- •А.Н. Игнатов
- •Новосибирск 2013
- •Предисловие
- •1.1 Введение в волоконную оптику
- •1.2 Особенности оптической электроники
- •1.3 История развития оптоэлектроники
- •1.4 Современное состояние оптоэлектронной элементной базы
- •1.5 Система обозначений оптоэлектронных приборов индикации
- •1.6 Система обозначений полупроводниковых приборов и оптронов
- •Тестовые вопросы к главе 1 «Введение в оптоэлектронику»
- •2 Физические основы оптоэлектроники
- •2.1 Различие между фотометрическими и энергетическими характеристиками
- •2.2 Фотометрические характеристики оптического излучения
- •2.2.1 Функция видности и ее зависимость от длины электромагнитной волны
- •2.2.2 Телесный угол, световой поток и механический эквивалент света
- •2.2.3 Сила света, IV
- •2.2.4 Освещенность поверхности, е
- •2.2.5 Закон освещенности
- •2.2.6 Светимость излучающей поверхности, м
- •2.2.7 Яркость светящейся поверхности, l
- •Величина
- •2.2.8 Закон Ламберта
- •2.2.9 Световая экспозиция, нv
- •2.5 Колориметрические параметры
- •2.6 Когерентность оптического излучения
- •2.6.1 Монохроматическая электромагнитная волна (мэв)
- •2.6.2 Особенности излучения электромагнитных волн в ультрафиолетовом (уф), видимом и инфракрасном (ик) диапазонах
- •2.7 Квантовые переходы и вероятности излучательных переходов
- •2.7.1 Энергетические уровни и квантовые переходы
- •2.7.2 Спонтанные переходы
- •2.7.3 Вынужденные переходы
- •2.7.4 Соотношения между коэффициентами Эйнштейна
- •2.7.5 Релаксационные переходы
- •2.8 Ширина спектральной линии
- •2.9 Использование вынужденных переходов для усиления электромагнитного поля
- •2.10 Механизм генерации излучения в полупроводниках
- •2.11 Прямозонные и непрямозонные полупроводники
- •2.12 Внешний квантовый выход и потери излучения
- •2.13 Излучатели на основе гетероструктур
- •2.14 Поглощение света в твердых телах
- •2.15 Типы переходов и характеристики излучающих полупроводниковых структур.
- •2.16 Параметры оптического излучения
- •Тестовые вопросы к главе 2 «Физические основы оптоэлектроники»
- •3 Приборы некогерентного излучения
- •3.1 Источники света
- •3.1.1 Разновидности источников
- •3.2 Основные характеристики и параметры светодиодов
- •3.2.1 Параметры светодиодов
- •3.2.2 Характеристики светодиодов
- •3.2.3 Определение и оценка параметров светодиодов
- •3.2.4 Схемы возбуждения, обеспечивающие высокую световую эффективность светодиодов
- •3.2.5 Влияние температуры
- •3.2.6 Срок службы
- •3.2.7 Ограничение тока
- •3.2.8 Достоинства твердотельных излучателей
- •3.3 Конструкции светодиодов
- •3.4 Основные схемы возбуждения светодиодов
- •3.5 Выбор типа светодиода
- •3.5.1 Основные соображения для выбора типа светодиода
- •3.5.2 Памятка разработчику
- •3.6 Электрическая модель светодиода
- •3.7 Светодиоды инфракрасного излучения
- •3.8 Светодиодные источники повышенной яркости и белого света
- •Тестовые вопросы к главе 3 «Источники некогерентного излучения»
- •4 Приборы когерентного излучения
- •4.1 Физические основы усиления и генерации лазерного излучения
- •4.2 Структурная схема лазера
- •4.3 Лазеры на основе кристаллических диэлектриков
- •4.4 Жидкостные лазеры
- •4.5 Газовые лазеры
- •4.6 Устройство и принцип действия полупроводникового инжекционного моно лазера
- •4.7 Устройство и принцип действия полупроводниковых лазеров с гетероструктурами
- •4.8 Волоконно-оптические усилители и лазеры
- •4.8.1 Волоконные усилители
- •4.8.2 Волоконные лазеры
- •4.8.3 Волоконные лазеры на основе вынужденного комбинационного рассеяния
- •4.9 Светоизлучающие диоды для волоконно-оптических систем
- •4.10 Сравнительная характеристика лазеров и светодиодов
- •4.10.1 Параметры отечественных полупроводниковых лазеров и оптических модулей
- •4.11. Квантовые эффекты в полупроводниках
- •4.12. Фотонные нанокристаллы.
