- •Оглавление
- •1 Введение в функциональную электронику
- •Основные направления развития функциональной микроэлектроники
- •2 Оптоэлектроника и оптоэлектронные устройства
- •2.1 Оптоэлектронные приборы
- •2.1.1 Оптопары
- •2.1.2 Резисторные оптопары
- •2.1.3 Диодные оптопары
- •2.1.5 Тиристорные оптопары
- •2.1.4 Транзисторные оптопары
- •2.1.6 Оптоэлектронные микросхемы
- •2.1.7 Параметры оптопар
- •2.2 Оптическая память
- •2.2.1 Оптические запоминающие устройства
- •2.2.2 Оптические запоминающие среды
- •2.3 Основы интегральной оптики
- •2.4 Устройства и элементная база интегральной оптики
- •2.5 Оптические волокна: их типы и характеристики. Волноводы
- •2.6 Интегрально-оптические схемы
- •3. Функциональная полупроводниковая электроника, приборы с зарядовой связью.
- •3.1. Физические основы
- •3.1.1. Динамические неоднородности в полупроводниках
- •3.1.2. Континуальные среды
- •3.1.3. Генераторы динамических неоднородностей
- •3.1.4. Устройства управления динамическими неоднородностями
- •3.1.5. Детекторы динамических неоднородностей
- •3.2. Приборы и устройства функциональной полупроводниковой электроники
- •3.2.1. Аналоговые процессоры на пзс-структурах
- •3.2.2. Цифровые процессоры на пзс-структурах
- •3.2.3. Запоминающие устройства на пзс-структурах
- •3.2.4. Биспин-приборы
- •3.2.5. Приборы на волнах пространственного заряда
- •3.2.6. Ганновские приборы
- •4 Функциональная магнитоэлектроника, приборы и устройства функциональной магнитоэлектроники
- •4.1. Физические основы функциональной магнитоэлектроники
- •4.1.1. Динамические неоднородности в магнитоэлектронике
- •4.1.2. Континуальные среды
- •4.1.3. Генерация, детектирование и управление динамическими неоднородностями
- •4.2. Приборы и устройства функциональной магнитоэлектроники
- •4.2.1. Процессоры сигналов на цмд
- •4.2.2. Процессоры сигналов на мсв
- •4.2.3. Запоминающие устройства на цмд
- •4.2.4. Запоминающие устройства на магнитных вихрях
- •5. Функциональная акустоэлектроника и приборы функциональной акустоэлектроники
- •5.1. Физические основы
- •5.1.1. Динамические неоднородности
- •5.1.2. Континуальные среды
- •5.1.3. Генераторы динамических неоднородностей
- •2.1.4. Устройство управления динамическими неоднородностями
- •5.1.5. Детектирование динамических неоднородностей
- •5.2. Приборы функциональной акустоэлектроники
- •2.2.1. Линии задержки
- •5.2.2. Устройства частотной селекции
- •5.2.3. Генераторы на пав
- •5.2.4. Усилители
- •5.3. Нелинейные устройства
- •5.3.1. Физические основы
- •5.3.2. Конвольверы
- •5.3.3. Устройства памяти
- •5.3.4. Фурье-процессоры
- •5.4 Акустоэлектроника в системах связи
- •6. Физические основы квантовой электроники
- •6.1. Спонтанное и вынужденное излучение
- •6.2 Спектральные линии
- •6.3 Поглощение и усиление
- •6.4 Принципы работы лазера
- •6.5 Типы лазеров
- •6.5.1. Лазеры на основе конденсированных сред
- •6.5.1.1. Твердотельные лазеры
- •6.5.1.2. Полупроводниковые лазеры
- •6.5.1.3. Жидкостные лазеры
- •6.5.2 Газовые лазеры
- •6.5.2.1 Лазеры на нейтральных атомах
- •6.5.2.2 Ионные лазеры
- •6.5.2.3 Молекулярные лазеры
- •6.5.2.4 Эксимерные лазеры
- •6.5.2.5 Газодинамические лазеры
- •6.5.3 Химические лазеры
- •6.5.4 Лазеры на парах металла
- •6.5.5 Лазеры на свободных электронах
- •7. Функциональная диэлектрическая электроника
- •7.1. Физические основы
- •7.1.1. Динамические неоднородности
- •7.1.2. Континуальные среды
- •7.1.3. Генераторы динамических неоднородностей
- •7.1.4. Другие элементы приборов
- •7.2. Приборы и устройства функциональной диэлектрической электроники
- •7.2.1. Слоистые структуры
- •7.2.2. Устройства памяти
- •7.2.3. Процессоры
- •8 Функциональная молекулярная электроника
- •8.1 Физические основы
- •8.1.1. Динамические неоднородности
- •8.1.2. Континуальные среды
- •8.1.3. Другие элементы приборов
- •8.2. Молекулярные устройства
- •8.3. АВтоволновая электроника
2.2.1. Линии задержки
Простейшим процессором сигналов является линия задержки (ЛЗ), которая предназначена для временной задержки сигналов без заметных их искажений.
