33. Параметра мдп транзисторов.

МДП транзистор характеризуется следующими малосигнальными параметрами:

1)крутизной S. Крутизна в обл насыщения опр-ся из выражения: S = S₀ (U_ЗИ -U_П ) (8)

при выполнении равенства (U_ЗИ -U_П ) =1 В, вып-ся равенство S = S₀

Отсюда получим зависимость: S = (9)

2) внутренним сопр в реж насыщения:

3)Из выше приведенного получим коэффициент усиления

типичные значения коэффициента усиления МДП транзисторов лежат в диапазоне 50–200.Это значит < че у БП. Однако габариты МДП тр-ра < ,а технология изгот проще.

29. Работа тр-ра в импульсном режиме.

При работе в импульсном (ключевом) режиме транзисторы включаются по схеме с ОЭ (см.рис.)

R_Б –омическое сопр п/п материала.В процессе прохождения импульса тока тр-р работает в трех режимах одновременно.В промежутке м/у импульсами тр-р находится в режиме отсечки, в момент переключения в нормальном активном и в момент прохождения в режиме насыщения (двойной инжекции). В исходном состоянии

тр-р всегда находится в режиме отсечки (см. рис.)

а) – импульс тока базы;б) – импульс тока коллектора; в) – распределение в базе инжектированных нз в различные моменты t формирования коллекторного тока: 1) фронта

2) насыщения;3) рассасывания;4) среза.

В момент изменения направления тока базы наблюдается небольшой спад тока коллектора,связанный с изменением падения напряж на объемном сопр-нии базы. Далее в течении времени t_р ток коллектора мало изменяется до тех пор пока накопленные в базе нз не уйдет из него или не рекомбинируют.Время в течение кото тр-р находится в

режиме насыщ-я после окончания импульса прямого базового тока наз-ся временем рассасывания t_p, оно зависит от конструкции тр-ра, материала и значения тока J_б . После

окончания процесса рассасывания тр-р переходит в режим отсечки в течении времени t_c .Т о при прохождении импульса тока через тр-р не изменяется не только форма

импульса, но и его длит-ть. Времена t_З, t_Р, t_Н, t_С определяют быстродействие и частотные св-ва тр-ра. При включении тр-ра по схеме с об процесс протекания коллекторного импульса протекает аналогично.

14. Лавинный пробой.

П роисходит в достаточно толстых p-n переходах при высоких обратных напряж-ях(десятки, сотни В), когда возникает ударная ионизация и лавинный процесс умножения нз.Нз ускоряются эл полем p-n перехода при L _n << d, L_p << d. Это говорит о том, что эл-ны способны пролетать без взаим-вия.=> приобрести энергию(W) достаточную для разрыва ков-ной связи матричных атомов. В рез-те такой ионизации рождается электронно-дыр пара и процесс ударной ионизации продолжается с участием этой новой пары нз.При достаточно большой напряж-ти эл поля в переходе, когда исходная пара нз в среднем порождает больше одной пары нз, переходит в лавин пробой и начинает сущ-вать самостоятельно, например как пробой в газе, вплоть до выгорания п/п. В тв телах процесс лавинного умножения происходит не по всей площади прибора, а в локальных обл-х и всегда в обл неоднородности эл поля.Неоднородное эл поле возникает на дефектах структуры п/п-ков.В сильно нарушенных структурах кристалла часто возникают микроплазмы, кот формир-ся лавинным пробоем,однако напряж-ти эл поля хватает только на разгон эл-на непосредственно в области дефекта. Выходя за пределы дефекта, он сразу теряет W. Наиболее распространенными дефектами в обл кот возникают микроплазмы яв-ся дисокации.Нестабил-ть микроплазм приводит к флуктуации тока и появлению характерных шумов в лавинном пробое. Это всегда отрицательно сказ-ся на работе таких эл приборов как стабил-ны, лавинно-пролетные диоды и т. д. Обратная ветвь ВАХ при лавинном пробое соответствует кривой б). Установлено, что в диодах со слабо легир-й базой при вып-нии нер-ва. Uл.п <Uт.п. набл-ся лав пробой.В диодах с высоколегир-й базой при вып-нии нер-ва. Uл.п >Uт.п. наблюд-ся тун пробой. В реальных кремниевых приборах при U пробоя Uп > 20В происходит только лав пробой. При 5 < Uп < 20 смеш пробой, при кот токопрохождение опред-ся лавин и тун-м процессами одновременно. При Uп < 5 В только тун-й.

Тепловой пробой.

Связан с разогревом перехода при прохождении обратного тока в условиях, когда тепловыделение не компенсируется теплоотводом. Обратный ток резко с температурой. Это знач-но W ионизации атомов, что в свою очередь вызывает тока. При темп-ры больше Tкр, подобный лавин полупроводник выгорает. Отличительным св-вом теплового пробоя яв-ся наличие участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением (см. рис.в 13 вопросе)