- •А.Н. Игнатов
- •Новосибирск 2013
- •Предисловие
- •1.1 Введение в волоконную оптику
- •1.2 Особенности оптической электроники
- •1.3 История развития оптоэлектроники
- •1.4 Современное состояние оптоэлектронной элементной базы
- •1.5 Система обозначений оптоэлектронных приборов индикации
- •1.6 Система обозначений полупроводниковых приборов и оптронов
- •Тестовые вопросы к главе 1 «Введение в оптоэлектронику»
- •2 Физические основы оптоэлектроники
- •2.1 Различие между фотометрическими и энергетическими характеристиками
- •2.2 Фотометрические характеристики оптического излучения
- •2.2.1 Функция видности и ее зависимость от длины электромагнитной волны
- •2.2.2 Телесный угол, световой поток и механический эквивалент света
- •2.2.3 Сила света, IV
- •2.2.4 Освещенность поверхности, е
- •2.2.5 Закон освещенности
- •2.2.6 Светимость излучающей поверхности, м
- •2.2.7 Яркость светящейся поверхности, l
- •Величина
- •2.2.8 Закон Ламберта
- •2.2.9 Световая экспозиция, нv
- •2.5 Колориметрические параметры
- •2.6 Когерентность оптического излучения
- •2.6.1 Монохроматическая электромагнитная волна (мэв)
- •2.6.2 Особенности излучения электромагнитных волн в ультрафиолетовом (уф), видимом и инфракрасном (ик) диапазонах
- •2.7 Квантовые переходы и вероятности излучательных переходов
- •2.7.1 Энергетические уровни и квантовые переходы
- •2.7.2 Спонтанные переходы
- •2.7.3 Вынужденные переходы
- •2.7.4 Соотношения между коэффициентами Эйнштейна
- •2.7.5 Релаксационные переходы
- •2.8 Ширина спектральной линии
- •2.9 Использование вынужденных переходов для усиления электромагнитного поля
- •2.10 Механизм генерации излучения в полупроводниках
- •2.11 Прямозонные и непрямозонные полупроводники
- •2.12 Внешний квантовый выход и потери излучения
- •2.13 Излучатели на основе гетероструктур
- •2.14 Поглощение света в твердых телах
- •2.15 Типы переходов и характеристики излучающих полупроводниковых структур.
- •2.16 Параметры оптического излучения
- •Тестовые вопросы к главе 2 «Физические основы оптоэлектроники»
- •3 Приборы некогерентного излучения
- •3.1 Источники света
- •3.1.1 Разновидности источников
- •3.2 Основные характеристики и параметры светодиодов
- •3.2.1 Параметры светодиодов
- •3.2.2 Характеристики светодиодов
- •3.2.3 Определение и оценка параметров светодиодов
- •3.2.4 Схемы возбуждения, обеспечивающие высокую световую эффективность светодиодов
- •3.2.5 Влияние температуры
- •3.2.6 Срок службы
- •3.2.7 Ограничение тока
- •3.2.8 Достоинства твердотельных излучателей
- •3.3 Конструкции светодиодов
- •3.4 Основные схемы возбуждения светодиодов
- •3.5 Выбор типа светодиода
- •3.5.1 Основные соображения для выбора типа светодиода
- •3.5.2 Памятка разработчику
- •3.6 Электрическая модель светодиода
- •3.7 Светодиоды инфракрасного излучения
- •3.8 Светодиодные источники повышенной яркости и белого света
- •Тестовые вопросы к главе 3 «Источники некогерентного излучения»
- •4 Приборы когерентного излучения
- •4.1 Физические основы усиления и генерации лазерного излучения
- •4.2 Структурная схема лазера
- •4.3 Лазеры на основе кристаллических диэлектриков
- •4.4 Жидкостные лазеры
- •4.5 Газовые лазеры
- •4.6 Устройство и принцип действия полупроводникового инжекционного моно лазера
- •4.7 Устройство и принцип действия полупроводниковых лазеров с гетероструктурами
- •4.8 Волоконно-оптические усилители и лазеры
- •4.8.1 Волоконные усилители
- •4.8.2 Волоконные лазеры
- •4.8.3 Волоконные лазеры на основе вынужденного комбинационного рассеяния
- •4.9 Светоизлучающие диоды для волоконно-оптических систем
- •4.10 Сравнительная характеристика лазеров и светодиодов
- •4.10.1 Параметры отечественных полупроводниковых лазеров и оптических модулей
- •4.11. Квантовые эффекты в полупроводниках
- •4.12. Фотонные нанокристаллы.
