11.Туннельный диод. Обращенный диод.

В основу работы диода положен туннельный эффект. Концентрация примесей 10²¹ см^-3, поэтому диод имеет очень узкий р-n переход.

Уровень Ферми смещается в р-области в валентную зону, в n-области – в зону проводимости. Энергетические зоны перекрываются, носители переходят в другую энергетическую зону, оставаясь там основными, без затраты дополнительной энергии, поэтому диоды малоинерционны. диоды обладают температурной стабильностью и противорадиационной устойчивостью. *Вах приведена на рис пунктиром. Аб-участок отрицательного сопротивления. Туннельный эффект имеет место при обратном и небольшом прямом напряжениях, участок г0аб. бв – диффузия. Применяются для усиления, генерации, преобразования сигнала.*Обращенные диоды – это диоды с концентрацией примесей (10¹⁹ см^-3) меньше, чем у туннельных. Энергетические уровни не перекрываются, уровень Ферми совпадает с потолком валентной зоны р-области и дном зоны проводимости n-области, и туннельный эффект сохраняется только при обратном напряжении. Вах сплошной линией.0г -туннельный эффект, а 0бв – диффузия.Испол для индикации и детектирования слабых сигналов, в детекторах.

12.Контакт металл-полупроводник. Диод Шоттки.

В основе работы диода Шоттки используется выпрямляющий контакт ме-п\п-ник, кот изготавливается из качественного кремния с молибденом, нихромом, золотом, платиной или алюминием. (для изготовления контакта используют сложную структуру, состоящую из слоев: полупроводника с низким и выс уровнем легирования и металла. Причём металл выбирается так, чтобы контакт имел миним контактную разность потенциалов _к.)Особенности диода Шоттки:а) работает на основных носителях, отсутствует инжекция неосновных носителей, диффузионная емкость около нуля, выше быстродействие, так как оно определяется только барьерной емкостью;б) прямое напряжение меньше, чем у выпрямительных диодов;в) прямая ветвь вах строго экспоненциальная;г) имеет меньше разброс параметров; д)большая надежность и выс удароустойчивость;е)теплоотводящие свва.

13.Классификация транзисторов.

Транзисторы-п\проводниковые приборы, способные усиливать электрическую мощность, имеющие три или более выводов, один или более p-n переходов. Они предназначены для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний. Классификация: а) по устройству и принципу действия:1)Биполярные (с инжекцией)А.Триод(дрейфовый и без)Б.Однопереходные структуры ВФототранзистор

г.Тиристор 2)Униполярные(без инжекции)-С управляющим p-n переходом -С изолированным затвором б) по максимально допустимой мощности, рассеиваемой на коллекторе: малой средней большой мощности;в) по граничной частоте в каждой из указанных групп по мощности: низко– средне– высоко– сверхвысокочастотные;г) по конструкции и технологии изготовления:– сплавные плоскостные транзисторы;– плоскостные с диффузионной базой;– мезатранзисторы;– планарные;– эпитаксиально-планарные и т.д.; д) по материалу изготовления:– кремниевые, германиевые, арсенид галлиевые; е) по взаимному расположению областей проводимости: n-p-n и p-n-p