- •4.13. Наноэлектронные лазеры
- •4.13.1. Наноэлектронные лазеры с горизонтальными резонаторами
- •4.13.2. Наноэлектронные лазеры с вертикальными резонаторами
- •4.14.1. Органические светодиоды
- •4.14.2. Пассивно-матричные oled
- •4.14.3. Активно-матричные oled
- •4.14.4. Технологии получения органических светодиодов
- •Тестовые вопросы к главе 4 «Приборы когерентного излучения»
- •5 Полупроводниковые фотоприемные приборы
- •5.1 Принцип работы фотоприемных приборов
- •5.2 Характеристики, параметры и модели фотоприемников
- •5.2.1 Параметры фотоприемников
- •5.2.2 Характеристики фотоприемников
- •5.2.3 Параметры фотоприемника как элемента оптопары
- •5.2.4 Электрические модели фотоприемников
- •5.3 Фотодиоды на основе p-n – перехода
- •5.4 Фотодиоды с p–I–n структурой
- •5.5 Фотодиоды Шоттки
- •5.6 Фотодиоды с гетероструктурой
- •5.7 Лавинные фотодиоды
- •5.8 Фототранзисторы
- •5.9 Фототиристоры
- •5.10 Фоторезисторы
- •5.11 Основные характеристики и параметры фоторезистора
- •5.12 Пзс приемные фотоприборы
- •5.13 Фотодиодные сбис на основе моп – транзисторов
- •5.14 Пиротехнические фотоприемники
- •5.15. Фотоприемные наноэлектронные приборы
- •5.15.1. Фотоприемники на квантовых ямах
- •5.15.2. Фотоприемники на основе квантовых точек
- •Тестовые вопросы к главе 5 «Полупроводниковые фотоприемные Приборы»
- •6 Оптроны
- •6.1 Устройство и принцип действия оптронов
- •6.2 Структурная схема оптрона
- •6.3 Классификация и параметры оптронов
- •6.4 Электрическая модель оптрона
- •6.5 Резисторные оптопары
- •6.6 Диодные оптопары
- •6.7 Транзисторные оптопары
- •6.8 Тиристорные оптопары
- •Тестовые вопросы к главе 6 «Оптроны»
- •7 Индикаторные приборы
- •7.1 Жидкокристаллические индикаторы
- •7.1.1 Основы теории
- •7.1.2 Ячейки на основе эффекта динамического рассеяния (др – ячейки)
- •7.1.3 Ячейки на основе твист-эффекта
- •7.1.4 Основные типы и параметры
- •7.1.5 Схемы включения жидкокристаллических индикаторов
- •7.1.6 Схемы управления многоразрядными индикаторами
- •7.2 Электролюминесцентные индикаторы
- •7.2.1 Устройство и принцип действия
- •7.2.2 Типы и параметры
- •7.2.3 Схемы включения электролюминесцентных индикаторов
- •7.3 Плазменные панели и устройства на их основе
- •7.4 Электрохромные индикаторы
- •7.5. Отображение информации индикаторными приборами
- •Тестовые вопросы к главе 7 «Индикаторные приборы»
- •8 Применение оптоэлектроннх приборов
- •8.1 Устройство и принцип действия оптоэлектронных генераторов
- •8.1.1 Блокинг - генератор
- •8.1.2 Генератор линейно изменяющегося напряжения
- •8.1.3 Генератор с мостом Вина
- •8.2 Применение оптоэлектронных приборов в аналоговых ключах и регуляторах
- •8.3 Применение оптронов для выполнения логических функций
- •8.4 Применение оптронов как аналогов электрорадиокомпонентов
- •8.5 Устройство и принцип действия оптоэлектронных усилителей
- •8.6 Устройство и принцип действия оптоэлектронных цифровых ключей
- •8.7 Применение оптоэлектронных приборов для измерения высоких напряжений и управления устройствами большой мощности
- •8.8 Устройство и принцип действия оптических устройств записи информации
- •8.9 Принцип лазерно-оптического считывания информации
- •8.10 Принципы цифровой оптической записи и воспроизведения информации с компакт дисков
- •8.10.1 Устройство компакт-диска
- •8.10.2 Запись на компакт диски
- •8.10.3 Отличия cd-r/cd-rw дисков от штампованных
- •8.10.4 Маркировка дисков
- •8.10.5 Надежность дисков cd-r/rw в сравнении со штампованными
- •8.10.6 Изготовление и тиражирование компакт-дисков
- •8.10.7 Воспроизведение компакт-диска
- •8.10.8 Устройство накопителей на cd-rom
- •8.10.9 Представление и параметры звукового сигнала на cd
- •8.10.10 Джиттер
- •8.11 Оптоэлектронные сенсорные системы взаимодействия человека с электронной техникой.
