4.Вольтамперная характеристика.

З ависимость тока через p-n переход от приложенного напряжения называется ВАХ электронно-дырочного перехода. Она имеет вид I = I₀ [exp (U/_T) – 1],где I₀ – обратный ток насыщения при |–U|  _T.При увеличении прямого напряжения U_пр прямой ток I_пр увеличивается по экспоненте, так как с увеличением U_пр снижается потенциальный барьер и увеличивается диффузия основных носителей. Величина обратного тока сильно зависит от температуры (на графике Т₂  Т₁), причем при |U_обр|  _T ток I₀ не зависит от обратного напряжения, а обусловлен концентрацией неосновных носителей заряда.

5.Основные параметры р-п перехода.

Харкие сопротивления: а) сопрот по постоянному току R = U/I = _T ln(I/I₀+1)/I = (_T / I) ln(I/I₀+1); R_A=U₁/I₁, R_B=U₂/I₂;б) сопротивление по переменному току r_д или дифференциальное сопротивление (2.4,б)r_д = dU/dI=(_T I₀) / [(I+I₀)I₀]=_T / (I+I₀)  _T/I;r_дA = U₁/I₁ ;r_дB = U₂/I₂ . Ёмкости p-n перехода а) барьерная ёмкость C_бар обусловлена наличием зарядов (положительных и отрицательных ионов) в запирающем слое в условиях равновесия и при обратном смещении перехода, т.е. отражает перераспределение зарядов в переходе , б) диффузионная ёмкость С_диф обусловлена изменением зарядов в переходе за счёт инжекции основных носителей при прямом смещении (отражает перераспределение зарядов вблизи перехода)С_диф = (q/kT)I_пр = I_пр /_Т,где I_пр – прямой ток; – время жизни носителей; _Т - темпе потенциал. *3 Темперная зависимость обратного тока I_0t = I₀ e^t,где I₀ – тепловой ток при начальной темпер;t – приращение темпер; - темпер коэффициент тока,  = 0,08 1/ºС.

6.Пробой р-п перехода.

Под пробоем понимают резкое уменьш обратного сопротивления и резкое возраст обратного тока при незначительном увелич напряжения. Различают два вида пробоя:а) тепловой – в результате недостаточного теплоотвода, когда рассеиваемая мощность на переходе больше мощности отводимой. Пробой необратим, прибор выходит из строя;б) электрический пробой связан с увелич напряженности в запирающем слое.Электрич:а) лавинный пробой заключается в размножении носителей в сильном электрическом поле за счёт ударной ионизации. Имеет место в широких переходах.Ток I=I₀∙M, M – коэффициент ударной ионизации или размножения; М=1/[1-(U_обр/U_м)ⁿ],где U_м – напряжение лавинного пробоя; n = 3 – 5 в зависимости от материала;б) туннельный пробой развивается в узких переходах. В полупроводниках с высокой концентрацией примеси под действием напряженности поля возникает туннельный эффект, т.е. просачивание электронов сквозь потенциальный барьер без затраты дополнительной энергии.

7.Методы изготовления р-п перехода.

1 Метод сплавления:а) плоскостной (2.6,а).На пластинку nGe помещается таблетка индия (In) и подвергается термообработке при 850^оС. Получается германий p-типа с резким переходом с большой площадью и большой барьерной емкостью С_бар. Рабочие частоты низкие;б) точечный ( 2.6,б) На пластинку nGe помещается индий (In) в виде иглы, пропускается импульс тока, расплавляется кончик иглы и получается точечный переход. Площадь перехода и барьерная емкость малы, рабочая частота высокая.

2 Метод диффузии атомов примеси из газообразной, жидкой фазы в полупроводник. Концентрация примеси плавно уменьшается по экспоненте.3 Метод эпитаксиального наращивания Поочередно наращиваются плёнки с нужным типом проводимости.