- •4.13. Наноэлектронные лазеры
- •4.13.1. Наноэлектронные лазеры с горизонтальными резонаторами
- •4.13.2. Наноэлектронные лазеры с вертикальными резонаторами
- •4.14.1. Органические светодиоды
- •4.14.2. Пассивно-матричные oled
- •4.14.3. Активно-матричные oled
- •4.14.4. Технологии получения органических светодиодов
- •Тестовые вопросы к главе 4 «Приборы когерентного излучения»
- •5 Полупроводниковые фотоприемные приборы
- •5.1 Принцип работы фотоприемных приборов
- •5.2 Характеристики, параметры и модели фотоприемников
- •5.2.1 Параметры фотоприемников
- •5.2.2 Характеристики фотоприемников
- •5.2.3 Параметры фотоприемника как элемента оптопары
- •5.2.4 Электрические модели фотоприемников
- •5.3 Фотодиоды на основе p-n – перехода
- •5.4 Фотодиоды с p–I–n структурой
- •5.5 Фотодиоды Шоттки
- •5.6 Фотодиоды с гетероструктурой
- •5.7 Лавинные фотодиоды
- •5.8 Фототранзисторы
- •5.9 Фототиристоры
- •5.10 Фоторезисторы
- •5.11 Основные характеристики и параметры фоторезистора
- •5.12 Пзс приемные фотоприборы
- •5.13 Фотодиодные сбис на основе моп – транзисторов
- •5.14 Пиротехнические фотоприемники
- •5.15. Фотоприемные наноэлектронные приборы
- •5.15.1. Фотоприемники на квантовых ямах
- •5.15.2. Фотоприемники на основе квантовых точек
- •Тестовые вопросы к главе 5 «Полупроводниковые фотоприемные Приборы»
- •6 Оптроны
- •6.1 Устройство и принцип действия оптронов
- •6.2 Структурная схема оптрона
- •6.3 Классификация и параметры оптронов
- •6.4 Электрическая модель оптрона
- •6.5 Резисторные оптопары
- •6.6 Диодные оптопары
- •6.7 Транзисторные оптопары
- •6.8 Тиристорные оптопары
- •Тестовые вопросы к главе 6 «Оптроны»
- •7 Индикаторные приборы
- •7.1 Жидкокристаллические индикаторы
- •7.1.1 Основы теории
- •7.1.2 Ячейки на основе эффекта динамического рассеяния (др – ячейки)
- •7.1.3 Ячейки на основе твист-эффекта
- •7.1.4 Основные типы и параметры
- •7.1.5 Схемы включения жидкокристаллических индикаторов
- •7.1.6 Схемы управления многоразрядными индикаторами
- •7.2 Электролюминесцентные индикаторы
- •7.2.1 Устройство и принцип действия
- •7.2.2 Типы и параметры
- •7.2.3 Схемы включения электролюминесцентных индикаторов
- •7.3 Плазменные панели и устройства на их основе
- •7.4 Электрохромные индикаторы
- •7.5. Отображение информации индикаторными приборами
- •Тестовые вопросы к главе 7 «Индикаторные приборы»
- •8 Применение оптоэлектроннх приборов
- •8.1 Устройство и принцип действия оптоэлектронных генераторов
- •8.1.1 Блокинг - генератор
- •8.1.2 Генератор линейно изменяющегося напряжения
- •8.1.3 Генератор с мостом Вина
- •8.2 Применение оптоэлектронных приборов в аналоговых ключах и регуляторах
- •8.3 Применение оптронов для выполнения логических функций
- •8.4 Применение оптронов как аналогов электрорадиокомпонентов
- •8.5 Устройство и принцип действия оптоэлектронных усилителей
- •8.6 Устройство и принцип действия оптоэлектронных цифровых ключей
- •8.7 Применение оптоэлектронных приборов для измерения высоких напряжений и управления устройствами большой мощности
- •8.8 Устройство и принцип действия оптических устройств записи информации
- •8.9 Принцип лазерно-оптического считывания информации
- •8.10 Принципы цифровой оптической записи и воспроизведения информации с компакт дисков
- •8.10.1 Устройство компакт-диска
- •8.10.2 Запись на компакт диски
- •8.10.3 Отличия cd-r/cd-rw дисков от штампованных
- •8.10.4 Маркировка дисков
- •8.10.5 Надежность дисков cd-r/rw в сравнении со штампованными
- •8.10.6 Изготовление и тиражирование компакт-дисков
- •8.10.7 Воспроизведение компакт-диска
- •8.10.8 Устройство накопителей на cd-rom
- •8.10.9 Представление и параметры звукового сигнала на cd
- •8.10.10 Джиттер
- •8.11 Оптоэлектронные сенсорные системы взаимодействия человека с электронной техникой.
