Добавил:
Upload Опубликованный материал нарушает ваши авторские права? Сообщите нам.
Вуз: Предмет: Файл:
Весь курс ОКП.doc
Скачиваний:
6
Добавлен:
01.05.2025
Размер:
6 Мб
Скачать
☆

Модель мдп-транзистора

Так называемая, электрическая модель конечных приращений для интегрального МДП-транзистора представлена на рис.8.10.

Рис. 8.10. Структура и электрическая модель МДП-транзистора

В модели R и С учитывают инерционные свойства носителей в канале – это сосредоточенный эквивалент распределенного сопротивления и емкости канала.

Кроме этого модель учитывает следующие емкости и сопротивления:

Сзи, Сзс, обуславливаемые перекрытием истока (И) и стока (С) областью затвора (З),

С’зи, С’зс, обуславливаемые влиянием частей канала при управляемых напряжениях на затворе,

rс, rи – собственное (объемное) сопротивление стока и истока,

Rсп, Rип – сопротивление между подложкой (П) и стоком (истоком),

rзи, rзс – сопротивление утечек для тока затвора.

Усилительные свойства транзистора моделируются выражением Хофстайна:

, где

К1 – крутизна, К2 – выходная проводимость, U0 – пороговое напряжение при Uи=0.

Дискретная модель МДП-транзистора получается аналогично дискретной модели биполярного транзистора.

Модель полупроводникового диода

В качестве математической модели полупроводникового диода обычно используется модель Эберса-Молла для одиночного p-n перехода, имеющая следующий вид: , где I – ток через диод, а U – напряжение, приложенное к диоду. Модель хорошо аппроксимирует вольт-амперную характеристику диода, кроме участка пробоя, что является для большинства диодов рабочим режимом.

1 2 3

Рис. 8.11. Вольт-амперная характеристика диода – (1), электрическая модель на основе уравнения Эберса-Молла – (2) и модель дискретного диода – (3), учитывающая емкости и индуктивности выводов

8.2. Макромодели в программах схемотехнического проектирования

На этапе схемотехнического моделирования в качестве компонентных моделей используют макромодели некоторых часто используемых базовых схем. Существуют следующие формы представления макромоделей.

  1. Внешнее – это формальное описание модели на входном языке программы. Включает в себя имя макромодели, по которому производится обращение к соответствующей программе расчета, список узлов, к которым подключены внешние выводы, перечень параметров или указатель для их поиска в базе данных.

  2. Внутреннее – это набор подпрограмм, библиотек функций и таблиц. Табличное представление увеличивает производительность программы примерно в 4 5 раз по сравнению с использованием вычислений функций и уравнений. Поэтому во многих программах анализа предпочтение отдается табличному представлению.

Пример

Внутреннее представление логического элемента И-НЕ состоит из трех каскадов, соответствующих входным, передаточным и выходным характеристикам элемента.

Рис. 8.12. Внутренняя форма представления логического элемента И-НЕ

Управляемые источники I1=f(U1) и I2=f(U2) моделируют входные вольт-амперные характеристики элемента. Они снимаются либо экспериментально, либо рассчитываются моделированием на компонентном уровне. Для задания токов используется табличное представление.

Источник напряжения моделирует передаточную характеристику элемента И-НЕ, которая в свою очередь аппроксимируется кусочно-линейной функцией с использованием табличного описания.

Рис. 8.13. Передаточная функция элемента И-НЕ

Значение присваивается источнику напряжения . Элементы – образуют ФНЧ, который моделирует перепад напряжения от источника . Выражение =const, а меняется при анализе длительности фронта и среза выходного импульса в зависимости от входного. Выбор осуществляется отдельной подпрограммой.

Источник тока I3 моделирует режим по постоянному току. Поэтому значение I3 задается константой. Выходное напряжение второго каскада U3 присваивается источнику Е0, который моделирует среднее время задержки распространения сигнала от входа к выходу. Для этого значение напряжения для Е0 берется с предыдущего шага интегрирования, которое выполняется отдельной подпрограммой. Выходные характеристики моделируются источником тока , который управляется током через сопротивление R0. Величина R0 определяется кусочно-линейной аппроксимацией выходных характеристик элемента И-НЕ и задается таблично. Выходная емкость Свых задается константой.

Аналогичным образом формируются макромодели и более сложных цифровых схем, в том числе триггеров, мультивибраторов, регистров, счетчиков, дешифраторов и др. Все они содержат логико-электрические и электрико-логические преобразования для сопряжения сигналов макромоделей с электрическими сигналами, задаваемыми в программах.