- •Предисловие
- •1. Основные сведения об импульсных процессах
- •1.1. Импульсные режимы работы
- •1.2. Форма и параметры импульсов
- •1.3. Основные принципы генерирования мощных импульсов тока
- •1.4. Принципы построения зарядных устройств емкостных накопителей
- •2. Генераторы прямоугольных импульсов тока на основе реактивных формирующих двухполюсников
- •2.1. Переходные характеристики формирующих двухполюсников
- •2.3. Формирующие двухполюсники 1-го рода
- •2.2. Канонические схемы формирующих двухполюсников
- •2.4. Формирующие двухполюсники 2-го рода
- •2.5. Длинная линия в качестве формирующего двухполюсника
- •3. Генераторы импульсов тока на основе длинных линий
- •3.1. Волновые процессы в длинной линии
- •3.2. Согласование длинной линии и нагрузки
- •3.3. Однородная искусственная линия
- •3.4. Двойная длинная линия
- •3.5. Короткозамкнутая длинная линия, заряжаемая током
- •3.6. Коррекция формы импульсов
- •3.7. Работа однородной искусственной линии на комплексную нагрузку
- •3.8. Работа однородной искусственной линии на нелинейную нагрузку
- •3.9. Особенности расчета и проектирования генераторов на основе реактивных формирующих двухполюсников
- •4. Генераторы прямоугольных импульсов тока регулируемой длительности
- •4.1. Принципы построения генераторов импульсов регулируемой длительности
- •4.2. Частичный разряд емкостных накопителей
- •4.3. Частичный разряд эквивалентных формирующих двухполюсников
- •4.4. Энергетика процессов частичного разряда однородной искусственной линии
- •4.5. Длинная линия с распределенным диодом
- •4.6. Однородная искусственная линия с вентилями
- •4.7. Генераторы с дискретной регулировкой длительности импульсов
- •4.8. Особенности расчета и проектирования генераторов на основе однородных искусственных линий с вентилями
- •5. Генераторы импульсов тока регулируемой формы
- •5.1. Длинная линия с распределенным ключом
- •5.2. Теорема о соответствии формы эпюра зарядного напряжения длинной линии и формы импульса тока нагрузки
- •5.3. Длинная линия при одновременной коммутации распределенного ключа
- •5.4. Генераторы импульсов тока регулируемой формы на основе однородных искусственных линий
- •5.5. Генераторы импульсов тока регулируемой формы на основе расщепленных емкостных накопителей
- •5.6. Практическая реализация генераторов импульсов тока регулируемой формы
- •6. Зарядные устройства емкостных накопителей
- •6.1. Резистивный заряд емкостных накопителей
- •6.2. Индуктивный заряд емкостных накопителей
- •6.3. Управляемый резонансно-диодный заряд емкостных накопителей
- •6.4. Заряд емкостных накопителей от неуправляемых выпрямителей
- •6.5. Заряд емкостных накопителей от источников тока
- •6.6. Заряд расщепленных емкостных накопителей с помощью коммутатора зарядного тока
- •6.7. Энергетика процессов резистивного заряда расщепленных емкостных накопителей
- •6.8. Резонансно-диодный заряд расщепленных емкостных накопителей
- •Заключение
- •Список литературы
- •Оглавление
4.8. Особенности расчета и проектирования генераторов на основе однородных искусственных линий с вентилями
При изготовлении ОИЛВ необходимо учитывать те дополнительные потери, которые возникают непосредственно в вентилях ячеек в процессе формирования импульса тока нагрузки. Эквивалентная схема ОИЛВ, в которой учитываются только потери в вентилях, приведена на рис. 4.21. В этой схеме статические вольт-амперные характеристики вентилей аппроксимированы зависимостью вида
,
где
– дифференциальное сопротивление
вентиля,
– напряжение спрямления
вольт-амперной характеристики вентиля.
Потери в индуктивных и емкостных
элементах линии не учитываются.
Рис.
4.21
Поскольку величины дифференциальных
сопротивлений вольт-амперных
характеристик полупроводниковых и
(особенно) газонаполненных вентилей
различных видов несущественны, потерями
в резисторах
можно пренебречь. Тем не менее из 3.3
известно, что такие потери несколько
увеличивают спад плоской части импульса
тока нагрузки.
Для оценки влияния на форму импульса
тока нагрузки величины
используем метод переноса источников
напряжения через узлы цепей и преобразуем
схему, приведенную на рис. 4.21, в схему,
изображенную на рис. 4.22. Как следует из
этой схемы, значение начального напряжения
заряда ячеек ОИЛВ
пропорционально уменьшается с ростом
номера ячейки, т. е.
.
Это несколько изменяет эпюр начальных
напряжений заряда ОИЛВ и, как будет
показано далее, также приводит к
некоторому спаду плоской части импульса.
Рис.
4.22
У полупроводниковых вентилей значение обычно составляет порядка 1 В. При напряжениях начального заряда в сотни вольт и больше это несущественно даже при сравнительно большом числе ячеек ОИЛВ, но должно учитываться при использовании газонаполненных или вакуумных вентилей. Обычно выбор полупроводниковых вентилей производится по значению допустимого рабочего напряжения Uраб и значению среднего тока Iср. Для k-го вентиля ОИЛВ его средний ток
,
а рабочее напряжение может быть принято равным напряжению заряда линии: Uраб = Uл. Тем не менее выбор вентилей по среднему току в силовой импульсной технике не всегда оправдан, так как при генерировании импульсов тока большой амплитуды в режиме одиночных импульсов средний ток нагрузки мал, а амплитуда импульса тока велика. В этом случае вентили надо выбирать, исходя из максимальных значений тока нагрузки, учитывая способность вентилей конкретного вида выдерживать кратковременные перегрузки по току. Для газонаполненных вентилей задаются такие основные параметры, как амплитуда напряжения анода, ток анода в импульсе, среднее значение тока анода, допустимая длительность импульса и максимальная рабочая частота. У этих вентилей отношение амплитудных и средних значений тока анода отличаются на два – три порядка. Полупроводниковые полууправляемые вентили (тиристоры) в отличие от газонаполненных вентилей допускают трех-пятикратное превышение амплитуды импульса тока над его средним значением при соответственном снижении среднего тока вентиля. Но эти вентили способны коммутировать импульсы только сравнительно большой длительности (десятки и более микросекунд), существенно превышающей время их включения. При этом необходимо следить, чтобы скорость нарастания анодного тока тиристоров не превышала допустимых паспортных значений.
