- •4 Оглавление
- •Глава1.Температурныеполявтермическихсенсорах........................ 17
- •Глава2.Термочувствительныеэлементы 105
- •Глава3.Примерыпрактическойреализациитермическихсенсоров
- •Глава4.Взаимодействиеизлученияствердымтелом 183
- •Глава5.Фотоэлектрическиеприемникиизлучения.Определения
- •Глава6.Равновесныеинеравновесныеносители заряда 271
- •Глава7.Физическиеосновыработыфотонныхприемниковизлу-
- •Глава8.Основныенаправленияразвитиятехникирегистрацииоптическогоизлучения 411
- •Теплотаитемпература
- •Способы теплопередачи:теплопроводность
- •Уравнениетеплопроводности
- •Теплопроводностьгазов
- •Теплопроводностьитеплоемкостьтвердыхтел
- •Теплопроводностьжидкостей
- •1.3.Радиационныйспособтеплопередачи
- •Основныепонятияизаконы
- •Радиационныйтеплообменмеждутвердымителами,
- •Теплообменмеждудвумятелами,одноизкоторыхнаходится
- •Конвективныйтеплообмен
- •Основныеособенностиконвективноготеплообмена
- •Основныеуравненияконвективноготеплообмена
- •Критериитеорииподобия
- •Вынужденнаяконвекциядляплоскойповерхности
- •Теплообменвусловияхестественнойконвекции
- •Естественнаяконвекция
- •Примеррасчетаконвективноготеплообмена
- •Cтационарныетемпературныеполявэлементахтермическихсенсоровиактюаторов
- •Распределениетемпературы
- •Передачатеплачерезстенку
- •Электростатическаяаналогияуравнениятеплопроводности
- •Тепловоесопротивлениесоставнойтеплопроводящейпла-стины.
- •Параллельное соединение двух разнородных тепловых
- •Температурноеполевинтегральнойконсольнойбалочке
- •Стационарноетемпературноеполевкруглойдиафрагме
- •Однородныйнагрев
- •Точечныйисточниктепла
- •Температурнаядинамикаэлементовтермическихсенсоров
- •Решениенаосновеэлектростатическойаналогии
- •Аналитическоерешениедлятеплообмена
- •2.1.ТермочувствительныеэлементынаосновеэффектАтермоЭдс
- •Физическиепроцессывтермопарах
- •ОбъемныесоставляющиетермоЭдс
- •КонтактнаясоставляющаятермоЭдс
- •2.1.2.Эффекттермоэдсвметаллахиполупроводниках
- •Термоэлектрическиеэффектыпельтьеитомсона
- •Терморезисторы
- •Металлическиетерморезисторы
- •Кремниевыетерморезисторы
- •Транзисторы
- •Термисторы
- •Термическийвакуумметр
- •Термическиесенсорыпотокагаза
- •Термоанемометры
- •Термоанемометрыснагревателемизполикристаллическогокремния
- •Термическийсенсор,чувствительныйкнаправлениюпотока
- •VXSxuxSxucos;
- •Термическийконверторсреднеквадратичногозначениянапряжения
- •Биморфныйтермомеханическийактюатор
- •Взаимодействиеизлучениясполупроводниками
- •Уравнениямаксвелла
- •Отражениеэлектромагнитногоизлученияотграницыразделадвухсред
- •Зависимостьоптическихконстантотчастоты
- •Интерференция.Просветляющиепокрытия
- •Поглощениевполупроводниках
- •Механизмыпоглощениясветавполупроводниках
- •Собственноепоглощение.Прямыепереходы
- •СобственноепоглощениеНепрямыепереходы
- •Экситонноепоглощение
- •Примесноепоглощение
- •Внутризонноепоглощение
- •Поглощениесвободныминосителямизаряда
- •Решеточноепоглощение
- •Приемникиизлучения
- •Поотношениюксопротивлениюнагрузки:
- •Методыизмеренияпараметровфотоэлектрическихполупроводниковыхприемников
- •0,1Fрезfэкв0,2fрез,
- •Энергетическиехарактеристикиизлучения
- •IbAcos.
