- •4 Оглавление
- •Глава1.Температурныеполявтермическихсенсорах........................ 17
- •Глава2.Термочувствительныеэлементы 105
- •Глава3.Примерыпрактическойреализациитермическихсенсоров
- •Глава4.Взаимодействиеизлученияствердымтелом 183
- •Глава5.Фотоэлектрическиеприемникиизлучения.Определения
- •Глава6.Равновесныеинеравновесныеносители заряда 271
- •Глава7.Физическиеосновыработыфотонныхприемниковизлу-
- •Глава8.Основныенаправленияразвитиятехникирегистрацииоптическогоизлучения 411
- •Теплотаитемпература
- •Способы теплопередачи:теплопроводность
- •Уравнениетеплопроводности
- •Теплопроводностьгазов
- •Теплопроводностьитеплоемкостьтвердыхтел
- •Теплопроводностьжидкостей
- •1.3.Радиационныйспособтеплопередачи
- •Основныепонятияизаконы
- •Радиационныйтеплообменмеждутвердымителами,
- •Теплообменмеждудвумятелами,одноизкоторыхнаходится
- •Конвективныйтеплообмен
- •Основныеособенностиконвективноготеплообмена
- •Основныеуравненияконвективноготеплообмена
- •Критериитеорииподобия
- •Вынужденнаяконвекциядляплоскойповерхности
- •Теплообменвусловияхестественнойконвекции
- •Естественнаяконвекция
- •Примеррасчетаконвективноготеплообмена
- •Cтационарныетемпературныеполявэлементахтермическихсенсоровиактюаторов
- •Распределениетемпературы
- •Передачатеплачерезстенку
- •Электростатическаяаналогияуравнениятеплопроводности
- •Тепловоесопротивлениесоставнойтеплопроводящейпла-стины.
- •Параллельное соединение двух разнородных тепловых
- •Температурноеполевинтегральнойконсольнойбалочке
- •Стационарноетемпературноеполевкруглойдиафрагме
- •Однородныйнагрев
- •Точечныйисточниктепла
- •Температурнаядинамикаэлементовтермическихсенсоров
- •Решениенаосновеэлектростатическойаналогии
- •Аналитическоерешениедлятеплообмена
- •2.1.ТермочувствительныеэлементынаосновеэффектАтермоЭдс
- •Физическиепроцессывтермопарах
- •ОбъемныесоставляющиетермоЭдс
- •КонтактнаясоставляющаятермоЭдс
- •2.1.2.Эффекттермоэдсвметаллахиполупроводниках
- •Термоэлектрическиеэффектыпельтьеитомсона
- •Терморезисторы
- •Металлическиетерморезисторы
- •Кремниевыетерморезисторы
- •Транзисторы
- •Термисторы
- •Термическийвакуумметр
- •Термическиесенсорыпотокагаза
- •Термоанемометры
- •Термоанемометрыснагревателемизполикристаллическогокремния
- •Термическийсенсор,чувствительныйкнаправлениюпотока
- •VXSxuxSxucos;
- •Термическийконверторсреднеквадратичногозначениянапряжения
- •Биморфныйтермомеханическийактюатор
- •Взаимодействиеизлучениясполупроводниками
- •Уравнениямаксвелла
- •Отражениеэлектромагнитногоизлученияотграницыразделадвухсред
- •Зависимостьоптическихконстантотчастоты
- •Интерференция.Просветляющиепокрытия
- •Поглощениевполупроводниках
- •Механизмыпоглощениясветавполупроводниках
- •Собственноепоглощение.Прямыепереходы
- •СобственноепоглощениеНепрямыепереходы
- •Экситонноепоглощение
- •Примесноепоглощение
- •Внутризонноепоглощение
- •Поглощениесвободныминосителямизаряда
- •Решеточноепоглощение
- •Приемникиизлучения
- •Поотношениюксопротивлениюнагрузки:
- •Методыизмеренияпараметровфотоэлектрическихполупроводниковыхприемников
- •0,1Fрезfэкв0,2fрез,
- •Энергетическиехарактеристикиизлучения
- •IbAcos.
