25. Қок (қыры орталықтандырылған кубтық тор) – торында негізгі сырғу кезінде қандай жазықтықтар және бағыттар болатынын көрсетіңіз.

Сырғанау түзулері –дислокацияның шығуы нәтижесінде үлгі бетінде түзілген сатылар. Мысалы, жақтық (краевая) дислокация кристалл қырына шыққан кезде, осы қырдың бетінде саты түзіледі, ол биіктігі бойынша Бюргерс дислокацисы векторына h тең. Бұл кезде сатылар,яғни,сырғанау түзулері жақтық дислокация бетіне шыққан ұзындыққа тең болады. Бір ұшымен жалпақ бетке шыққан винттік дислокация өзінің қозғалысы кезінде дислокацияның жүрісі ұзындығына тең болатын саты түзіледі. Бір жазықтықта сырғудан кейін біренше дислокация шыққан кезде  h саты биіктігі ~10 Å және одан жоғары, оларды электрондық микроскопиялық талдау кезінде алдын ала полирленген бетті  деформцияланған үлгі репликасында байқауға болады.. Реплика –электрондар жұқа, жылтыр пленка (мысалы, бұрыштық). Ол үлгі бетіне жағылған және өте жұқа көшірілетін оның рельефі. Электрондар шоғырын түсірген кезде қалыңдықтарымен ерекшеленетін репликаның әртүрлі учаскелері контрастың әртүрлі бейнесін береді, осыдан сырғанау түзулерін байқауға болады. Біраз деформациядан кейін сатылар биіктігінің үлкен болатыны соншалық, оларды жарық микроскопының көмегімен де көруге болады.

Сырғанау түзулерінің орналасуын, олардың арақашықтықтарынын,биіктіктерін талдай отырып, пластикалық деформация туралы сапалық, сол сияқты, мөлшерлі талдау жасауға болады. Талданатын үлгі бетінің кристаллографикалық болжамын (ориентировка) біле отырып, түзудің сырғанау бағыты бойынша,  сырғанау жазықтығы мен бағытын анықтайды. Деформация алдында үлгі бетінен сырғанау түзуінің таралу бейнесін бұрмалауға етуге қабілетті тотықтырғыш пленкадан тазартылуы керек. 

Дифракциялық электрондық микроскоп әдісі бөлек дислокацияларды байқауға, олардың Бюргерс векторын және кристаллографиялық сырғуын анықтауға,әр түрлі деформациялану кезеңінде  дислокациялық құрылым сипаттамаларын бағалауға мүмкіндік береді.

    Сырғанау түзуі әдісі, әсіресе жарық микроскопын пайдаланғанда қарапайым әдіс болып табылады. Осы әдістің көмегімен тек беттің құрылымын талдап тексереді. Сол сияқты, осы әдістің көмегімен осы әдістің көмегімен төменгі температурада кристалдардағы сырғу мен жылжу кристаллографиялық жазықтықтар мен бағыттардың әрбір торлы типі үшін белгілі бойлықпен жүретіні анықталады. Сырғанау бағыты қашан да өзінің сырғанау жазықтығында жатады. Осы жиынтықты сырғанау жүйесі д.а.  Металдарда бір уақыт ішінде бір немесе бірнеше сырғанау жүйесі болуы мүмкін. Бірақ, бұл жүйелердің барлығы, әрбір металл және белгілі тор типі үшін сипатталатын бір – екі кристаллографиялық бағдарға жатқызылады.

26. Дислокацияның қозғалысының әртүрлі кезеңдерінің өту ережесін түсіндіріңіз.

Сызықтық ақаулар.Түзулік жетімсіздіктердің (ақаулардың) екі өлшемде өлшемдері аз, ал үшінші өлшемде үлкен болады. Осы жетімсіздіктер дислокация деп аталады.

Бүйір дислокация (9.2-сурет) кристалдық құрылымның оңашаланып бұзылуы, ол атомдық “артық” атомдық жарты жазықтықтың немесе экстра жазықтықтың (сызба жазықтығына перпендикуляр) болуымен пайда болады.

Кристалда дислокация түзілудің неғұрлым қарапайым және көрнекті тәсілі – сырғу (9.2,а,б-сурет).

Егер экстра жазықтық кристалдың жоғарғы бөлігінде болса, онда дислокацияны оң деп атайды да   белгісімен (9.2,в-сурет) белгілейді, ал егер төменгі бөлікте орналасса, онда теріс деп атайды да T белгісімен (9.2,г-сурет) белгіленеді. Оң және теріс дислокациялар араларындағы айырмашылық шартты болып табылады. Кристалды аударсақ, оң дислокацияны теріс дислокацияға айналдыра аламыз. Дислокация белгісі олардың өзара әрекеттерін талдаған кезде маңызды роль атқарады.

 

 

 

 

а- бүйір дислокацияны тудырушы сырғу, б- бүйір дислокацияның кеңістік схемасы, в, г- дислокациядағы атомдардың орналасу схемасы

 

9.2-сурет. Бүйір дислокациялар

 

Бірнеше атом аралық ара қашықтық бойында дислокация айналасында тордың бұзылуы туындайды.

Дислокациялар металдар вакансия тобынан кристалданған кезде (блоктар мен дәнекшелер қалыптасқанда), сол сияқты, пластикалық деформация және фазалық өзгерістерге ұшырау кезінде түзіледі. Дислокацияның маңызды сипаттамасы оның тығыздығы болып табылады. Дислокацияның тығыздығы деп кристалдың V, см² көлем бірлігінен өтетін  , см дислокацияның суммалық ұзындығын айтады. Осыдан дислокация тығыздығының өлшемділігі см^-2 болады.