- •Оглавление
- •1 Введение в функциональную электронику
- •Основные направления развития функциональной микроэлектроники
- •2 Оптоэлектроника и оптоэлектронные устройства
- •2.1 Оптоэлектронные приборы
- •2.1.1 Оптопары
- •2.1.2 Резисторные оптопары
- •2.1.3 Диодные оптопары
- •2.1.5 Тиристорные оптопары
- •2.1.4 Транзисторные оптопары
- •2.1.6 Оптоэлектронные микросхемы
- •2.1.7 Параметры оптопар
- •2.2 Оптическая память
- •2.2.1 Оптические запоминающие устройства
- •2.2.2 Оптические запоминающие среды
- •2.3 Основы интегральной оптики
- •2.4 Устройства и элементная база интегральной оптики
- •2.5 Оптические волокна: их типы и характеристики. Волноводы
- •2.6 Интегрально-оптические схемы
- •3. Функциональная полупроводниковая электроника, приборы с зарядовой связью.
- •3.1. Физические основы
- •3.1.1. Динамические неоднородности в полупроводниках
- •3.1.2. Континуальные среды
- •3.1.3. Генераторы динамических неоднородностей
- •3.1.4. Устройства управления динамическими неоднородностями
- •3.1.5. Детекторы динамических неоднородностей
- •3.2. Приборы и устройства функциональной полупроводниковой электроники
- •3.2.1. Аналоговые процессоры на пзс-структурах
- •3.2.2. Цифровые процессоры на пзс-структурах
- •3.2.3. Запоминающие устройства на пзс-структурах
- •3.2.4. Биспин-приборы
- •3.2.5. Приборы на волнах пространственного заряда
- •3.2.6. Ганновские приборы
- •4 Функциональная магнитоэлектроника, приборы и устройства функциональной магнитоэлектроники
- •4.1. Физические основы функциональной магнитоэлектроники
- •4.1.1. Динамические неоднородности в магнитоэлектронике
- •4.1.2. Континуальные среды
- •4.1.3. Генерация, детектирование и управление динамическими неоднородностями
- •4.2. Приборы и устройства функциональной магнитоэлектроники
- •4.2.1. Процессоры сигналов на цмд
- •4.2.2. Процессоры сигналов на мсв
- •4.2.3. Запоминающие устройства на цмд
- •4.2.4. Запоминающие устройства на магнитных вихрях
- •5. Функциональная акустоэлектроника и приборы функциональной акустоэлектроники
- •5.1. Физические основы
- •5.1.1. Динамические неоднородности
- •5.1.2. Континуальные среды
- •5.1.3. Генераторы динамических неоднородностей
- •2.1.4. Устройство управления динамическими неоднородностями
- •5.1.5. Детектирование динамических неоднородностей
- •5.2. Приборы функциональной акустоэлектроники
- •2.2.1. Линии задержки
- •5.2.2. Устройства частотной селекции
- •5.2.3. Генераторы на пав
- •5.2.4. Усилители
- •5.3. Нелинейные устройства
- •5.3.1. Физические основы
- •5.3.2. Конвольверы
- •5.3.3. Устройства памяти
- •5.3.4. Фурье-процессоры
- •5.4 Акустоэлектроника в системах связи
- •6. Физические основы квантовой электроники
- •6.1. Спонтанное и вынужденное излучение
- •6.2 Спектральные линии
- •6.3 Поглощение и усиление
- •6.4 Принципы работы лазера
- •6.5 Типы лазеров
- •6.5.1. Лазеры на основе конденсированных сред
- •6.5.1.1. Твердотельные лазеры
- •6.5.1.2. Полупроводниковые лазеры
- •6.5.1.3. Жидкостные лазеры
- •6.5.2 Газовые лазеры
- •6.5.2.1 Лазеры на нейтральных атомах
- •6.5.2.2 Ионные лазеры
- •6.5.2.3 Молекулярные лазеры
- •6.5.2.4 Эксимерные лазеры
- •6.5.2.5 Газодинамические лазеры
- •6.5.3 Химические лазеры
- •6.5.4 Лазеры на парах металла
- •6.5.5 Лазеры на свободных электронах
- •7. Функциональная диэлектрическая электроника
- •7.1. Физические основы
- •7.1.1. Динамические неоднородности
- •7.1.2. Континуальные среды
- •7.1.3. Генераторы динамических неоднородностей
- •7.1.4. Другие элементы приборов
- •7.2. Приборы и устройства функциональной диэлектрической электроники
- •7.2.1. Слоистые структуры
- •7.2.2. Устройства памяти
- •7.2.3. Процессоры
- •8 Функциональная молекулярная электроника
- •8.1 Физические основы
- •8.1.1. Динамические неоднородности
- •8.1.2. Континуальные среды
- •8.1.3. Другие элементы приборов
- •8.2. Молекулярные устройства
- •8.3. АВтоволновая электроника
6.5.2.2 Ионные лазеры
Ионные лазеры имеют в качестве рабочих веществ ионизированные инертные газы (Хе, Kr, Ar, Ne), а также ионы фосфора, серы, хлора, кадмия, цинка и др.
