31. Комплиментарные мдп транзисторы.
Конструкция такого транзистора представляет собой два гальванически связанных транзистора
содержащих n и p каналы (см. рис.)
Комплиментарные транзисторы отличаются: малой потребляемой мощностью в статическом режиме (10-8 Вт) т. к. один из транзисторов постоянно закрыт, высоким быстродействием, что обусловлено поочередной работой транзисторов, высокой помехозащищенностью, достигающей 40% в режиме питания. Принцип работы заключается в том, что при подаче на вход + смещения работает транзистор 1, при подаче - смещения на вход
нет необходимости рассасывать объемный заряд в области сток-исток для подготовки транз-ра 1 к исходному состоянию, т. к. этот сигнал будет обслуживать транзистор 2. ‘- ‘ сигнал на затворе транзистора 2 притянет эл-ны к пов-ти и создаст структуру p+pp+ , пока работает транзистор 2, транзистор 1 успевает перейти в исходное состояние, для приема сигнала + полярности.
32. МДП транзистор со встроенным каналом.
Если область канала h отлегировать n-типом проводимости, то в исходном состоянии образуется
структура n+n n+ . Если на затвор подать ‘-‘ U, то эл-на канала h будут оттеснены вглубь объема подложки. Между стоком и истоком образуется структура n+pn+ , т. е. подачей ‘-‘ напряжения на базу можно изменить сопр канала, а => и коэф-нт усиления транзистора. Поскольку в таких транзисторах только при U3=0 значение порога напряж теряет для них смысл, и вводится параметр напряж отсечки. Напряж отсечки это знач напряж, при котм равновесные эл-ны уходят из встроенного канала, в рез-те чего цепь исток-сток разрывается.
30. Мдп транзисторы (моп).
В транзисторах со структурой металл диэлектрик п/п принцип работы основанна модуляции сопротивления канала, на поверхности полупроводника под воздействием эффекта поля. МДП транзисторы явл-ся униполярными приборами т. к. их работа основана на использовании только одного типа носителей заряда или электронов или дырок. Процессы инжекции в МДП транзисторе не используются из-за их полного отсутствия (инжекция возможна только при наличии контакта полупроводников с разными типами проводимости). Существует две структуры МДП транзисторов с индуцированным каналом или со встроенным.
МДП транзистор с индуцированным каналом.
Схема конструкции транзистора этого вида имеет вид:
В п/п-вой подложке p-типа сформировано 2 высоколегированные n + области –исток и сток. Металлический электрод – затвор(З) отделен от подложки тонким слоем диэлектрика.Основными параметрами МДП транзистора являются: длина канала – l;ширина канала – b;
толщина слоя диэлектрика – t;глубина переходов n + области –W n;уровень легирования подложки –n a.
Управляющей цепью в МДП транз-ре явл-ся цепь затвора, управляемой – цепь И-С.Упр цепь практически не потребляет тока, поскольку в нее входит участок с
диэлектриком. Поэтому в МДП транз-ре получается значит усиление мощности,намного >, чем в БП. Если U на затворе отсутствует то эл цепь И-С представляет собой 2 встречновключенных n+p перехода. Поэтому при любой полярности напряжения И-С один из переходов смещается в обратном направлении и в вых цепи будет протекать ток обратносмещенного p-n перехода. Если к З приложен достаточно большой + потенциал, в p области образуется
(индуцируется) инверсный канал за счет притяжения эл-нов из объема подложки к поверхности,возникает структура n+n n+ .Проводимость инверсного канала (коэффициент усиления) изменяется при изменении потенциала на З. Напряж на З при кот образ-ся канал называется пороговым напряжением и обозначается UП. Если в качестве подложки исп-ть п/п-к n-типа, а обл И и С выполнить с электропроводностью p+-типа, то сформируется p-канальный МДП транзистор.