- •Основы компьютерного проектирования рэа
- •Содержание
- •Предисловие
- •Лекция №1
- •1.1. Основные стадии проектирования
- •1.2. Виды описаний рэа
- •1.3. Основные проектные процедуры
- •1.4. Классификация параметров
- •1.5. Иерархия уровней проектирования
- •1.6. Способы проектирования
- •1.7. Подходы, реализующие уровни проектирования
- •1.8. Математический аппарат моделирования
- •Контрольные вопросы к лекции
- •Лекция №2
- •2.1. Применение эвм для автоматизированного проектирования
- •2.2. Принципы создания сапр
- •2.3. Состав сапр
- •2.4. Обеспечение сапр
- •1) Языки программирования,
- •2.4.1. Техническое обеспечение сапр
- •2.4.2. Математическое обеспечение сапр
- •2.5. Математическая модель рэа
- •2.5.1. Параметры математической модели
- •2.5.2. Требования к математическим моделям и их классификация
- •Контрольные вопросы к лекции
- •Лекция №3
- •3.1. Лингвистическое обеспечение сапр
- •3.3.1. Языки программирования
- •3.3.2. Языки проектирования
- •3.3.3. Пример описания топологических связей элементов
- •3.2. Информационное обеспечение
- •3.3 Организация баз данных.
- •3.3.1. Способы размещения данных
- •Последовательное размещение данных
- •Прямое размещение данных
- •Библиотечное размещение данных
- •Индексно- последовательное размещение данных
- •3.3.2. Способы структурирования данных
- •3.3.3. Системы управления базами данных (субд)
- •3.4. Программное обеспечение сапр
- •3.4.1. Системное по
- •Основные функции обрабатывающих программ ос
- •Основные функции управляющих программ ос
- •3.4.2. Прикладное по
- •Контрольные вопросы к лекции
- •Лекция№4
- •4.1. Структурное моделирование
- •4.2. Аналитическое моделирование
- •4.3. Имитационное моделирование
- •4.3.1. Схема процесса имитационного моделирования
- •4.3.2. Имитационное моделирование надёжности системы
- •4.3.3. Имитационное моделирование производительности системы
- •4.4. Способы формирования случайных величин
- •4.4.1. Моделирование равномерного распределения
- •4.4.2. Моделирование нормального распределения
- •4.4.3. Моделирование дискретного распределения
- •4.4.4. Моделирование произвольного распределения Метод обратной функции
- •Метод Неймана
- •4.5. Принципы организации структурного моделирования динамических процессов в системе
- •4.6. Пример структурного моделирования системы телевизионной визуализации люминесцирующих объектов
- •Контрольные вопросы к лекции
- •Лекция №5
- •5.1. Функциональное моделирование
- •Основные типы безинерционных элементов
- •5.2.3. Инерционные линейные элементы
- •5.2.4. Инерционный нелинейный элемент
- •5.3. Моделирование базовых функциональных элементов
- •5.3.1. Безинерционные элементы
- •5.3.2. Генераторы сигналов
- •5.3.3. Инерционные линейные элементы
- •5.3.4. Инерционные нелинейные элементы
- •5.4. Моделирование элементов во временной области, заданных коэффициентом передачи
- •Контрольные вопросы к лекции
- •Лекция №6
- •6.1. Схемотехническое моделирование
- •6.2. Методы логического моделирования
- •6.2.1. Синхронное логическое моделирование
- •Статический и динамический риск сбоя
- •6.2.2. Асинхронное моделирование
- •6.2.3. Виды кодирования логических сигналов
- •6.2.4. Многозначное моделирование
- •6.3. Моделирование аналоговых схем
- •6.4. Структура программ схематического моделирования аналоговых схем
- •6.5. Численные методы в схемотехническом моделировании
- •6.6. Моделирование статического режима
- •6.6.1. Прямой метод
- •6.6.2. Метод установления
- •6.6.3. Метод движущейся области сходимости
- •6.6.4. Метод оптимизации
- •6.6.5. Уравнения статического режима в базисе узловых потенциалов
- •Контрольные вопросы к лекции
- •Лекция №7
- •7.1. Моделирование переходных процессов
- •7.2. Моделирование частотных характеристик
- •7.3. Схемотехническое моделирование нелинейных и высокодобротных линейных радиочастотных схем
- •7.3.1. Расчёт по постоянному току
- •7.3.2. Расчет ачх и фчх
- •7.3.3. Расчет нелинейных схем в режиме малого сигнала
- •Расчет амплитуды установившегося режима высокочастотных колебаний во временной области
- •Расчет схем в частотной области в режиме малого сигнала
- •7.3.4. Расчет нелинейных схем в режиме большого сигнала
- •Расчет схем в частотной области в режиме большого сигнала
- •7.4. Статистический анализ
- •7.4.1. Метод расчета на наихудший случай
- •7.4.2. Метод статистических испытаний (Монте-Карло)
- •7.5. Методы расчета и анализа выходных параметров схем
- •7.5.1. Одновариантный расчет
- •7.5.2. Многовариантный расчет
- •7.6. Анализ чувствительности
- •7.6.1. Метод приращений
- •7.6.2. Метод присоединенной схемы
- •Контрольные вопросы к лекции
- •Лекция №8
- •8.1. Моделирование компонентов
- •8.1.1. Примеры моделей дискретных элементов рэа
- •Модель пленочного резистора
- •Модель диффузного резистора
- •Модель пленочного конденсатора
- •Модель диффузного конденсатора
- •Модели биполярного транзистора
- •Модель Эберса-Молла
- •Модель мдп-транзистора
- •Модель полупроводникового диода
- •8.2. Макромодели в программах схемотехнического проектирования
- •8.3. Макромодели аналоговых схем
- •8.3.1. Пример модели прецизионного оу
- •Контрольные вопросы к лекции
- •Лекция №9
- •9.1. Конструкторское проектирование
- •9.2. Модели конструкций и схем
- •9.3. Алгоритмы компоновки
- •9.4. Алгоритмы размещения
- •9.5. Алгоритмы трассировки
- •9.6. Техническая оптимизация
- •9.6.1. Особенности оптимизации рэа
- •9.6.2. Критерии оптимальности
- •9.6.3. Методы непрерывной параметрической оптимизации
- •Контрольные вопросы к лекции
- •Литература Основная
- •Дополнительная
Модель мдп-транзистора
Так называемая, электрическая модель конечных приращений для интегрального МДП-транзистора представлена на рис.8.10.
