16.Вентильныев(выпрямительные) диоды
Работа выпрям диода объясняется св-вами эл p–n-перехода.
Вблизи границы двух п/п-ков образуется слой, лишенный подвижных НЗ (из-за рекомбинации) и обладающий высоким эл сопр, – так наз-мый запирающий слой. Этот слой определяет контактную разность потенциалов (потенциальный барьер). Если к p–n-переходу приложить внешнее U, создающее эл поле в направлении, противоположном полю эл слоя, то толщина этого слоя и при U=0,4-0,6В запирающий слой исчезнет, а ток сущ-но (этот ток называют прямым). При подключении внешнего U другой полярности запирающий слой и сопротивление p–n-перехода , а ток, обусловленный движением неосновных НЗ, будет незначительным даже при сравнительно больших U. Прямой ток диода создается основными, а обратный – неосновными НЗ. Положительный (прямой) ток диод пропускает в направлении от анода к катоду. На рис. 1 показаны условное графическое обозначение и хар-ки выпрямительных диодов (их идеальная и реальная ВАХ). Видимый излом ВАХ диода в начале координат связан с различными масштабами токов и напряжений в 1 и 3 квадранте графика. Два вывода диода: анод А и катод К в не обозначаются и на рисунке показаны для пояснения.
На ВАХ реального диода обозначена обл эл пробоя, когда при небольшом обратного U ток резко . Эл пробой явл-ся обратимым явлением. При возвращении в рабочую область диод не теряет своих св-в. Если обратный ток превысит определенное значение, то электрический пробой перейдет в необратимый тепловой с выходом прибора из строя.
7.Гетеропереходы.
При созд 2-х п/п n и p-типа проводим-ти,но с разной шириной ЗП,возник-т гетропереход {Eg1 и Eg2).На энергет диаграмме возник-т разрывы
Своб НЗ ижектируются из обл с больш Eg в обл с малой Eg/ И в рез-те их рекомб-ции появл-ся фотоны,кот излуч-ся в своб простр-во.Энергия излучения=Eg. E=hv=Eg.Возможен так же гетеропереход м/у п/п одного типа провод-ти
Высота
энергет барьера:
Применение гетеропереходов позвол-т значит повысить эн барьердля неосн НЗ,преходящих в обл p2 что исп-ся на практ для ограничения обл накопления неосн НЗ.Большая высота барьеров позволяет улучшать параметры излучающих приборов. Гет/перех м/у п/п одного типа провод-ти примен-ся для создания полевых СВЧ тр-ров,и ИМС.
6.Конакт м/у п/п одного типа проводимости.
Энергет диаграмму этого типа можно представить след об:
Как и для обычн п/п,вел-на эн барьера опред:
В контактах этого типа не возник слой с малой конц-ей НЗ.Поэтому сопр структ опред высокоомной обл n.Такие переходы не обладают выпрямляющим эффектом и св-вом инжекции НЗ из низкоомной в в высокоомную.например если высокоомн контакт подсоед положит ист питания,низкоомн n+ отриц,по n+-n переход вкл в прямом направл.При этом из n+ обл в n обл будут переходить эл-ны,кот явл-ся для этой обл осн НЗ.При обр смещ из n+ обл в n обл должны были бы инжектировать,но изза малой конц-ции дырок этого не происходит.