- •Оглавление
- •1 Введение в функциональную электронику
- •Основные направления развития функциональной микроэлектроники
- •2 Оптоэлектроника и оптоэлектронные устройства
- •2.1 Оптоэлектронные приборы
- •2.1.1 Оптопары
- •2.1.2 Резисторные оптопары
- •2.1.3 Диодные оптопары
- •2.1.5 Тиристорные оптопары
- •2.1.4 Транзисторные оптопары
- •2.1.6 Оптоэлектронные микросхемы
- •2.1.7 Параметры оптопар
- •2.2 Оптическая память
- •2.2.1 Оптические запоминающие устройства
- •2.2.2 Оптические запоминающие среды
- •2.3 Основы интегральной оптики
- •2.4 Устройства и элементная база интегральной оптики
- •2.5 Оптические волокна: их типы и характеристики. Волноводы
- •2.6 Интегрально-оптические схемы
- •3. Функциональная полупроводниковая электроника, приборы с зарядовой связью.
- •3.1. Физические основы
- •3.1.1. Динамические неоднородности в полупроводниках
- •3.1.2. Континуальные среды
- •3.1.3. Генераторы динамических неоднородностей
- •3.1.4. Устройства управления динамическими неоднородностями
- •3.1.5. Детекторы динамических неоднородностей
- •3.2. Приборы и устройства функциональной полупроводниковой электроники
- •3.2.1. Аналоговые процессоры на пзс-структурах
- •3.2.2. Цифровые процессоры на пзс-структурах
- •3.2.3. Запоминающие устройства на пзс-структурах
- •3.2.4. Биспин-приборы
- •3.2.5. Приборы на волнах пространственного заряда
- •3.2.6. Ганновские приборы
- •4 Функциональная магнитоэлектроника, приборы и устройства функциональной магнитоэлектроники
- •4.1. Физические основы функциональной магнитоэлектроники
- •4.1.1. Динамические неоднородности в магнитоэлектронике
- •4.1.2. Континуальные среды
- •4.1.3. Генерация, детектирование и управление динамическими неоднородностями
- •4.2. Приборы и устройства функциональной магнитоэлектроники
- •4.2.1. Процессоры сигналов на цмд
- •4.2.2. Процессоры сигналов на мсв
- •4.2.3. Запоминающие устройства на цмд
- •4.2.4. Запоминающие устройства на магнитных вихрях
- •5. Функциональная акустоэлектроника и приборы функциональной акустоэлектроники
- •5.1. Физические основы
- •5.1.1. Динамические неоднородности
- •5.1.2. Континуальные среды
- •5.1.3. Генераторы динамических неоднородностей
- •2.1.4. Устройство управления динамическими неоднородностями
- •5.1.5. Детектирование динамических неоднородностей
- •5.2. Приборы функциональной акустоэлектроники
- •2.2.1. Линии задержки
- •5.2.2. Устройства частотной селекции
- •5.2.3. Генераторы на пав
- •5.2.4. Усилители
- •5.3. Нелинейные устройства
- •5.3.1. Физические основы
- •5.3.2. Конвольверы
- •5.3.3. Устройства памяти
- •5.3.4. Фурье-процессоры
- •5.4 Акустоэлектроника в системах связи
- •6. Физические основы квантовой электроники
- •6.1. Спонтанное и вынужденное излучение
- •6.2 Спектральные линии
- •6.3 Поглощение и усиление
- •6.4 Принципы работы лазера
- •6.5 Типы лазеров
- •6.5.1. Лазеры на основе конденсированных сред
- •6.5.1.1. Твердотельные лазеры
- •6.5.1.2. Полупроводниковые лазеры
- •6.5.1.3. Жидкостные лазеры
- •6.5.2 Газовые лазеры
- •6.5.2.1 Лазеры на нейтральных атомах
- •6.5.2.2 Ионные лазеры
- •6.5.2.3 Молекулярные лазеры
- •6.5.2.4 Эксимерные лазеры
- •6.5.2.5 Газодинамические лазеры
- •6.5.3 Химические лазеры
- •6.5.4 Лазеры на парах металла
- •6.5.5 Лазеры на свободных электронах
- •7. Функциональная диэлектрическая электроника
- •7.1. Физические основы
- •7.1.1. Динамические неоднородности
- •7.1.2. Континуальные среды
- •7.1.3. Генераторы динамических неоднородностей
- •7.1.4. Другие элементы приборов
- •7.2. Приборы и устройства функциональной диэлектрической электроники
- •7.2.1. Слоистые структуры
- •7.2.2. Устройства памяти
- •7.2.3. Процессоры
- •8 Функциональная молекулярная электроника
- •8.1 Физические основы
- •8.1.1. Динамические неоднородности
- •8.1.2. Континуальные среды
- •8.1.3. Другие элементы приборов
- •8.2. Молекулярные устройства
- •8.3. АВтоволновая электроника
6.5.2 Газовые лазеры
Газовый лазер представляет собой лазер, в котором активной средой являются газы, пары или смеси газов или паров.