- •IBdAcos,
- •Мощностьиспектральныйсоставизлученияабсолютночерныхтел
- •Энергетическийисветовойпотокиизлучения
- •Цветовоезрение
- •Xyz(условныеобозначениясм.Нарис.5.18):
- •Приемцветногоизображенияприпомощиприемников
- •650Нмсераялиния
- •Равновесныеинеравновесныеносителизаряда
- •Равновесныеносителизарядавполупроводниках
- •Неравновесныеносителизарядаквазиуровеньферми
- •Рекомбинацияносителейзарядавремяжизни
- •1Nстt
- •Механизмырекомбинации
- •Излучательнаярекомбинация
- •Imax 2g
- •Межзоннаяоже-рекомбинация
- •Рекомбинациячерезлокальныецентры
- •Поверхностнаярекомбинация
- •Распределениенеравновесныхносителейзаряда
- •Уравнениянепрерывностидляэлектроновидырок
- •Диффузионноеуравнение
- •Лавинныефотодиоды
- •Фотосопротивления
- •Фотоприемникинаосновеструктурметалл–диэлектрик–полупроводник
- •Приповерхностныеобластипространственногозаряда
- •10 Blip 10
- •Целипримененияоптическихсистемиихстроение
- •Болометрическиематрицы
- •Принципдействияихарактеристикитепловыхприемниковизлучения
- •Параметрытпи
- •Болометры
- •Линейчатыеиматричные
- •Составипринципработыизмерительногостенда
- •–Осьлинейкифотоприемников(лфп)иЛфпу;
- •Характеристикилинейчатыхфотоприемныхустройств
- •Тепловизионныематрицы
- •Линейчатыеиматричныепзи-приемникиизображениянаосновеInAs
- •Преобразованиесветовогопотокавцифровуюинформацию
- •Оцифровываниесигнала
- •Приборы,отображающиеоптическуюинформацию
- •ВикторАлексеевичГридчин,ИгорьГеоргиевичНеизвестный,ВладимирНиколаевичШумский физикамикросистем
- •Часть2Учебноепособие
- •630092,Г.Новосибирск,пр.К.Маркса,20
VXSxuxSxucos;
vySyuySyusin,
(3.2.9)
гдеSxиSy
–коэффициенты,характеризующиепреобразование
uT,т.е.vxSxTx,vySyTy.
Изсоотношений(3.3.9)поизмененнымvx
uи.
иvy
определяются
Нарис.3.9представленапреобразовательнаяхарактеристикасен-сорапотока,когдагаздвижетсявнаправленииосиx.Термобатареи,расположенныеперпендикулярнонаправлениюпотока,имеютвыход-нойсигнал,практическиравныйнулю.Данныйтипсенсорапозволяетопределитьнаправлениепотока,из-зачегопреобразовательнаяхарак-теристикаимеетнечетнуюсимметрию.
Выходнойсигналтермопары,мВ
30
20
1
10
0
–10 2
–20
–30
–400 –200 0 200 400
Поток,см3/мин
Рис.3.9.Преобразовательныехарактеристи-кисенсорапотокадлятермопар,ориентиро-ванныхпараллельнопотокугаза(1)ипер-пендикулярноему(2)
Сенсорыпотокагазачувствительныкособенностямдвиженияпо-токавканале.Экспериментальныехарактеристикинарис.3.9даныприменительнокдвижениюгазавузкомканалесусложненнойгео-метрией.Помнениюавторов[3.7],сложнаягеометрияканалаобусло-вилапоявлениелинейныхучастковхарактеристикивместопредсказы-
ваемойтеориейзависимостивидаv
uдлянеограниченногопоz
потока.Падениевыходногосигналаприбольшихскоростяхдвижениягазасвязываетсяспереходомктурбулентномухарактерутечениягаза.
Нарис.3.10показаназависимостьвыходногосигналаx-термопаротнаправленияпотокагаза.Онаполностьюсоответствуетпервомууравнениюизсистемы(3.2.9).Дляразработаннойконструкциисенсора
удалосьполучитьразрешениепоуглуоколо1,чтосчитаетсяхоро-шимрезультатом.
Выходнойсигналтермопары,мВ
8
4
0
–4
–8
0 90 180 270 360
Направлениепотока,град
Рис.3.10.Преобразовательнаяхарактери-стикасенсорапотокаотносительнонаправ-лениядвижениягаза
Наличиетонкоймембраныусенсорапозволяетизмерятьскоростьгаза,движущегосянетольконадпланарнойповерхностью,гдераспо-ложенытермопары,ноисобратнойпрофилированнойстороны.Еслипотокгазапроходитнадобратнойсторонойчипа,тоулучшаетсязащи-татермопарсенсораотзагрязненийгазовойсреды.Однакоиз-заслож-ногорельефаобдуваемойповерхностичувствительностьсенсораока-зываетсязначительнониже,апереходвтурбулентныйрежимнаблюдаетсяприменьшихскоростяхдвижениягаза.
