Ключові терміни та поняття:

інтегральна схема, напівпровідникова ІС, гібридна ІС, середня ІС, велика ІС, надвелика ІС, функціональна ознака ІС, класифікація ІС.

Швидкі темпи розвитку електроніки привели до створення інтегральних схем (ІС чи мікросхем). Такі ІС може містити до 10000 елементів в 1 см , що дає змогу реалізувати складні функціональні схеми. У мікросхемах реалізують усі напівпровідникові елементи, а також резистори та конденсатори (використовується ємність p-n-переходів). Технологічно не можна реалізувати тільки індуктивність, тому усі ІС виготовляють без індуктивності й відповідно без трансформаторів.

За технологією виготовлення вони поділяються на напівпровідникові та гібридні.

Рис. 84. Приклад структури напівпровідникової ІС

Напівпровідникові (монолітні) ІС виробляють на спільній для всіх елементів напівпровідниковій основі (рис. 84), переважно — це багатокристальний кремній. При такій технології всі елементи формуються в одному технологічному циклі. Використання ІС дає змогу уникнути шкідливої роботи (паяння окремих елементів) й разом з тим забезпечити надійність схем. Основна перевага — це мала споживана потужність (до 200 мВт, а для логічних ІС — до 100 мкВт), а також висока тривалість роботи — до 10 годин. Крім того, досягається значне зменшення габаритів і вартості готової продукції.

Гібридні ІС характеризуються тим, що пасивні елементи реалізують за допомогою плівок (золотих чи алюмінієвих), які наносяться на монолітну схему. При такій технології для ІС використовують МДН-транзистори, що дозволяє отримати їх швидкодію до 20 наносекунд.

Функціональна можливість ІС визначається кількістю активних елементів (насамперед транзисторів). Для прикладу, на рис. 85 зображено електричну схему простої мікросхеми ОП 140УД1.

Рис. 85 . Електрична схема мікросхеми ОП 140УД1

Тому ІС поділяють відповідно до кількості інтегрованих елементів (табл.7).

Таблиця 7 - Класифікація інтегральних схем

ІС	Кількість елементів	Літерне позначення
Проста	<10	ІС
Середня	10<100	СІС
Велика	100 <1000	ВІС
Надвелика	>1000	НВІС

ІС характеризуються механічною стійкістю, діапазоном робочих температур, надійністю (108 годин безперебійної роботи), малою споживаною потужністю (до 200 мВТ). Крім того, залежно від функціонального призначення ІС, подаються такі параметри:

• лінійно-імпульсні ІС — коефіцієнт підсилення за напругою, вхідний і вихідний опори, максимальне значення вихідної напруги, межі частотного діапазону;

• логічні ІС — вхідна та вихідна напруги, швидкодійність.

Маркування (класифікація) ІС здійснюється відповідно до прийнятої системи позначень й складається з чотирьох елементів:

1-й елемент — цифра, що вказує на тип ІС (1, 5, 7) — напівпровідникові; 2, 4, 6, 8 — гібридні; З — інші);

2-й елемент — дві або три цифри, які вказують на номер серії ІС, що виготовляється;

3-й елемент — дві літери, які вказують на функціональне призначення ІС (табл. 8). Перша літера вказує на призначення ІС, а друга уточнює її спеціалізацію;

4-й елемент — цифра, що відповідає порядковому номеру ІС, з функціональною ознакою у цій серії.

Наприклад: 283ЕН4 — стабілізатор напруги на базі гібридної ІС 83 серії.

Як додаткова інформація п'ятим елементом позначення може бути літера, яка вказує на розкид параметрів ІС в межах серії, наприклад: 123НД6А — напівпровідникова ІС набір діодів серії 23, типу А. Для безкорпусних ІС через дефіс подається цифра, яка вказує на кон­структивні особливості мікросхеми (1 — з гнучкими виводами; 2 — з павукоподібними; 3 — з жорсткими виводами; 4 — з нерозділеними; 5 — виводами, наклеєними на плівці; 6 — без виводів). Наприклад: 140МФ8-3 — напівпровідникова ІС, фазовий модулятор, серії 40 з жорсткими виводами.

Для ІС широкого вжитку на початку умовного позначення ста­виться літера К. Після неї може йти друга літера, яка вказує на тип корпусу мікросхеми (П — пластмасовий; К — керамічний; Б — без корпусу). Наприклад: КП140УД7 — напівпровідникова ІС у пластмасовому корпусі, операційний підсилювач, серії 40.

Таблиця 8 - Функціональні ознаки інтегральних схем

Назва мікросхеми	Літерне означення	Функціональне призначення	Літерне позначення
І	2	3	4
Формувач сигналу	А	Імпульси прямокутної форми	Г
		Імпульси спеціальної форми	Ф
Схема затримки	Б	Пасивна	М
		Активна	Р
Генератор сигналу	Г	Гармонійного сигналу	С
		Прямокутного сигнапу	Г
		Лінійно-змінного сигналу	Л
		Сигналів спеціальної форми	Ф
Детектор	Д	Амплітудний	А
		Частотний	С
		Фазовий	Ф
Джерело живлення	Е	Випростувальне	Б
		Стабілізатор напруги	Н
		Стабілізатор струму	Т
Дискретний пристрій	І	Регістр	Р
		Суматор	М
		Лічильник	Е
		Шифратор	В
		Дешифратор	Д
Комут am op	К	Напруги	Н
		Струму	Т
Логічний елемент	Л	Елемент І-НЕ	А
		Елемент АБО-НЕ	Е
		Елемент І	І
		Елемент АБО	Л
		Елемент НЕ	Н
		Елемент І-АБО	С
		Амплітудний	А
		Частотний	С
		Фазовий	Ф
		Імпульсний	І

І	2	3	4
Набір елементів	Н	Діоди	Д
		Транзистори	Т
		Резистори	Р
		Конденсатори	Е
Перетворювач інформації	П	Частоти	С
		Напруги	Н
		Код-аналог	А
		Аналог-код	В
Елемент запам ятаву- вального пристрою	р	Матриця нагромаджувальна: ОЗП	М
		ПЗП	В
Схема порівняння	С	Амплітуди	А
		Часу	В
		Частоти	С
		Фази	Ф
Тригер	Т	Типу JK	В
		RS	Р
		D	М
		Т	Т
		Шмітта	Л
Підсилювач	У	Високої частоти	В
		Низької частоти	Н
		Постійного струму	Т
		Операційний	Д
Фільтр		Верхніх частот	В
		Нижніх частот	Н
		Смуговий	Е
Багатофункці- ональні схеми	Ч	Аналогові	А
		Цифрові	Л