Рис. 8.10. Структура и электрическая модель МДП-транзистора
В модели R и С учитывают инерционные свойства носителей в канале – это сосредоточенный эквивалент распределенного сопротивления и емкости канала.
Кроме этого модель учитывает следующие емкости и сопротивления:
Сзи, Сзс, обуславливаемые перекрытием истока (И) и стока (С) областью затвора (З),
С’зи, С’зс, обуславливаемые влиянием частей канала при управляемых напряжениях на затворе,
rс, rи – собственное (объемное) сопротивление стока и истока,
Rсп, Rип – сопротивление между подложкой (П) и стоком (истоком),
rзи, rзс – сопротивление утечек для тока затвора.
Усилительные свойства транзистора моделируются выражением Хофстайна:
,
где
К1 – крутизна, К2 – выходная проводимость, U0 – пороговое напряжение при Uи=0.
Дискретная модель МДП-транзистора получается аналогично дискретной модели биполярного транзистора.
Модель полупроводникового диода
В качестве
математической модели полупроводникового
диода обычно используется модель
Эберса-Молла для одиночного p-n
перехода, имеющая следующий вид:
,
где I
– ток через диод, а U
– напряжение, приложенное к диоду.
Модель хорошо аппроксимирует вольт-амперную
характеристику диода, кроме участка
пробоя, что является для большинства
диодов рабочим режимом.
1 2 3
Рис. 8.11. Вольт-амперная характеристика диода – (1), электрическая модель на основе уравнения Эберса-Молла – (2) и модель дискретного диода – (3), учитывающая емкости и индуктивности выводов
8.2. Макромодели в программах схемотехнического проектирования
На этапе схемотехнического моделирования в качестве компонентных моделей используют макромодели некоторых часто используемых базовых схем. Существуют следующие формы представления макромоделей.
Внешнее – это формальное описание модели на входном языке программы. Включает в себя имя макромодели, по которому производится обращение к соответствующей программе расчета, список узлов, к которым подключены внешние выводы, перечень параметров или указатель для их поиска в базе данных.
Внутреннее – это набор подпрограмм, библиотек функций и таблиц. Табличное представление увеличивает производительность программы примерно в 4
5
раз по сравнению с использованием
вычислений функций и уравнений. Поэтому
во многих программах анализа предпочтение
отдается табличному представлению.
Пример
Внутреннее представление логического элемента И-НЕ состоит из трех каскадов, соответствующих входным, передаточным и выходным характеристикам элемента.
Рис. 8.12. Внутренняя форма представления логического элемента И-НЕ
Управляемые
источники I1=f(U1)
и I2=f(U2)
моделируют входные вольт-амперные
характеристики элемента. Они снимаются
либо экспериментально, либо рассчитываются
моделированием на компонентном уровне.
Для задания токов
используется табличное представление.
Источник напряжения
моделирует передаточную характеристику
элемента И-НЕ, которая в свою очередь
аппроксимируется кусочно-линейной
функцией с использованием табличного
описания.
Рис. 8.13. Передаточная функция элемента И-НЕ
Значение
присваивается источнику напряжения
.
Элементы
– образуют ФНЧ, который моделирует
перепад напряжения от источника
.
Выражение
=const,
а
меняется
при анализе длительности фронта и среза
выходного импульса в зависимости от
входного. Выбор
осуществляется
отдельной подпрограммой.
Источник тока I3
моделирует режим по постоянному току.
Поэтому значение I3
задается константой. Выходное напряжение
второго каскада U3
присваивается источнику Е0,
который моделирует среднее время
задержки распространения сигнала от
входа к выходу. Для этого значение
напряжения для Е0
берется с предыдущего шага интегрирования,
которое выполняется отдельной
подпрограммой. Выходные характеристики
моделируются источником тока
,
который управляется током через
сопротивление R0.
Величина R0
определяется кусочно-линейной
аппроксимацией выходных характеристик
элемента И-НЕ и задается таблично.
Выходная емкость Свых
задается константой.
Аналогичным образом формируются макромодели и более сложных цифровых схем, в том числе триггеров, мультивибраторов, регистров, счетчиков, дешифраторов и др. Все они содержат логико-электрические и электрико-логические преобразования для сопряжения сигналов макромоделей с электрическими сигналами, задаваемыми в программах.