Термическийконверторсреднеквадратичногозначениянапряжения
Врадиотехническихиэлектротехническихизмеренияхчастопри-ходитсяиметьделоспериодическимисигналами,зависимостьампли-тудыотвременикоторыхимеетсамыйразнообразныйвид.Дляколи-
чественногоописаниятакихсигналоввводитсяпонятиесреднеквадра-тичногозначениясигнала.Смыслсреднеквадратичногозначениясо-стоитвсопоставлениипериодическомусигналупроизвольнойформыэнергетическиэквивалентногопомощностипостоянногосигнала.На-пример,длянапряженияимеем:
v2 11T
v2tdt, (3.3.1)
0
R RTп
гдеv–среднеквадратичноенапряжение;
vп(t)–напряжениеперио-
дическогосигнала,зависящееотвремени;T–периодсигнала;R–активноесопротивление.
Вправойилевойчастях(3.3.1)стоитмощность,выделяющаясянаактивномсопротивленииприпротеканиипеременноготока(праваячасть(3.3.1))илипостоянноготока(леваячасть).
Длясигналасинусоидальнойформы(3.3.1)принимаетособеннопростойвид:
2
vпv0sint
соотношение
v2v0, или
2
vv0
2
. (3.3.2)
Напряжениеv,определенноесоотношением(3.3.2),называетсядействующим(илиэффективным)значениемсинусоидальногозначе-ния[3.8].
Длянесинусоидальныхсигналовсвязьмеждусреднеквадратичнымзначениемипараметрамисоответствующегопериодическогосигналастановитсяболеесложной,чемв(3.3.2).Крометого,формапериоди-ческогосигналазаранеедалеконевсегдаизвестна,поэтомузадачаэкспериментальногоопределениясреднеквадратичногозначениясиг-наладостаточноважнавпрактическомотношении.
Технологиямикросистемнойтехникипозволяетсоздаватьустрой-
ства,спомощьюкоторыхэтазадачауспешнорешается.Общаяидеяпостроениятакихустройствсприменениемтермическогопринципапреобразованиясостоитвследующем.Выделяющаясяэлектрическаямощностьв(3.3.1)приводиткразогревунекотороймассывеществаиповышениюеетемпературы,которуюможноизменитьспомощьютермочувствительныхэлементов,рассмотренныхвглаве2.Равенствомощностейвправойилевойчастях(3.3.1)соответствуетравенствутемпературрассматриваемоймассы,чтохорошорегистрируется.
Данныйтипустройств,строгоговоря,неотноситсякчислутерми-ческихсенсоров,посколькувходнаявеличинадлянего–электриче-скийсигнал,которыйзатемпреобразуетсявтермическийидалее–сновавэлектрическийсигнал.Поэтомудлятакоготипаустройствприменяетсятерминконвертор(илипреобразователь).
ПримертакогоконвертораописанвстатьеD.Jaeggicсоавторами[3.9].Структураконверторапредставленанарис.3.11.Вегосоставвходиткремниеваяподложка,вкоторойсформированоуглубление,тонкаябалочкаиздиоксидакремнияSiO2,прикрепленнаякпод-
ложкесвоимикраямиисвободновисящаянадуглублениемвосталь-
нойсвоейчасти.НабалочкерасположеннагревающийрезисторRниз
поликристаллическогокремнияибатареятермопарполикремний–
алюминийдляизмеренияразноститемпературT
междунагретойоб-
ластьюбалочкивозлерезистораихолоднойчастьювблизиместзакреп-
ления.ПерепадтемпературT
зависитотвходноймощности,выде-
ляющейсянанагревателеRн,итепловойпроводимостибалочкиG.
4
Выходнойсигнал5 6
3
2
1 Входнойсигнал
а б
Рис.3.11.Структураконвертора:
1–окнадляформированияуглубленийвкремниевойподложке;2–на-гревающийрезистор;3–балочкаиздвуокисикремния;4–выводытер-мобатареи;5–термобатарея;6–углублениевподложке;а–видвплане;б–изометрическаяпроекция
ЕслинарезисторRн
подаватьпеременныйсигналvп,товыходной
сигналбатареиоказываетсяравен
T
vтп
NTNG1
11v2(t)dt, (3.3.3)
п
RнT0
гдеN–числотермопарвбатарее;–коэффициенттермоЭДС.Для
термопарыполикремний–алюминийниенагревателя.