- •8.11 Лазерный микропроектор со спиральной разверткой для мобильных устройств
- •Тестовые вопросы к главе 8 «Применение оптоэлектронных приборов»
- •9. Волоконно-оптические системы связи
- •9.1. Общие сведения
- •9.2. Классификация волоконно-оптических систем распределения
- •9.3. Волоконно-оптические системы распределения
- •9.4. Оптические передатчики
- •9.5 Приемники волоконно-оптических систем связи
- •9.5.1 Приемные оптоэлектронные модули
- •9.6. Цифровые волоконно-оптические системы связи
- •9.7. Аналоговые волоконно-оптические системы связи
- •9.8 Умные соединители на основе смартлинков
- •9.8.1 Технические решения смартлинков
- •9.8.2 Самоформирующиеся компьютеры
- •9.8.3 Оптоволоконные нейроинтерфейсы
- •9.9 Волоконно оптические технологии для сетей доступа
- •9.9.1 Общие сведения
- •9.9.2 Тенденции мирового развития сетей доступа
- •9.9.3 Технологии оптических сетей доступа
- •9.9.4 Категории оптических сетей доступа
- •9.9.5 Волокно до бизнеса – FttBusiness
- •9.9.6 Волокно до дома – ftth
- •9.9.7 Волокно до многоквартирного дома – fттb
- •9.9.8 Волокно до сельского района
- •9.10 Медиоконверторы и их применение в оптических системах связи
- •9.10.1 Общие сведения
- •9.10.2. Основные технические требования, предъявляемые к оборудованию
- •9.10.3. Классификация медиаконвертеров по критерию управляемости
- •9.10.4. Конструктивное исполнение
- •9.10.5. Основные параметры медиаконвертеров
- •9.10.6. Система управления
- •9.10.7. Устройство и применение медиоконвертора rs-485
- •Тестовые вопросы к главе 9 «Волоконно-оптические системы связи»
- •Приложение п1
- •Приложение п2
- •Приложение п3
- •Приложение п4 Перечень принятых сокращений
- •Список цитированной литературы
9.8.2 Самоформирующиеся компьютеры
Смартлинки пригодны для автоматизированной сборки. Этим они открывают перспективное направление в создании самоформирующихся компьютеров (СФК). Компьютеры-роботы могут оснащаться манипуляторами и строить сами себя. Человеческая рука не будет прикасаться к "железу". В случае поломки компьютер сам найдет и заменит неисправную плату. В СФК манипуляторами управляет формирующий блок (рис.9.19). Межстоечный манипулятор извлекает из библиотеки плату и, переместившись к нужной стойке, передает ее стоечному манипулятору. Аналогично передаются и оптические шины. Получив плату и набор шин, стоечный манипулятор устанавливает плату в стойку и соединяет ее с другими платами. При этом система охлаждения платы автоматически соединяется с системой охлаждения СФК. Соединения стоек между собой осуществляет межстоечный манипулятор с помощью других оптошин. Эти шины могут прокладываться вообще по всему свободному объему СФК по принципу "как получится".
Рис.9.20 Устройство оптоаксона
Рис. 9.21 Устройство нейроинтерфейса
Так как процесс протекает полностью автоматически, то постоянного доступа операторов в межстоечное пространство не требуется. Таким образом, используя формирующий блок, управляющий манипуляторами, суперкомпьютер осуществляет самоформирование по заданной программе. Уникальная гибкость СФК позволяет осуществить идеологию соединений "любой с любым нужным". При этом могут реализовываться магистрали, шины, локальные и общие сети, массивы, расширяющиеся и сходящиеся древовидные структуры. Связи могут быть как постоянными, так и временными. Динамичная архитектура соединений СФК может следовать логике полиморфности, т. е. может непрерывно изменяться в ходе работы, приспосабливаясь к решению конкретных задач. Включение манипуляторов и библиотек элементов в состав компьютеров придает им совершенно новые качества – делает их исключительно устойчивыми к внешним воздействиям, дает им возможность саморазвития, самосовершенствования и даже, в какой-то первичной степени, возможность эволюции, когда они начнут разрабатывать новые микросхемы сами для себя. Программа сможет влиять на архитектуру, а архитектура на программу! Такая связь таит в себе колоссальные возможности развития и самосовершенствования.