В ионных газовых лазерах лазерные переходы происходят между уровнями одно- или двукратно ионизированных атомов. Этому способствуют большие плотности тока при ионизации газов. Инверсия населенностей уровней осуществляется между уровнями Е3 и Е4. Уровень Е4 с большим временем жизни сильно заселяется возбужденными атомами. Атомы возбуждаются при их соударении с быстрыми электронами в газовом разряде, а также путем перехода с полосы Е5 (Рисунок - 6.15).
Рисунок - 6.15. Схема уровней, используемых в ионных лазерах
Уровень E3 имеет короткое время жизни относительно уровня и поэтому он быстро опустошается. Для сильной ионизации газа ток пропускают через длинный капилляр, который охлаждается из-за большой выделяемой энергии. Для увеличения концентрации электронов в центре капилляра создается продольное магнитное поле, которое сжимает разряд и предохраняет стенки от разрушения. На Рисунок - 6.16 приведена одна из схем ионного лазера.
Рисунок - 6.16. Схема ионного лазера на аргоне: 1 — трубка обратной циркуляции газа
Первичные электроны генерируются катодом и на своем пути в разрядной трубке ионизируют газ. Для компенсации перекачки газов используют длинную трубку, которая не шунтирует газовый разряд.
Разряд в газе возбуждается постоянным, либо переменным высокочастотным полем.
Наибольшее распространение получил аргоновый лазер. Он генерирует в сине-зеленой части спектра на длинах волн 0,488 и 0,514 мкм. Аргоновые лазеры могут излучать и в УФ-части спектра (0,340—0,370 мкм). Мощность излучения достигает киловатта. Аргоновый лазер может работать как в непрерывном, так и импульсном режимах. Криптоновые лазеры генерируют излучение в красной части спектра (0,65—0,86 мкм).
6.5.2.3 Молекулярные лазеры
Молекулярные лазеры представляют собой оптические квантовые генераторы, в качестве активного вещества которых используются молекулы. В отличие от атомов, молекулы газов имеют кроме электронных энергетических уровней также колебательные и вращательные.
Первый молекулярный лазер был реализован на смеси молекулах углекислого газа и азота. Молекула СO2 имеет три частоты собственных возбуждаемых колебаний, которым соответствуют уровни Е3, Е4, Е5 (Рисунок - 6.17). Заселение этих уровней происходит вследствие нескольких одновременно протекающих процессов. Молекулы углекислого газа возбуждаются при соударении с быстрыми электронами в газовом разряде. Одновременно вводится азот и в газовом разряде происходит ионизация молекул азота и углекислого газа. Возбуждается уровень Е2 в молекуле азота и уровень Е5 в молекуле углекислого газа. Молекулы азота возбуждаются весьма интенсивно и энергию возбуждения резонансно передают молекулам СO2.
В дальнейшем происходит переход с полосы уровней Е5 на нижележащие уровни с одновременным излучением. Причем генерация возникает на большом числе переходов молекулы СO2 в интервале волн от 9 до 18 мкм.
На Рисунок - 6.17 приведена схема мощного лазера. В электрическом разряде имеют место нежелательные эффекты, такие как разогрев газа и диссоциация его молекул. Эти паразитные эффекты устраняются тем, что газовая смесь непрерывно прокачивается через разрядные трубки лазеров с целью регенерации газовой смеси.
Рисунок - 6.17. Схема уровней молекул углекислого газа и азота
Рисунок - 6.18. Схема мощного СO2 лазера: 1 — зеркала радиатора; 2 — блок управления лазером с системой блокировки; 3 — источник питания; 4 — смеситель газов; 5 — блок управления водяным охлаждением; 6 — система поворотных призм; 7 — система прокачки; 8 — анодный блок, 9 — многократно свернутый оптический резонатор; 10 — лазерный луч
Газовая смесь прокачивается через разрядные трубки, составляющие многократно свернутый оптический резонатор. С одного метра активной среды такого лазера можно получить лазерное излучение мощностью более 50 Вт на длине волны 10,6 мкм. Повышение удельной мощности можно получить путем интенсивного охлаждения рабочей смеси. Лазеры, в которых возбуждение рабочей смеси достигается за счет возбуждения разряда высокого давления и пучком быстрых электронов с энергией до 500 кэВ, носят название электроионизационных СO2-лазеров. В таком типе лазеров с одного метра активной среды можно снять до 100 Дж и достигнуть максимальной энергии свыше 10 кДж.
Особую техническую трудность представляет вопрос лазерных зеркал. Их делают из кристаллов КСl, ZnSе, СdТе, n-Gа, NaСl. Большая выходная мощность излучения выводится не как обычно, через полупрозрачное зеркало, а через прозрачное для ИК-излучения окно в зеркале. В этом случае изготовляют охлаждаемые водой зеркала из бронзы, молибдена и других металлов.
Помимо молекулярных лазеров на СO2 разработаны лазеры на моноокиси углерода СО, на парах воды, работающие на длинах волн λ= 27,9 мкм, λ = 118,6 мкм.
В далеком ИК-диапазоне (λ = 337 мкм) работают лазеры на молекулах НСN
Коэффициент полезного действия молекулярных лазеров лежит в пределах 20—40%, а максимальная мощность 100 кВт и более.