- •IBdAcos,
- •Мощностьиспектральныйсоставизлученияабсолютночерныхтел
- •Энергетическийисветовойпотокиизлучения
- •Цветовоезрение
- •Xyz(условныеобозначениясм.Нарис.5.18):
- •Приемцветногоизображенияприпомощиприемников
- •650Нмсераялиния
- •Равновесныеинеравновесныеносителизаряда
- •Равновесныеносителизарядавполупроводниках
- •Неравновесныеносителизарядаквазиуровеньферми
- •Рекомбинацияносителейзарядавремяжизни
- •1Nстt
- •Механизмырекомбинации
- •Излучательнаярекомбинация
- •Imax 2g
- •Межзоннаяоже-рекомбинация
- •Рекомбинациячерезлокальныецентры
- •Поверхностнаярекомбинация
- •Распределениенеравновесныхносителейзаряда
- •Уравнениянепрерывностидляэлектроновидырок
- •Диффузионноеуравнение
- •Лавинныефотодиоды
- •Фотосопротивления
- •Фотоприемникинаосновеструктурметалл–диэлектрик–полупроводник
- •Приповерхностныеобластипространственногозаряда
- •10 Blip 10
- •Целипримененияоптическихсистемиихстроение
- •Болометрическиематрицы
- •Принципдействияихарактеристикитепловыхприемниковизлучения
- •Параметрытпи
- •Болометры
- •Линейчатыеиматричные
- •Составипринципработыизмерительногостенда
- •–Осьлинейкифотоприемников(лфп)иЛфпу;
- •Характеристикилинейчатыхфотоприемныхустройств
- •Тепловизионныематрицы
- •Линейчатыеиматричныепзи-приемникиизображениянаосновеInAs
- •Преобразованиесветовогопотокавцифровуюинформацию
- •Оцифровываниесигнала
- •Приборы,отображающиеоптическуюинформацию
- •ВикторАлексеевичГридчин,ИгорьГеоргиевичНеизвестный,ВладимирНиколаевичШумский физикамикросистем
- •Часть2Учебноепособие
- •630092,Г.Новосибирск,пр.К.Маркса,20
–Осьлинейкифотоприемников(лфп)иЛфпу;
–ЛФП2128элементов;3–коммутаторына64входакаждый;4–соединительныешлейфы
Нарис.8.10представленапринципиальнаясхемакомпоновкидвухрядногоЛФПУвсоставеЛФП2128элементов,4кремниевыхмультиплексоровна64входакаждыйи4соединительныхшлейфовнаосновеполиимиднойпленки(управляющаяэлектрониканепоказана).Мультиплексорывкаждомряду(верхнеминижнем)разнесеныотно-сительнодругдругадляудобствамонтажакнимполиимидныхшлей-фов.ПриэтомвцентреЛФП,вместеприсоединенияшлейфов,зазорымеждусоседнимиэлементамиЛФПтакиеже,какивееостальныхчастях.
Нарис.8.11даносхематичноеизображениеЛФП2128элемен-товиотдельногофотоприемногоэлемента,которыйпредставляетсобойфоторезисторсразмеромфотоприемнойплощадки80мкмвдольлинейкии120мкм–поперек.Зазормеждуэлементамисостав-ляет20мкмкаквдольЛФП,такимеждудвумярядамилинейки.ОсвещениеэлементовпроизводитсясостороныэпитаксиальнойпленкиСОТ.
120мкм
А80 мкм
А
А–А
Ti+Al+Ti
1,5мкм
hCOTln
Рис.8.11.Схематичноеизображениелинейкифотоприемников2128элементовиееотдель-
ногофотоприемногоэлементавразрезе
ИзготовлениеЛФПвключаловсебянесколькоопераций.
ФормированиеотдельныхэлементовЛФПсприменениемфото-
литографииитравленияпленкиСОТдоподложкифтористогобария.
РезкаподложкиBaF2сосформированныминанейЛФПнакри-сталлызаданногоразмера.
Такимобразом,числооперацийприизготовленииЛФПсведенокминимуму,чтообеспечиваетбольшойпроцентвыходагодныхЛФП.
Приэтомоднородностьфотоприемныхэлементовопределяетсявос-новномоднородностьюсвойствисходныхподложекфтористогобарияиэпитаксиальныхпленокСОТ.
Соединительныешлейфы
Дляизготовлениясоединительныхшлейфовиспользоваласьстан-дартнаяметаллизированнаяпленкаизполиимидатолщиной20мкмсослоемалюминиятолщиной12мкм.Соединительныйшлейфпредстав-лялсобойсформированныйметодомфотолитографиинаборшинизалюминияшириной70мкм,разделенныхзазоромв30мкм.Концыалюминиевыхшинвыступалисобеихстороншлейфазаполиимиднуюосновуна150мкмибылипокрытыиндиемдляудобствамонтажакЛФПимультиплексорам.
Мультиплексор
ПредназначенныйдляработывсоставеЛФПУкремниевыймуль-типлексор[8.8,8.9]состоитиз64ячеекпредусилителейирегистрасдвига,которыйвырабатываетимпульсы,используемыедляпоследо-вательногоопросавсехячееквтечение1мс.Схемамультиплексорапитаетсячетырьмяимпульснымиипятьюпостоянныминапряжения-
ми.Испытанияпоказали,чторазрабо-
таннаясхемамультиплексорасохраня-етработоспособностьвдиапазонеТ=
=300…4,2Кприоптимальнойтемпе-ратуренеболееТ=30К.Этопозволи-лоиспользоватьмультиплексорвсо-ставеЛФПУ,вкоторомвсеэлементырасположенырядомитемпературако-торыхпрактическинеразличается.Ра-ботоспособностьмультиплексороввплотьдокомнатнойтемпературы(хо-тяиснеоптимальнымипараметрами)позволилаорганизоватьихвыбраковку
Тр2
Тр1
Rф
U0
Тр3
Uвых
какнастадииизготовлениядоскрай-
бированиякремниевыхпластин,такинавсехэтапахсборкиЛФПУ.
