23.Униполярные транзисторы с изолированным затвором.

унитрон – полевой транзистор плоской конфигурации. В полевых тран-рах с изолированным затвором электрод затвора изолирован от полупроводниковой области канала слоем диэлектрика. Эти транзисторы имеют структуру металл – диэлектрик – полупроводник. Сопротивление канала изменяется за счет изменения концентрации подвижных носителей в поверхностном слое полупроводника под действием внешнего электрического поля. Поле создается напряжением, кот прикладывается к затвору. Затвор – металлический электрод, кот отделен от поверхности полупроводника слоем тонкой диэлектрической пленки. Наличие пленки позволяет подавать на затвор либо положительное, либо отрицательное напряжение. Ток через затвор в обоих случаях отсутствует. Транзисторы подразделяется на два класса:

с о встроенным и с индуцированным каналами.*При U_си ≠ 0 и Uз=0 течет ток стока I_с. При Uз<0 в канал притягиваются дырки – режим обогащения, ток I_с растет. При Uз>0 от затвора отталкиваются дырки – режим обеднения, ток I_с снижается.В транзисторе с индуцир каналом отсутствует структурно выраженный канал.

При Uз =0 , Uси не=0, то I_с=0 т к отсутствует проводимость между стоком и истоком. При Uз > 0 электроны притягиваются к поверхности I_с=0. Режим обеднения не применяется. При Uз < 0 притягиваются дырки и образуется индуцированный канал, по кот течет ток.

24.Тиристор, динистор.

д инистор- сочетание двух транзисторов:p-n-p и n-p-n типов (7.2)Почти всё внешнее напряжение U падает на переходе П2. Через прибор течет ток I = I_ко запертого коллекторного перехода. суммарный ток ,где М – коэффициент умножения; α₁, α₃ – коэффициенты передачи тока от П1 и П3 к П2.ВАХ можно разбить на 4 участка:а) 1 – малые токи и больш напряжениями – прибор выключен; б) П – переходный участок с отрицательным сопротивлением, процесс идет лавинообразно;в) Ш – динистор включен, напряжения малы, токи велики г) 1У – прибор выключен, обратная ветвь ВАХ, как у обычного диода.*Тиринстор- Прибор имеет дополнительный вывод от управляющего электрода, от n1 или р2 (7.4) возможно управление моментом включения прибора. ВАХ тиристора. Здесь I_у ‑ ток управления, при I_y0 характеристика совпадает с характеристикой динистора. Изменяя I_у, можно менять U_вкл независимо от внешнего напряжения.С увеличением I_у увеличивается α, М_α = 1 наступает раньше при меньшем U_вкл. При некотором I_у участок отрицательного сопротивления исчезает. Применяются в импульсных схемах, усилителях, генераторах, выпрямителях

2 5.Однопереходный транзистор. ‑ это полупроводниковый прибор с одним р-n переходом и тремя выводами. Представляет собой кристалл n-типа (база), в котором создается эмиттерная область р-типа. Вах I_Э = f(Uэ)| _=const В точке 0 при U_Б > 0 и Uэ = 0 через Б1 и Б2 течет небольшой ток смещения и создает падение напряжения U_Б1 на участке базы Б1. На участке 01 напряжение U_Б > 0, 0 ≤ U_Э ≤ U_Б1, переход (ЭБ1) смещен в обратном направлении и течет ток I_Э0, причем при увеличении U_Э ток I_Э0 уменьшается.В точке 1 ток I_Э0 = 0 при U_Э0 = U_Б1. В точке А при протекании прямого тока I_Э в базе Б1 идет накопление носителей, сопротивление R_Б1 и напряжение U_Б1 уменьшаются, а уменьшение U_Б1 равносильно увеличению U_Э относительно Б1. При U_Э = U_ВКЛ этот процесс идет лавинообразно: допустим I_Э увеличивается, тогда R_Б1 уменьшается, уменьшается U_Б1, Uэ увеличивается, уменьшается потенциальный барьер φ_к, увеличивается инжекция и ток I_э, уменьшается R_Б1 и т. д.На участке АВ резко увеличивается I_Э, уменьшается U_Э, это участок отрицательного сопротивления.В точке Д, когда слой Б1 насыщается зарядами, его сопротивление перестает уменьшаться.На участке СВ ток Iэ увеличивается из-за увеличения Uэ.При увеличении I_Э ВАХ смещается параллельно вправо, при умен U_Б ‑ влево, при U_Б = 0 ‑ совпадает с харкой диода.

2 6.Светодиод.В основе работы светодиода лежит излучательная рекомбинация в p-n- переходе. При прямом смещении инжектированные неосновные носители вблизи перехода рекомбинируют в базе с основными. При этом излучаются кванты света. Излучение может быть в инфракрасной, видимой и ультрафиолетовой частях спектра.

Плоская конструкция ( 8.7,а) Рабочая поверхность большая, но мала эффективность. Используется в матричных устройствах с большой плотностью упаковки.Полусферическая (8.7,б) по технологии сложней, но выигрывает в эффективности.Светодиод с перестраиваемым цветом свечения (8.7,в) представляет двухдиодную структуру, каждый из p-n переходов управляется независимо. Недостатками являются:а) низкая эффективность;б) старение.

Достоинства: а) механическая прочность;б) высокая надёжность;в) малые габариты;г) низкие рабочие температуры;д) малое потребление энергии;е) безынерционность.