9.8.3 Оптоволоконные нейроинтерфейсы
Смартлинки как нельзя лучше подходят для создания нейроэлектронных интерфейсов. Нервы высокоорганизованных живых существ состоят из множества передающих волокон. В берцовом нерве человека насчитывается более 50 тысяч нервных волокон, а в спинном мозге (весьма условно) до десяти миллионов! Смартлинки позволяют соединить десятки и сотни тысяч каналов одним разъемом, который может иметь сечения, совпадающие с размерами нервов. Нейроэлектронный оптоволоконный интерфейс для передачи информации в мозг (патент РФ № 2327202) представляет собой пучок оптических аксонов, размещенных в общей оболочке. В процессе вживления имплантата оптоаксоны распределяются в нейроструктуре. При соответствующей тренировке нейроны будут u1086 образовывать с оптоаксонами синаптические связи так же, как это происходит при обучении людей новым навыкам. Основным элементом оптоаксона служит световод диаметром 5–10 мкм (рис.9.20). На его торце размещена наноструктура, содержащая миниатюрный фотоэлемент и разрядник, покрытые слоем резистивного вещества, а затем слоем диэлектрика толщиной 5–10 нм. Световой импульс от передающей матрицы смартлинка проходит через световод и, попадая на слой фотоактивного вещества (например, аморфного кремния), преобразуется в электрический импульс, заряжая наноструктуру до определенного потенциала. Возникший переносный внеклеточный потенциал через слои диэлектрика и межклеточную жидкость действует на мембраны синапсов нейронов, поляризуя их. Это заставляет открываться и
закрываться ионные каналы, управляемые чувствительными к электрическому полю белками, реализуя принцип поляризационной связи. После окончания действия светового импульса наноструктура разряжается через область резистивного вещества. Оптоволоконные нейроинтерфейсы могут использоваться при протезировании органов зрения и слуха, реабилитации парализованных больных, лечении серьезных психических заболеваний.
Для передачи информации из мозга в электронные структуры разработаны принимающие нейроинтерфейсы (патент РФ №2333526, http://www.fips.ru/russite) В них по оптоволоконным световодам свет передается к нейронной структуре, модулируется в зависимости от активности ближайшего нейрона и отражается обратно в комбинированную матрицу, где преобразуется в электрическую форму (рис. 9.21). Эти интерфейсы могут использоваться для управления протезами и технологическими средствами, транспортом и оружием. На
их основе будут созданы удобные и внешне невидимые технические средства связи и управления. Разработка и внедрение имплантируемой электроники позволят улучшить жизнь людей еще сильнее, чем телевидение и интернет. Нейроинтерфейсы объединят уникальный феномен мышления людей с мощностью и скоростью электронных машин. Глобальные информационные сети постепенно превратятся в гигантские мыслящие биоэлектронные нейросети, обладающие таким могучим интеллектом, который сейчас трудно даже представить. Мировой рынок имплантируемой электроники только формируется. Но емкость его очень быстро вырастет до миллиардов долларов.
Все преимущества смартлинков и технологии ИМКС базируются, прежде всего, на аппаратной избыточности, а это своего рода недостаток. Для реализации ИМКС необходимо избыточное количество оптических волокон, избыточное количество фотоприемников, нужны коммутаторы и процессоры. Они будут занимать место на кристалле, которое раньше занимали межсоединения. Тем не менее, миниатюризация элементов микросхем, освоившая нанометровый диапазон размеров, продолжается. Она быстро сведет этот недостаток к минимуму, а преимущества умных соединений останутся! Чтобы сделать очередной шаг вперед и научиться создавать нейроинтерфейсы, имплантируемую электронику и, в конечном итоге, киборгов, нужно научиться создавать надежные многоканальные соединения с количеством связей на уровне десятков и сотен тысяч. Первым шагом в решении этой проблемы стала разработка технологии ИМКС. Возможно, появятся другие технологии. Но пока их нет – нужно разрабатывать то, что есть. Так что большого выбора нет. Сама природа за миллиарды лет эволюции не придумала ничего лучше избыточности. Избыточность смартлинков – необходимая, но не очень высокая плата за надежность, полиморфность, регенеративность и, самое главное, за высокую плотность оптических соединений, не достижимую больше никакими другими средствами.
