- •Оглавление
- •1 Введение в функциональную электронику
- •Основные направления развития функциональной микроэлектроники
- •2 Оптоэлектроника и оптоэлектронные устройства
- •2.1 Оптоэлектронные приборы
- •2.1.1 Оптопары
- •2.1.2 Резисторные оптопары
- •2.1.3 Диодные оптопары
- •2.1.5 Тиристорные оптопары
- •2.1.4 Транзисторные оптопары
- •2.1.6 Оптоэлектронные микросхемы
- •2.1.7 Параметры оптопар
- •2.2 Оптическая память
- •2.2.1 Оптические запоминающие устройства
- •2.2.2 Оптические запоминающие среды
- •2.3 Основы интегральной оптики
- •2.4 Устройства и элементная база интегральной оптики
- •2.5 Оптические волокна: их типы и характеристики. Волноводы
- •2.6 Интегрально-оптические схемы
- •3. Функциональная полупроводниковая электроника, приборы с зарядовой связью.
- •3.1. Физические основы
- •3.1.1. Динамические неоднородности в полупроводниках
- •3.1.2. Континуальные среды
- •3.1.3. Генераторы динамических неоднородностей
- •3.1.4. Устройства управления динамическими неоднородностями
- •3.1.5. Детекторы динамических неоднородностей
- •3.2. Приборы и устройства функциональной полупроводниковой электроники
- •3.2.1. Аналоговые процессоры на пзс-структурах
- •3.2.2. Цифровые процессоры на пзс-структурах
- •3.2.3. Запоминающие устройства на пзс-структурах
- •3.2.4. Биспин-приборы
- •3.2.5. Приборы на волнах пространственного заряда
- •3.2.6. Ганновские приборы
- •4 Функциональная магнитоэлектроника, приборы и устройства функциональной магнитоэлектроники
- •4.1. Физические основы функциональной магнитоэлектроники
- •4.1.1. Динамические неоднородности в магнитоэлектронике
- •4.1.2. Континуальные среды
- •4.1.3. Генерация, детектирование и управление динамическими неоднородностями
- •4.2. Приборы и устройства функциональной магнитоэлектроники
- •4.2.1. Процессоры сигналов на цмд
- •4.2.2. Процессоры сигналов на мсв
- •4.2.3. Запоминающие устройства на цмд
- •4.2.4. Запоминающие устройства на магнитных вихрях
- •5. Функциональная акустоэлектроника и приборы функциональной акустоэлектроники
- •5.1. Физические основы
- •5.1.1. Динамические неоднородности
- •5.1.2. Континуальные среды
- •5.1.3. Генераторы динамических неоднородностей
- •2.1.4. Устройство управления динамическими неоднородностями
- •5.1.5. Детектирование динамических неоднородностей
- •5.2. Приборы функциональной акустоэлектроники
- •2.2.1. Линии задержки
- •5.2.2. Устройства частотной селекции
- •5.2.3. Генераторы на пав
- •5.2.4. Усилители
- •5.3. Нелинейные устройства
- •5.3.1. Физические основы
- •5.3.2. Конвольверы
- •5.3.3. Устройства памяти
- •5.3.4. Фурье-процессоры
- •5.4 Акустоэлектроника в системах связи
- •6. Физические основы квантовой электроники
- •6.1. Спонтанное и вынужденное излучение
- •6.2 Спектральные линии
- •6.3 Поглощение и усиление
- •6.4 Принципы работы лазера
- •6.5 Типы лазеров
- •6.5.1. Лазеры на основе конденсированных сред
- •6.5.1.1. Твердотельные лазеры
- •6.5.1.2. Полупроводниковые лазеры
- •6.5.1.3. Жидкостные лазеры
- •6.5.2 Газовые лазеры
- •6.5.2.1 Лазеры на нейтральных атомах
- •6.5.2.2 Ионные лазеры
- •6.5.2.3 Молекулярные лазеры
- •6.5.2.4 Эксимерные лазеры
- •6.5.2.5 Газодинамические лазеры
- •6.5.3 Химические лазеры
- •6.5.4 Лазеры на парах металла
- •6.5.5 Лазеры на свободных электронах
- •7. Функциональная диэлектрическая электроника
- •7.1. Физические основы
- •7.1.1. Динамические неоднородности
- •7.1.2. Континуальные среды
- •7.1.3. Генераторы динамических неоднородностей
- •7.1.4. Другие элементы приборов
- •7.2. Приборы и устройства функциональной диэлектрической электроники
- •7.2.1. Слоистые структуры
- •7.2.2. Устройства памяти
- •7.2.3. Процессоры
- •8 Функциональная молекулярная электроника
- •8.1 Физические основы
- •8.1.1. Динамические неоднородности
- •8.1.2. Континуальные среды
- •8.1.3. Другие элементы приборов
- •8.2. Молекулярные устройства
- •8.3. АВтоволновая электроника
8.1.1. Динамические неоднородности
Передача информации в молекулярной электронике осуществляется ансамблями электронов или солитонов.