Как и все типы лазеров, газовый лазер состоит из следующих основных элементов:
□ активная среда с усилением на одной или нескольких линиях;
□ оптический резонатор для создания положительной обратной связи;
□ устройство накачки для создания инверсной населенности уровней.
Трубку или камеру с активной газовой средой помещают в оптический резонатор, состоящий из зеркал различной конфигурации. Плоскости зеркал должны быть перпендикулярны продольной оси трубки или камеры с газом. При создании в газе инверсной населенности уровней в результате накачки электромагнитным полем стимулируется процесс вынужденного излучения. Лазерное излучение выводится из резонатора через полупрозрачное зеркало, через края непрозрачного зеркала или через отверстие в нем. Среди отличительных особенностей газовых лазеров по сравнению с лазерами на конденсированных средах следует отметить следующие:
□ высокая оптическая однородность активной среды;
□ узкие спектральные линии излучения;
□ высокая степень когерентности излучения;
□ острая направленность излучения;
□ стабильность частоты излучения;
□ широкий диапазон рабочих длин волн излучения;
□ возможность использования активных газовых сред большого объема и протяженности.
По способу накачки газовые лазеры условно делятся на газоразрядные, газодинамические и химические
6.5.2.1 Лазеры на нейтральных атомах
Первым газовым лазером был гелий-неоновый лазер. Он относится к газоразрядным лазерам. Инверсная населенность уровней в нем осуществляется с помощью газового разряда. Атомы возбуждаются при их соударении с быстрыми свободными электронами. Давление газов составляет величину в пределах долей мм рт. ст. Малая плотность газов позволяет зародившемуся в результате вынужденного излучения лучу многократно проходить между зеркалами резонатора не искажаясь. На Рисунок - 6.13 приведена схема газового Не-Ne лазера. Капилляр с газом помещается в цилиндр катода газоразрядной трубки. Окошки Брюстера помогают уменьшить потери излучения за проход луча. В Не-Nе лазере рабочим веществом служат нейтральные атомы неона.
Рисунок - 6.13. Схема Не-Nе лазера: 1 — разрядная трубка; 2 — катод; 3 — анод; 4 — окна Брюстера; 5 — капилляр со смесью газов; 6 — зеркала
Инверсия населенностей уровней осуществляется за счет первоначального возбуждения атомов гелия на уровни Е2 и E3. Они точно совпадают с уровнями Е4 и E5 возбужденных атомов неона. При столкновении возбужденных атомов гелия с атомами неона происходит перекачка энергии (Рисунок - 6.14). Механизм резонансной передачи возбуждения позволяет перевести атомы неона в возбужденное состояние. Гелий, как буферный газ, является резервуаром возбуждения неона. Неон нельзя возбудить прямым переходом на уровни Е4 и Е5 из-за долго живущего метастабильного уровня Е2.
Инверсия населенностей достигается за счет долгоживущих уровней Е4 и Е5. Именно переход с них на уровень £3 позволяет получить стимулированное излучение в красном и инфракрасном диапазонах длин волн.
Рисунок - 6.14. Уровни энергии возбуждения атомов гелия и неона
Опустошение короткоживущего уровня Е3 неона происходит путем соударений атомов неона со стенками разрядной трубки, что переводит их на уровень Е2. С этой целью подбирается оптимальный диаметр газоразрядной трубки (до 10 мм). Генерация в красном диапазоне происходит на длине волны 0,63 мкм (6328 Å). Также возможна генерация излучения гелий-неоновых лазеров на длине волны 1,15 и 3,39 мкм. В настоящее время получена генерация на более чем 450 переходах между уровнями нейтральных атомов. Помимо гелий-неонового лазера весьма популярен ксеноновый лазер, генерирующий на длине волны λ = 3,5 мкм, и гелий-ксеноновый (λ = 2,02 мкм). Эти лазеры работают в непрерывном режиме, который обеспечивается газоразрядной накачкой.
Газовые лазеры работают в широком диапазоне длин волн (от 100 нм до 1000 мкм) и мощностей излучения (от 100 мкВт до 1 МВт) в непрерывном режиме и до 1 ТВт в импульсном режиме.