Рис.8.12.Принципиальная
схемаячейкипредусилителямультиплексора
Принципиальнаясхемаотдельнойячейкипредусилителяпредстав-ленанарис.8.12.Ячейкапредусилителяработаетследующимобразом.Засчетпротеканиятока(темновогоилитокаприосвещении)черезсопротивлениефотоприемнойячейкиRфизменяютсязарядипотенци-алназатворетранзистораТр1,которыйопределяетвеличинувыходно-гонапряженияUвых,подаваемогопоследовательноскаждойячейкипредусилителянаобщуювыходнуюшинуприоткрытомключеТр3.ВэтовремятранзисторТр2заперт.Послесчитываниявыходногонапря-жениятранзисторныйключТр3закрывается,ключТр2открываетсянавремя,короткоепосравнениюсвременемнакопления(временемопросавсехячеек),равное1мс,иназатвореТр1устанавливаетсяисходноена-пряжениеU0.Далеевтечение1мс,покаведетсяопросостальныхячеекпредусилителей,засчетпротеканиятокачерезRфназатвореТр1напря-жениеU0изменяетсянавеличину,пропорциональнуютокучерезфото-приемныйэлемент,иустановившеесянапряжениеопределяетвыход-ноенапряжениеприновомциклеопросавходныхячеек.
Постоянныеиимпульсныенапряжения,необходимыедляработымультиплексора,формируютсяспециальноразработаннымэлектрон-нымустройствомуправлениямультиплексоромиобработкисигнала(УУКОС).УУКОСосуществляеттакжеобработкусигнала,котораяосновананадвойнойкоррелированнойвыборкеиформируетнавыхо-деУУКОСнапряжение,пропорциональноеразностинапряженийнавыходнойшиненамоментопросаячейкиинамоментподачиназа-творключаТр1исходногонапряженияU0длякаждойизячеек.Такимобразом,приработеУУКОСсмультиплексоромвусловияхпостоян-ногоосвещениянаеговыходеформируетсяпериодическийсигналспериодом,равным1мс(времянакопления).Приэтомкаждыйизпе-риодовразбитна64интервала,каждыйизкоторыхсоответствуетсиг-налусопределеннойвходнойячейки.Внутриинтервалав1/64мсна-пряжениеблизкокпостоянномузначению.СчитываниесигналасвыходаУУКОСосуществляетсяспомощьювстроенноговперсональ-ныйкомпьютер10-разрядногоАЦПстактовойчастотой1МГц.Рабо-таАЦПсинхронизируетсясработойУУКОСтак,чтомоментсчиты-ваниясоответствующегонапряженияприходилсяпримернонасерединукаждогоинтервалав1/64мс.
ПрипроектированиииизготовлениимультиплексораиУУКОСбы-лиразработанытестовыемикросхемы,которыепозволилиизмеритьне-посредственношумвсейэлектроннойсхемыобработкифотосигнала.В
температурноминтервалеТ=6…25Кшумразработаннойэлектроннойсистемывсоставемультиплексор–УУКОС,приведенныйковходу,не
превышал
Iш1,51014A/Гц,что,какбудетпоказанодалее,доста-
точнодлядостиженияхорошихзначенийпороговыхпараметров.
Методмикросборкилинейчатогофотоприемногоустройства
ВИФПСОРАНдлясозданияФПУразработанаметодикамикро-сборкиспомощьюхолоднойсваркиподдавлениемнаиндиевыхмик-ростолбахприкомнатнойтемпературе,котораяимеетрядпреиму-ществпередультразвуковойсваркой[8.10].