В масштабах микромира под солитоном понимают структурное возмущение, способное перемещаться в одном или двух направлениях подобно частице. Перенос солитона связан с возмущением, которое меняет положение молекулярных, так называемых -орбиталей между атомами углерода. В центре солитона существует движущаяся межфазная или междолинная граница между эквивалентными фазами A и В (рис. 8.3, а). Прохождение солитона через сопряженную систему приводит к переходу между фазами А и В и к обмену одинарных и двойных связей.
Солитоны могут быть интерпретированы как топологические узлы валентной π-электронной системы.
Вследствие врожденности основного состояния электропроводящих полимеров солитоны могут свободно перемещаться вдоль цепи сопряжений подобно волне плотности π-электронов (рис. 8.3). Скорость перемещения солитонов близка к скорости звука.
Рисунок 8.3 – Генерация и распространение солитона в полиацетиленовой цепи (а, б); интерпретация в виде волны возмущения (в)
Солитон обладает свойствами квазичастицы, имеет определенную энергию, форму, момент импульса. На молекулярном уровне также наблюдается реверсирование солитонов.
Различают два режима отражения солитонов. Две трансполиацетиленовые цепочки сопрягаются с трициклическим пентоином. Солитон проходит, отражаясь от пентоина словно от стенки (рис. 8.4, а). Другой вариант предусматривает использование гидрированного каротена в качестве реверсивной среды (рис. 8.4, б). В этом случае солитон обходит молекулу по часовой стрелке. Движение валентных π-электронов происходит по про нумерованному порядку. Движение электрона со стрелкой под номером 10 может произойти только после того, как завершится движение со стрелкой 1. Солитон проходит по одной цепочке дважды.
Рисунок 8.4 – Процесс реверсирования солитонов
Наряду с солитонами в молекулярной системотехнике используются процессы переноса электронов по цепочкам различных циклических молекул, даже разделенных зазором до 1 нм. Электроны туннелируют по молекулам, переходя в соседние молекулы за время ~10-10 ÷ 10-12 с. Основным эффектом при этом является быстрое резонансное и одновременно однонаправленное туннелирование за счет того, что уровень для лишнего электрона в каждой последующей молекуле на 0,1 4- 0,2 эВ ниже, чем в предыдущей. Эффект быстрого резонансного туннелирования проявлялся в континуальных молекулярных средах, у которых молекулы в цепочке подобраны так, что энергия электрона, поляризовавшего одну молекулу, равна энергии электронного уровня другой, не поляризованной молекулы. Другими словами, цепочка молекул должна строиться так, чтобы энергии уровней для лишнего электрона снижались на 0,1—0,2 эВ.
В ленгмюровских пленках с помощью света можно возбудить экситоны, представляющие собой мигрирующее электронное возбуждение, не связанное с переносом электрического заряда и массы.
В качестве динамической неоднородности можно использовать один электрон. Это позволяет достичь энергетического предела, минимизировать энергию на одну информационную операцию. Если между отдельными молекулами создать разность потенциалов V, а энергетический барьер по полю составляет
Епр=Еср,
то в обратном направлении этот барьер будет определяться величиной
Епр=Еср+eV,
где е — заряд электрона. Барьер одновременно будет препятствовать движению электрона в обратном направлении. Однако использование только одного электрона накладывают значительные ограничения на "одноэлектронику".
