- •Електроніки:
- •Передмова
- •Розділ 1 елементи напівпровідникової електроніки
- •Ключові терміни та поняття:
- •1.1. Напівпровідникові діоди
- •1.2. Біполярні транзистори
- •Параметри біполярних транзисторів
- •1.3. Польові транзистори
- •1.4. Тиристори
- •1.5. Оптоелектронні елементи
- •Приклади до розділу
- •Запитання для самоперевірки
- •Задачі на самостійне опрацювання
- •Розділ 2 електронні ключі
- •2.1 Транзисторні електронні ключі
- •2.2 Тиристорні електронні ключі
- •2.3 Імпульсні перетворювачі Ключові терміни та поняття:
- •2.1. Транзисторні електронні ключі
- •2.2. Тиристорні електронні ключі
- •2.3. Імпульсні перетворювачі
- •Приклади до розділу
- •Запитання для самоперевірки
- •Задачі на самостійне опрацювання
- •Розділ 3 випростувачі змінного струму
- •3.1 Некеровані однофазні випростувачі
- •3.2 Керовані однофазні випростувачі
- •3.3 Трифазні випростувачі Ключові терміни та поняття:
- •3.1. Некеровані однофазні випростувані
- •3.2. Керовані однофазні випростувачі
- •3.3. Трифазні випростувані
- •Основні співвідношення параметрів схем випростувачів (резистивне навантаження)
- •Приклади до розділу
- •Запитання для самоперевірки
- •Задачі на самостійне опрацювання
- •Розділ 4 згладжувальні фільтри
- •4.1 Пасивні згладжу вальні фільтри
- •4.2 Активні згладжу вальні фільтри Ключові терміни та поняття:
- •4.1. Пасивні згладжу вальні фільтри
- •4.2. Активні згладжувальні фільтри
- •Приклади до розділу
- •Запитання для самоперевірки
- •Задачі на самостійне опрацювання
- •Розділ 5 стабілізатори напруги
- •5.1 Параметричні стабілізатори напруги
- •5.2 Компенсаційні стабілізатори напруги Ключові терміни та поняття:
- •5.1. Параметричні стабілізатори напруги
- •5.2. Компенсаційні стабілізатори напруги
- •Приклади до розділу
- •Запитання для самоперевірки
- •Задачі на самостійне опрацювання
- •Підсилювачі електричних сигналів
- •Структура підсилювачів
- •Одиокаскадиі підсилювачі
- •Зворотні зв'язки в підсилювачах Ключові терміни та поняття:
- •6.1. Структура підсилювачів
- •6.2. Однокаскадні підсилювачі
- •6.3. Зворотні зв'язки в підсилювачах
- •Приклади до розділу
- •Запитання для самоперевірки
- •Задачі на самостійне опрацювання
- •7.2. Аналогові схеми на базі оп
- •7.2.1. Масштабні інвертувальні підсилювачі
- •7.2.2. Масштабні неінвертувальні підсилювачі
- •7.2.3. Масштабні суматори
- •7.2.4. Інтегратори
- •7.2.5. Компаратори
- •Приклади до розділу
- •Запитання для самоперевірки
- •Задачі на самостійне опрацювання
- •Генератори гармонійних коливань
- •План (логіка) викладу матеріалу
- •Стабілізація частоти коливань автогенераторів Ключові терміни та поняття:
- •8.3. Стабілізація частоти коливань автогенераторів
- •Приклади до розділу
- •Запитання для самоперевірки
- •Задачі на самостійне опрацювання
- •Генератори імпульсів
- •9.1. Мультивібратори
- •9.2. Одновібратори
- •9.1. Мультивібратори
- •9.2. Одновібратори
- •Приклади до розділу
- •Генератори лінійно-змшної напруги
- •Ключові терміни та поняття:
- •Приклади до розділу
- •11.1. Перетворювачі з безпосереднім зв'язком
- •11.2. Перетворювачі з проміжною ланкою
- •Приклади до розділу
- •Запитання для самоперевірки
- •Логічні операції та елементи
- •Ключові терміни та поняття:
- •Запитання для самоперевірки
- •Задачі на самостійне опрацювання
- •План (логіка) викладу матеріалу
- •Тригери Шмітта Ключові терміни та поняття:
- •13.4. Тригер шмітта
- •Приклади до розділу
- •14.1. Аналогово-цифрові перетворювачі
- •Аналогово-цифрові перетворювачі
- •Цифрово-аналогові перетворювачі Ключові терміни та поняття:
- •14.2. Цифрово-аналогові перетворювачі
- •Приклади до розділу
- •Ключові терміни та поняття:
- •Приклади до розділу
- •Структура мікропроцесорів
- •Формування команд Ключові терміни та поняття:
- •16.1. Структура мікропроцесорів
- •16.2. Формування команд
- •Ключові терміни та поняття:
- •17.1. Лінійний принцип керування
- •17.1.1. Широтно-імпульсні перетворювачі
- •17.2. Косинусний принцип керування
- •17.3. Цифрові системи керування
- •Ключові терміни та поняття:
- •18.1.1. Приклад розрахунку стабілізованого джерела постійної напруги
- •18.2. Система широтно-імпульсного керування
- •Формувачі керуючих сигналів для транзисторних ек
- •Фкс кремнієвих силових транзисторів
- •Фкс германієвих силових транзисторів
- •18.2.1. Приклад розрахунку системи широтно-імпульсного керування
- •Основні параметри некерованих вентилів
- •Список літератури
- •Підручник
1.2. Біполярні транзистори
٭ Біполярні транзистори — це напівпровідникові елементи, що мають три зони провідності (рис. 6), які утворюють два р-п-переходи. Ці зони називають: емітерна (виділяє носії заряду), база (має властивість керувати цими зарядами) і колекторна (збирає носії заряду). Відповідно, кожна з зон має свій вивід, який маркується: К - колектор; Б - база; Е - емітер. Залежно від типу вільних носіїв заряду в цих зонах, транзистори поділяються за типом на р-n-р чи n-р-n.