Нарис.8.13и8.14представленвнешнийвидсобранногомодуля
ЛФПУифрагментаЛФПна264элементасподключеннымкнемукремниевыммультиплексором.ЛФПразмером2128элементовиче-тырекремниевыхмультиплексораразмещалисьнаситаловойплатеразмером1848мм2лицевойповерхностьювверх,чтообеспечивалосвободноепопаданиеизлучениянафотоприемныеплощадкиЛФПисвободныйдоступкконтактнымплощадкаммультиплексора,предна-значеннымдляподведенияпостоянныхипеременныхуправляющихна-пряженийсУУКОС.КристаллЛФПзакрепленнаплатеспомощьюалю-миниевыхуголков,амультиплексоры–точечнойпайкойиндием.Наситаловойплатеметодомфотолитографиипредварительносоздавалась
Рис.8.13. Внешнийвидсобранногомодулялинейчатогофотоприемногоустройства:
вцентре–вертикальнорасположеннаялинейкафотоприемников,справаислеваккоторойспомощьюполиимидныхшлейфовподсоединенычетырекремниевыхмультиплексора
2
1
Рис.8.14.ВнешнийвидфрагментаЛФПна264эле-мента(часть1);ссоединительнымшлейфомимуль-типлексором(часть2);хорошовидны64контактные
площадкиячеекпредусилителей
алюминиеваяразводкадляподключениякнейсоднойсторонымуль-типлексоров,асдругой–проводовдляподачиуправляющихнапря-женийисчитываниясигналаУУКОС.Частьшинпитаниямультиплек-соровнаситаловойподложкеобъединены,чтопозволилоснизитьобщеечислоподводимыхкмодулюЛФПУпроводовуправленияс26до17.Выходныесигналыскаждогоизмультиплексоровсчитывалисьпоотдельномукабелю.
ПоследовательностьсборкиЛФПУследующая.Кпредварительноразбракованныммультиплексорамприсоединялисьсоединительныешлейфы.Послеэтоговновьпроводилсяконтрольихработоспособно-сти.Затемсобранныепромежуточныеузлымультиплексор–шлейфподсоединялиськЛФП.ПослеэтогосборкаЛФП–четыремультиплек-сорамонтироваласьнаситаловойплатеиконтактныеплощадкимуль-типлексоровметодомультразвуковойсваркисоединялисьсалюми-ниевойразводкойнаплате.
Наконтактныеплощадкимультиплексоровприихизготовлениинаносилсяслойиндия.Приприсоединениишлейфовкмультиплексо-рамиспользоваласькомбинацияметодахолоднойсваркиподдавлени-емнаиндиевыхмикростолбахспоследующейобработкойкаждогосварногосоединенияпритемпературе160Сспомощьюультразвуко-вогомикроинденторасдобавлениеминдиявколичестве,примерносоответствующемобъемумикростолбанаконцахалюминиевыхшинсоединительногошлейфа.ТакаятехнологияобеспечиваланадежностьсборкиидопускаламногократноетермоциклированиеЛФПУотком-натнойтемпературыдотемпературыжидкогогелия.
Послеприсоединенияшлейфакмультиплексорутестирование
проводилосьподключениемегочереззондыкУУКОСсконтролемформывыходныхимпульсовдляобнаруженияпробитыхилизакоро-ченныхвходов.Дополнительно,вслучаеобнаруженияотклоненийформыимпульсовотзаданнойдляотдельныхвходовмультиплексора,проводилосьтестированиеp–n-переходовмеждусоответствующимивходнымишинамиибазой.Дляэтогоиспользовалисьгибкиемикро-зондыизпозолоченныхвольфрамовыхпроволокдиаметром8мкм.Мультиплексорысзакороченнымиотдельнымивходамиотбраковыва-лись,обнаруженныезакороткиустранялисьспомощьюспециальногогибкогомикроиндентораилилазернойсублимацией.
Далеешлейфысприсоединеннымикниммультиплексорамимон-тировалиськЛФПнаспециальномстендесиспользованиемультра-звуковогомикроинденторапритемпературе157С.Надежноесоеди-нениеЛФПишлейфадостигалосьприменениемвкаждойточкесоединенияшлейф–ЛФПмикрообъема(около100мкм3)индия.
ПриподготовкешлейфовкмонтажуЛФПУиспользоваласьлазер-
наяочисткаих«язычков»(выступающихзапределыполиимиднойос-новычастиалюминиевыхшин,предназначенныхдлясоединениясмультиплексорамииЛФП)оторганическихостатков.Дляулучшениясмачиваемости«язычков»чистыминдиемприменяласьихполировкалазером.ПриподготовкеконтактныхплощадокмультиплексоровиЛФПтакаятехнологиянеприменяласьвоизбежаниевлияниянаихпараметры.
Разрывыотдельныхалюминиевыхшиннамикрошлейфахустраня-лисьзаполнениемихиндием,азакороткимеждуотдельнымишинамиудалялисьспомощьюспециальногогибкогомикроиндентора.
ПредпринятыемерыпоэтапногоконтролясборкиЛФПУ,исполь-зуемыетехнологическиеприемымонтажаиустранениявозникающихнаопределенныхэтапахтехнологическогопроцессадефектовпозво-лилиобеспечитьдостаточновысокийпроцентвыходагодных(неме-нее62...63из64входовкаждогоизмультиплексороввсборесЛФП)ЛФПУиисследоватьихпараметры.