Рисунок 5.11 – Классификация устройств функциональной акустоэлектроники
Основным преимуществом ЛЗ на ПАВ являются их небольшие габариты, достаточно широкий диапазон частот (до I0 Гц), хорошая температурная стабильность (~10-6 °С-1), свойства обусловлены, прежде всего, особенностями ПАВ, а именно невысокой (~105 см/с) скоростью распространения, бездисперсионностью, эффективным преобразованием электрической энергии в акустическую и наоборот. Классификация линий задержки приведена на схеме, представленной на рис. 5.11.
Линии с однократной задержкой сигнала предназначены для однократного или единично го съема информационного сигнала и должны обеспечивать заданную задержку и форму АЧХ-сигнала с максимальной точностью в пределах широкого диапазона температур. Конструктивное решение линии задержки определяется требуемым временем задержки сигнала, а полоса пропускания выбранной топологией ВШП (рис. 5.12, а). Исходя из обобщенной модели изделия функциональной электроники, заметим, что в качестве континуальной среды в ЛЗ чаще используются кварц Y-среза (ST), ниобат лития, германат висмута. Выбор конкретного материала осуществляется на основе энергетического критерия, позволяющего обеспечить минимальные потери, или на основе критерия температурной стабильности параметров.
Генератором динамических неоднородностей в виде ПАВ служит ВШП, как правило, неаподизированный и эквидистантный, Расчет ВШП ПАВ производится исходя из принципа оптимального энергетического согласования в полосе частот. Проще было бы согласование произвести на центральной частоте — частоте акустического синхронизма. Поэтому необходимо обеспечить в акустическом тракте звукопровода равенство электрической и акустической добротностей.
Электрическая добротность Qэ определяется коэффициентом электромеханической связи и числом пар штырей ВШП N:
Qэ
Акустическая добротность Qa тракта определяется как
Qа
Число электродов ВШП N выбирается исходя из соотношения
N
,
где
— коэффициент, учитывающий уменьшение
полосы пропускания, соответствующей
произведению амплитудно-частотных
характеристик (АЧХ) входного и выходного
ВПШ. Тогда при
0,6
+ 0,8 величина
Qа
.
Зависимости Qэ=f(N) и Qа =f(N) приведены на рис. 5.12, б.
Можно выделить три области на графиках. При N<Nopt на частоте акустического синхронизма при Rг = Rп входная и выходная цепи будут согласованы. При этом 50% энергии источника преобразуется в ПАВ. Однако в этой области Qэ>Qa и полоса частот будет урезана. Для увеличения полосы частот акустической цепи необходимо зашунтировать электрический контур, например, увеличив сопротивление генератора Rг. Оптимальным режимом является Qэ = Qa, выполняемое при оптимальном числе пар штырей ВШП
Nopt=
При N>Nopt , ширина полосы пропускания электрической цепи будет больше, чем у акустической. С точки зрения минимизации вносимых потерь такой преобразователь предпочтительней малоэлектродного (N< Nopt). Вводится величина Р, характеризующая степень рассогласования:
P=
.
(5.5)
Рисунок 5.12 – Линия с однократной задержкой сигнала: а — общий вид; 1 — входной ВШП; 2 — континуальная среда; 3— выходной ВШП; 4 — поглотители ПАВ; L, Rr, r— индуктивность, сопротивление и напряжение генератора входной цепи, соответственно; С, RH — ёмкость и сопротивление нагрузки выходной цепи; б—зависимость акустической и электрической добротности от числа электродов ВШП; в — импульсный отклик на сигнал 5(т); г — форма радиоимпульса; д — отклик ЛЗ на радиоимпульс
Шаг электродов d выбирается исходя из заданной центральной частоты
d=Va/2f0,
а ширина электродов а, как правило, равна расстоянию между ними b (а=b) и тогда
а=Vа/4f0.
Минимальное значение апертуры ВШП определяется дифракционными потерями и может быть оценено из соотношения:
Wmin
>
.
Время задержки сигнала
=L/Va,
где L — длина звукопровода. Максимальное значение апертуры ограничивается конечной шириной звукопровода.
Переотражение
акустической волны между преобразователями
вызывает ложный сигнал тройного
прохождения. Его задержка по отношению
ко времени входного сигнала составляет
величину З
.
