18.Схемы включения транзистора с об, оэ, ок.

В зависимости от того, какой из выводов транзистора является общим между источником сигнала на входе и выходной цепью транзистора, существуют три основные схемы включения транзистора в электрическую цепь: с об, с оэ, с ок

19.Основные параметры транзисторов: а) физические б) һ-параметры.

по схеме с общей базой: а) коэффициент усиления по токуK_I=dIk/dIэ Ток не усиливается, Iвых < I вх, что является недостатком схемы;.

б) коэффициент усиления по напряжениюK_U=dUвых/aUвх=dIkRk/dIэRвх Так как всегда можно подобратьRk>>Rвх, тоK_U>>1; в) коэффициент усиления по мощностиKp=K_IK_U;г) входное сопротивление Rвх=dUэб/dIэ, малое входное сопротивление является недостатком схемы, так как оно закорачивает источник сигнала, т.е. требуется большой входной ток;д) выходное сопротивление Rвых =dUкб/dIк;е) фазовый сдвиг выходного напряжения равен нулю.* h11=dU1/dI1|U2=0 – входное сопротивление при коротком замыкании на выходе (по переменному току);h12=dU1/dU2|I1=0 – коэффициент обратной связи по напряжению при холостом ходе на входе (по переменному току), h21=dI2/dI1|U2=0– коэффициент передачи тока при коротком замыкании на выходе;h22=dI2/dU2|I1=0– выходная проводимость транзистора при холостом ходе на входе.

20.Основные характеристики транзисторов, таблица основных параметров.

Парам	ОЭ	ОБ	ОК
КI	 − дес– сот ед		дес – сот ед
КU	дес – сот ед	дес – сот тыс
КР	сот ед-дес тыс	дес– сот	дес– сот
RВХ	сот Ом–ед. кОм	ед – сот Ом	дес – сот кОм
RВЫХ	ед – дес кОм	Сот кОм – ед МОм	сотни Ом
	π	0	0

Входной характеристикой для схемы с общей базой является зависимость входного тока I_Э от входного напряжения U_ЭБ при фиксированном выходном напряжении U_КБ I_Э = f(U_ЭБ) при U_КБ=const ( 5.6).Эта характеристика при U_кб=0 подобна вольт-амперной характеристике полупроводникового диода, смещенного в прямом направлении. При подаче положительного коллекторного напряжения U_кб>0 характеристика смещается влево. Это свидетельствует о наличии в транзисторе внутренней обратной связи. б) выходными характеристиками транзистора по схеме с ОБ являются зависимости выходного тока коллектора I_к от выходного напряжения U_кб при постоянном входном токе I_э I_к =f(U _кб)|I_э =const (5.7). *При I_э =0 характеристика совпадает с обратной ветвью диода, течет тепловой ток коллекторного перехода I_к0.При U_кб=0 и I_э > 0 ток коллектора I_к ≠ 0, т.к. основные носители области эмиттера, инжектированные в базу, дрейфуют через коллекторный p-n-переход в область коллектора. в) характеристика прямой передачи тока представляет собой зависимость выходного тока коллектора I_к от входного тока эмиттера I_Э при постоянном значении выходного напряжения U_кб I_К = f(I_э)|U_кб ( 5.8). Так как α < 1, то угол отклонения характеристики от оси абсцисс меньше 45. При U_кб > 0 характеристика отклоняется к биссектрисе угла, т.к. в результате модуляции базы ток коллектора I_к при постоянном токе эмиттера I_э увеличивается из-за уменьш толщины базы.