отражениеэлектромагнитногоизлученияотграницыразделадвухсред
- •Зависимостьоптическихконстантотчастоты
- •Интерференция.Просветляющиепокрытия
- •Поглощениевполупроводниках
- •Механизмыпоглощениясветавполупроводниках
- •Собственноепоглощение.Прямыепереходы
- •СобственноепоглощениеНепрямыепереходы
- •Экситонноепоглощение
- •Примесноепоглощение
- •Внутризонноепоглощение
- •Поглощениесвободныминосителямизаряда
- •Решеточноепоглощение
- •Приемникиизлучения
- •Поотношениюксопротивлениюнагрузки:
- •Методыизмеренияпараметровфотоэлектрическихполупроводниковыхприемников
- •0,1Fрезfэкв0,2fрез,
- •Энергетическиехарактеристикиизлучения
- •IbAcos.
- •IBdAcos,
- •Мощностьиспектральныйсоставизлученияабсолютночерныхтел
- •Энергетическийисветовойпотокиизлучения
- •Цветовоезрение
- •Xyz(условныеобозначениясм.Нарис.5.18):
- •Приемцветногоизображенияприпомощиприемников
- •650Нмсераялиния
- •Равновесныеинеравновесныеносителизаряда
- •Равновесныеносителизарядавполупроводниках
- •Неравновесныеносителизарядаквазиуровеньферми
- •Рекомбинацияносителейзарядавремяжизни
- •1Nстt
- •Механизмырекомбинации
- •Излучательнаярекомбинация
- •Imax 2g
- •Межзоннаяоже-рекомбинация
- •Рекомбинациячерезлокальныецентры
- •Поверхностнаярекомбинация
- •Распределениенеравновесныхносителейзаряда
- •Уравнениянепрерывностидляэлектроновидырок
- •Диффузионноеуравнение
- •Лавинныефотодиоды
- •Фотосопротивления
- •Фотоприемникинаосновеструктурметалл–диэлектрик–полупроводник
- •Приповерхностныеобластипространственногозаряда
- •10 Blip 10
- •Целипримененияоптическихсистемиихстроение
- •Болометрическиематрицы
- •Принципдействияихарактеристикитепловыхприемниковизлучения
- •Параметрытпи
- •Болометры
- •Линейчатыеиматричные
- •Составипринципработыизмерительногостенда
- •–Осьлинейкифотоприемников(лфп)иЛфпу;
- •Характеристикилинейчатыхфотоприемныхустройств
- •Тепловизионныематрицы
- •Линейчатыеиматричныепзи-приемникиизображениянаосновеInAs
- •Преобразованиесветовогопотокавцифровуюинформацию
- •Оцифровываниесигнала
- •Приборы,отображающиеоптическуюинформацию
- •ВикторАлексеевичГридчин,ИгорьГеоргиевичНеизвестный,ВладимирНиколаевичШумский физикамикросистем
- •Часть2Учебноепособие
- •630092,Г.Новосибирск,пр.К.Маркса,20
Физическиепроцессывтермопарах
Внастоящеевремявтермическихсенсорахприменяютсятермопа-ры,укоторыхобеветвимогутбытьметаллическими,полупроводни-ковымилибопредставлятьихкомбинацию,как,например,втермопа-рахкремний–алюминий.Выбортогоилииноготипатермопарыопределяетсяпреждевсегометрологическимитребованиямиксенсоруиусловиямиизмерений.
ДляколичественногоописанияэффектатермоЭДСприменяется
несколькохарактеристик,которыездеськраткоприведем.
НапряженностьвозникающеготермоэлектрическогополяET
про-
порциональнаградиентутемпературыT
ввеществе:
ETT, (2.1.2)
где–коэффициентабсолютнойдифференциальнойтермоЭДС.Этоткоэффициентзависитоттемпературы,поэтомувводятещеиабсолют-нуюинтегральнуютермоЭДС,определяемуюсоотношением:
T
vTudu. (2.1.3)
0
ГрадиентvT
равеннапряженноститермоэлектрическогополяET,
чтопрямоследуетиз(2.1.2)и(2.1.3):
dv
vT
TTTTET.
dT
Такимобразом,vT
vT(x).
равенпотенциалуточкисознакомминус,
Посколькутермоэлектрическоеполеможновыразитьчерезгради-ентvT,тоциркуляциянапряженностиETполюбомузамкнутомукон-туруэлектрическойцепи,образованнойоднимитемжевеществом,должнабытьравнойнулю:
E=-тETdl=-тСvTdl=-
тdvT=0.
Этоозначает,чтовтакойзамкнутойцепинесмотрянаналичие
градиентатемпературытокилиЭДСневозникает.Однакоеслицепь
образованаиздвухилиболееразличныхвеществ,тоциркуляцияET
можетбытьотличнаотнуляи,следовательно,взамкнутойцепиможеттечьток.
Вэтомслучае(рис.2.1,б)термоЭДСравна:
B A
E12=-тETdl=-т(ETdl)1-
т(ETdl)2=
A B
B B
=-т1(СTdl)1+т2(СTdl)2=
A A
T(B)
= т(2-
T(A)
B
1)dT=т12dT№0.
A
(2.1.4)
Впоследнеминтегралевведенаотносительнаядифференциальная
термоЭДС
12
термопары,определяемаячерезразностьабсолютных
дифференциальныхтермоЭДСматериалов,еесоставляющих:
1221. (2.1.5)
Соотношение(2.1.5)даетобоснованиезаконупоследовательностиметаллов.