Этот сигнал искажает АЧХ. При подаче на
вход ЛЗ одиночного импульса
,
обладающего единичной амплитудой и
бесконечно малой длительностью, на
выходе возникнет акустический сигнал,
задержанный на время
= L/Va.
Если входной и
выходной ВШП одинаковы, то отклик имеет
огибающую в форме ромба с общей
длительностью, равной сумме длительностей
переднего и заднего фронтов. Огибающая
заполнена колебаниями частоты f0.
Если же на вход ЛЗ подать радиоимпульс,
спектр входного сигнала которого
уже полосы пропускания ЛЗ (рис. 5.12, г),
то на выходе появится сигнал с фронтами
2
0 (рис. 2.12, д). При этом следует иметь
в виду, что входной и выходной
преобразователи идентичны, а частота
заполнения радиоимпульса равна частоте
акустического синхронизма ВШП. Задержка
в этом случае также определяется
соотношением
= L/ Va.
На точность воспроизведения задержки
влияет, прежде всего, точность изготовления
фотошаблонов, ошибки при совмещении и
экспонировании, точность ориентации
звукопровода. Сказывается и ограниченная
термостабильность скорости
распространения ПАВ. Линии задержки на
ПАВ отличает широкий динамический
диапазон Д [дБ ], определяемый выражением:
Д= 20·B·lgUвх.max/Uвых.min,
где Uвх.max—
максимально возможное входное напряжение;
Uвых.min
— минимальное напряжение на выходе ЛЗ,
обеспечивающее выделение его на фоне
шумов, В— вносимые ЛЗ потери,
измеряемые в децибелах. Величина
динамического диапазона составляет 80
120 дБ.
Многоотводные линии задержки (МЛЗ) предназначены для увеличения максимального времени задержки, увеличения числа дискретных диапазонов задержки, регулировки времени задержки. Максимальную задержку сигналов можно получить, эффективно управляя распространением ПАВ. Увеличивая траекторию распространения ПАВ в пределах одного звукопровода, можно получить заданные параметры. На рис. 5.13 приведены некоторые, конструктивно-технологические решения, связанные с увеличением звукового тракта.
Рисунок 5.13 – Многоотводная линия задержки: а — матричная конструкция; б — плёночный звукопровод; в — каскадное включение парциальных ЛЗ
Матричная конструкция МЛЗ имеет входной ВШП и матрицу выходных, располагающихся по т в n независимых каналах (рис. 5.13, а). Шаг в одном составляет L, дискрет задержки l = L/ п. Другие варианты, например, могут быть связаны с созданием звукового тракта в виде ломаной линии с использованием пьезоэлектрических пленок в качестве континуальной среды (рис. 5.13, б). Рассмотренные конструкции не обеспечивают подавление трехзаходного сигнала и объемных, волн, возникающих между ВШП и тыльной стороной звукопровода. Конструкция каскадного включения парциальных ЛЗ позволяет избежать этих помех (рис. 5.13, в). Парциальные ЛЗ выполнены на подложках различной толщины l1 и l2 так, что АЧХ объемно-волновых трактов не совпадают и отсутствует результирующая частота их взаимодействия.
Процесс производства МЛЗ заключается в поиске конструктивных и электрических характеристик звеньев линии задержки.
Дисперсионные линии задержки (ДЛЗ) предназначены для формирования зависимости задержки от частоты сигнала.
В ДЛЗ используется генерирующий ВШП с неэквидистантным расположением штырей. Шаг электродов меняется от
dmax= Va/2fmin
до
dmin= Va/2fmax,
где fmin и fmax — нижняя и верхняя частоты девиации ДЛЗ. В отличие от физической дисперсии используется "топологическая" дисперсия. На рис. 5.14, а представлена одна из конструкций ДЛЗ. Генерирующий ВШП несимметричен и неаподизирован, а детектирующий имеет малое число штырей и рассчитан на широкую полосу АЧХ. Дисперсионная характеристика имеет линейный характер (рис. 5.14, б). Основное достоинство ДЛЗ несимметричной конструкции заключается в достаточно простом способе изменения наклона дисперсионной характеристики.
С помощью ДЛЗ можно формировать линейно-частотно-модулированные сигналы (ЛЧМ). Лишенный закон изменения задержки сигнала от частоты может быть обеспечен уменьшением шага электродов ВШП.
Рисунок 5.14 – Дисперсионная линия задержки с "топологической" дисперсией (а) и ее характеристика (б)
Можно также сформировать линейную дисперсионную характеристику, используя топологию с увеличивающимся шагом.