Рис. 6. Біполярний транзистор: р-n-р - тилу - структура (а), схемне зображення (б); п-р-n - типу - структура (в), схемне зображення (г)
Наявність p-n-переходів визначає два стани транзистора: відкритий і закритий. У відкритому транзисторі струм проходить від емітера до колектора. Для цього в транзисторі типу р-п-р (рис. 6, а) до кожного p-n-переходу потрібно прикласти напругу певної полярності, а саме: між емітером і базою - в прямому напрямку, тобто до емітера «+», а до бази «-»; між колектором і базою - в зворотному напрямку - до колектора «-», до бази «+». Для транзисторів п-р-п-типу полярність прикладених напруг протилежна (рис. 6, в).
За наявності прикладених напруг вільні заряди із зони емітера переходять у зону бази, де частина з них рекомбінує. За рахунок того, що зона бази є невеликою (декілька мікронів), то більшість цих зарядів потрапляють під дію напруги UБК і переходять в зону колектора. Таким чином, утворюються струми емітера ІЕ, бази ІБ та колектора ІК (рис. 7), які підпорядковані першому закону Кірхгофа ІЕ = ІК+ІБ, а зв'язок між вихідним і вхідним струмами визначається коефіцієнтом пересилання за струмом
Рис. 7. Проходження струмів транзистора у відкритому стані
Таке
увімкнення транзистора називають із
спільною базою (рис.
8,
а). Але
враховуючи, що IБ
є незначним, практично приймають IЕ
= IК,
то в такій
схемі Кі
1,
тому
транзистор доцільно вмикати за схемою
зі спільним
емітером (рис. 8, б). Оскільки струм ІБ
є
вхідним струмом і незначним
за величиною, то така схема забезпечує
значне підсилення приросту струму в
порівнянні зі схемою зі спільною базою
Рис.8. Схеми вмикання транзистора: із спільною базою (а); із спільним емітером (б)
Для транзисторів, увімкнених за схемою із спільним емітером, цей коефіцієнт позначають β. Але в паспортних даних подається величина одного із h-параметрів, який для схеми із спільним емітером дорівнює коефіцієнту β
Для такої схеми ввімкнення цей коефіцієнт складає β≈50, а враховуючи, що КU 100, отримуємо значний коефіцієнт підсилення за потужністю КP=КUКI. Завдяки цій підсилювальній властивості транзистори знайшли широке застосування в схемах підсилення електричних сигналів.
а) б)
Рис.9. Вхідні (а) та вихідні (б) характеристики р-п-р транзистора, увімкненого за схемою зі спільним емітером
Залежність між струмом і напругою входу чи виходу для певної схеми ввімкнення транзистора називають вхідною чи вихідною характеристиками транзистора відповідно. Зазвичай, це сімейство характеристик для фіксованих значень вихідної чи вхідної величини. На рис. 9 подано вхідні IБ = ƒ(UБЕ)|UЕК=const і вихідні IK = ƒ(UЕК)|IБ=const характеристики для транзистора типу р-п-р, увімкненого за схемою зі спільним емітером. Характеристики транзистора використовуються для вибору робочої точки в схемах підсилювачів сигналів.
До основних параметрів біполярних транзисторів відносять: UЕК - напругу між емітером і колектором, величина якої може призвести до пробою колекторного p-n-переходу; IK - величину струму колектора, яка визначає нагрівання емітерного p-n-переходу; Рк - потужність розсіювання колекторного p-n-переходу, що впливає на його нагрівання.
Тому, під час вибору транзисторів, ці розрахункові величини порівнюють з допустимими значеннями, поданими в паспортних даних для кожного з типів транзисторів:
;
;
До параметрів транзисторів відносять також граничну частоту ƒгр, на якій передатний коефіцієнт за струмом h21E дорівнює одиниці.
Сучасні біполярні транзистори, що випускаються промисловістю, поділяють за потужністю, основні параметри яких подано в табл. 2.
Таблиця 2