~50мкВ/К;
Rн–сопротивле-
ЕслиженарезисторRн
подаватьпостоянноенапряжениеv,топо
(3.3.3)навыходебатареитермопарвозникаетвыходнойсигнал:
2
1vvтпNG
Rн
. (3.3.4)
Приравенстве(3.3.3)и(3.3.4)устанавливаетсяоднозначноесоот-ветствиемеждуvписреднеквадратичнымнапряжениемv.
Деталирасчетатермическойпроводимости(сопротивления)балоч-
киранеерассматривалисьвпараграфе1.7.Малыеразмерыбалочки(толщинаоколо0,6мкм)инизкаятеплопроводностьдиоксидакремнияприводятквысокимзначениямтермическогосопротивленияикза-
метнымперегревамдажепрималойвходноймощности
Pv2R.
п н
Чувствительностьконвертора,определяемаякакотношениенапряже-
ниятермопарнойбатареиквходноймощности,
Svт
P,составляет
9,9В/Вт,постояннаявремени–
1,85103c,отношениесиг-
нал/шум–
8109,нелинейность–меньше0,1%причастотахдо
400МГцинеболее1%причастотахдо1,2ГГц[3.9].
Особенностьтехнологическогопроцессаизготовлениярассмот-
ренногоконвертора–формированиеуглубленияпослетого какпостандартнойКМОП-технологиибылиизготовленытермопарыирези-стор,иприэтомнеприменялисьспециальныезащитныемаски.ДляпрофилированияприменялсяанизотропныйтравительEDP(см.часть1учебногопособия,подпараграф1.3.2).
ДругойвариантконверторабылреализованвработеE.Klaassenссотрудниками[3.10](рис.3.12).Вконверторепримененыдватермиче-скиизолированныхостровкамонокристаллическогокремния,поддер-
живаемыхбалочкамииздвуокисикремния.Формированиеуглубленияподостровкамиибалочкамипроизводилосьанизотропнымтравлениемвводномрастворегидроксидатетраметиламмониясэлектрохимиче-скойостановкойпроцессатравления.Каждыйизтермическиизолиро-ванныхостровков(тепловоесопротивлениеоколо37000К/Вт)со-держалнагревающийрезисториизмерительтемпературынаосновепрямосмещенногодиода.
3 4
Vdd
Входное
напряжение 2
+
1 – +
Выходноенапряжение
5
Рис.3.12.Структураиблок-схемаконвертора:
1и2–островки;3и4–терморезисторы;5–усилитель
Входнойсигналvп
приводиткповышениютемпературыпервого
островка(рис.3.12),чторегистрируетсядиодом.Повышениетемпера-
турывызываетизменениепотенциалаусилителя:
v()
2
навходепредварительного
v()vd
1Rт1vвх, (3.3.5)
Rн1
где
1–температурныйкоэффициентдиода,В/К;
Rн1–сопротивле-
ниенагревательногорезисторапервогоостровка;
Rт1–термическое
сопротивление первого островка;
T
vd– напряжение питания;
v
п
вх
21
T0
v2(t)dt.
Изменениепотенциала(3.3.5)благодаряналичиюотрицательнойобратнойсвязиприводиткпоявлениюпостоянноготокачерезнагре-вающийрезистор,расположенныйнавторомостровке,иповышениютемпературыпоследнего.Потенциалнавторомвходепредварительно-гоусилителятожеизменитсяистанетравным
v()vd
R
– v
2Rт22вых
н2
, (3.3.6)
гдеиндексом2обозначенывсевеличины,относящиесяковторомуостровку,vвых–выходнойсигналусилителя.
Процессизменениятокаитемпературынавторомостровкепро-
должаетсядотехпор,поканенаступитравенствослучае
v()v().Вэтом
1Rт1v2
2Rт2v2 ,
Rн1
вх вых
н2
R
откудаследуетвыражениедлясреднеквадратичногозначенияизме-ряемогосигнала:
v 1Rн2Rт1
v2. (3.3.6)
R R
вых вх2 н1 т2
Разработаннаятехнологияизготовленияконвертораполностьюсо-вместимасостандартнойКМОП-технологиейизготовленияинте-гральныхсхем,чтопозволитразмещатьусилителиинеобходимыеэлектронныецепинаодномкристалле.