ИспользуявыражениедляинтегральнойабсолютнойтермоЭДС(2.1.3),выходнойсигналтермопары,регистрируемыйвольтметром(рис.2.1,б),можнопредставитьвформе:
vvT1TA
vT1TB
vT2TA
vT2TB ,
гдеиндексами1и2обозначеныветвитермопары.
ЭффекттермоЭДСвозникаетиз-задействиянесколькихфизиче-скихмеханизмов,ролькоторыхвполупроводникахиметаллахможетбытьвесьмаразличной.ЭДСлюбойтермопарыимеетобъемнуюиконтактнуюсоставляющие.
ОбъемныесоставляющиетермоЭдс
Терминобъемныесоставляющиеподчеркиваеттотфакт,чтоэтиявлениянаблюдаютсявобъемелюбойизолированнойполоскиметаллаилиполупроводника,гдесозданградиенттемпературы.Присоедине-ниеккраямтакойполоскипроводниковиздругогоматериала(т.е.соз-даниетермопары)позволяетэкспериментальнорегистрироватьвоз-никшиеобъемныеэффекты,добавляяктомуещеиконтактныйэффект,которыйрассмотримвпункте2.1.1.2.
ОднаобъемнаясоставляющаятермоЭДСсвязанастем,чтоугоря-чегокраяполупроводниковойполоскиконцентрацияносителейтокаоказываетсявыше,чемухолодного.Обычноэтообъясняетсяболеевысокойстепеньюионизациимелкихпримесныхуровнейугорячегокраяполоски.Вузкозонныхполупроводниках,например,вантимони-деиндияInSb,определенныйвкладввозрастаниеконцентрациимо-жетдаватьтермическаягенерациясобственныхносителейтокаиз-запереходаэлектроновизвалентнойзонывзонупроводимости.
Возникшийградиентконцентрацииприводиткпоявлениюдиффу-зионноготока,которыйдляэлектроновможнопредставитьвформе:
IeDnT, (2.1.6)
xx
гдеD–коэффициентдиффузииэлектронов.
Длядыроквформуле(2.1.6)появитсязнакминус.
Носителизарядадвижутсяотгорячегокраякхолодному,приводякнакоплениюзарядовнакраяхполоскиивозникновениювнутрима-
териалаполоскитермоэлектрическогополя.
ДругаяобъемнаясоставляющаятермоЭДСсвязанастем,чтонагорячемучасткерассматриваемойполоскиэнергияносителейзаряда,участвующихвтермоЭДС,оказываетсявыше,чемухолодного.Эторазличиевэнергияхтакжеприводиткдиффузииносителейзаряда,связаннойсвыравниваниемсреднейэнергиинаодинэлектронилидырку.Количественнорольобеихобъемныхсоставляющихможноописатьврамкахмоделиидеальногоэлектронногогаза.ВрамкахэтоймоделиэлектронныйгазсоздаетвединичномобъемедавлениеpnkT.Приналичииградиентатемпературывозникаетиперепад
давления.Дляобеспеченияравновесиядолжновозникнутьтермоэлек-трическоеполе,действующеенавсеэлектроныссилой,котораяурав-новешиваетэтотперепаддавления:
EenppT. (2.1.7)
x Tx
Выражение
EdxvT
дляизолированнойполоскиимеет
dT T
смыслабсолютногообъемногокоэффициентатермоЭДС.Из(2.1.7)
следует:
k1Tlnn.
e T
Болеестрогаятеория,основаннаянарешениикинетическогоурав-ненияБольцмана,даетвместоформулы(2.1.7)несколькоиноевыра-жение[2.2]:
ks1Tlnn, (2.1.8)
e 2
T
гдеs–показательмеханизмарассеянияввыражениидлявременире-
лаксации
0Es.Последнееслагаемоевкруглыхскобкахформулы
(2.1.8)описываетвкладвтермоЭДСтемпературнойзависимостикон-центрацииэлектронов.Вполупроводниках(вусловияхистощенияпримеси)ивметаллахконцентрацияносителейзаряданезависитоттемпературыиэтослагаемоеравнонулю.
ТретьясоставляющаятермоЭДСвозникаетвследствиеувеличения
электронов(дырок)фононами(квантамиколебанийкристаллической
решетки).Приналичииввеществеградиентатемпературывозникает
направленноедвижениефононовотгорячегокраякхолодному.Вре-зультатестолкновенийфононовсносителямизарядафононыувлека-ютихзасобой,чтоприводиткдополнительномувозрастаниюкоэф-фициентатермоЭДС.Теоретическийанализ[2.2]показывает,чтокоэффициенттермоЭДС,связанныйсувлечениемэлектронов(илиды-рок)фононами,можнопредставитьвформе
k, (2.1.9)
e
1mv21
где
ФФ.ЗдесьvФ
скоростьзвука;
Ф–времярелакса-
3 k Te
циифононов,участвующихвэлектрон-фононномвзаимодействии;
e–времярелаксацииэлектронов.
Какследуетизформулы(2.1.9),коэффициенттермоЭДСбудеттем
больше,чембольше
Ф,инымисловами,фононыдолжнымалорас-
сеиватьсяввеществе.Этоусловиехорошореализуетсяпринизких
температурах,
T100К,прикоторыхсовременныесенсорысравни-
тельномалоиспользуются.