- •8.11 Лазерный микропроектор со спиральной разверткой для мобильных устройств
- •Тестовые вопросы к главе 8 «Применение оптоэлектронных приборов»
- •9. Волоконно-оптические системы связи
- •9.1. Общие сведения
- •9.2. Классификация волоконно-оптических систем распределения
- •9.3. Волоконно-оптические системы распределения
- •9.4. Оптические передатчики
- •9.5 Приемники волоконно-оптических систем связи
- •9.5.1 Приемные оптоэлектронные модули
- •9.6. Цифровые волоконно-оптические системы связи
- •9.7. Аналоговые волоконно-оптические системы связи
- •9.8 Умные соединители на основе смартлинков
- •9.8.1 Технические решения смартлинков
- •9.8.2 Самоформирующиеся компьютеры
- •9.8.3 Оптоволоконные нейроинтерфейсы
- •9.9 Волоконно оптические технологии для сетей доступа
- •9.9.1 Общие сведения
- •9.9.2 Тенденции мирового развития сетей доступа
- •9.9.3 Технологии оптических сетей доступа
- •9.9.4 Категории оптических сетей доступа
- •9.9.5 Волокно до бизнеса – FttBusiness
- •9.9.6 Волокно до дома – ftth
- •9.9.7 Волокно до многоквартирного дома – fттb
- •9.9.8 Волокно до сельского района
- •9.10 Медиоконверторы и их применение в оптических системах связи
- •9.10.1 Общие сведения
- •9.10.2. Основные технические требования, предъявляемые к оборудованию
- •9.10.3. Классификация медиаконвертеров по критерию управляемости
- •9.10.4. Конструктивное исполнение
- •9.10.5. Основные параметры медиаконвертеров
- •9.10.6. Система управления
- •9.10.7. Устройство и применение медиоконвертора rs-485
- •Тестовые вопросы к главе 9 «Волоконно-оптические системы связи»
- •Приложение п1
- •Приложение п2
- •Приложение п3
- •Приложение п4 Перечень принятых сокращений
- •Список цитированной литературы
4.14.4. Технологии получения органических светодиодов
Основное различие в технологиях OLED и PLED заключается в методах нанесения и свойствах многослойных структур светоизлучающих материалов, определяющих параметры работы различных устройств (эффективность и ресурс работы устройства; контрастность, цветопередача и разрешение, габаритные размеры изделий и т. п.).
Для осаждения слоев материалов по технологии OLED используется метод вакуумно-термического испарения VTE (vacuum thermal evaporation). Например, металл с высокой энергией выхода (рис. 4.41) осаждается на подложку в качестве анода 2. Тонкий слой 3 (HIL — hole injection layer) обеспечивает инжекцию дырок через низкий энергетический барьер (менее 5 эВ). Затем на него осаждается слой 4, служащий для транспортировки дырок (HTL — hole transport layer). Поверх него формируется слой эмиттера 4 (EML — emissive layer). Слои 6 и 7 обеспечивают транспортировку (ETL — electron transport layer) и инжектирование электронов (EIL — electron injection layer), соответственно. Слой 8 является катодом. Требуемый цвет обеспечивается за счет применения цветовых фильтров.
Для осаждения слоев материалов по технологии OLED полимерные материалы растворяют в органическом растворителе, а затем наносят в жидком виде
Рис 4.41. Структура органического светодиода на кремниевой подложке (OLED)
1 – Кремниевая подложка; 2 – Пленка анода; 3- Слой инжектирования;
4 – Слой транспортировки дырок; 5 – Слой эмиссионного материала;
6 – Слой транспортировки электронов; 7 – Слой инжектирования электронов;
8 – Пленка катода; 9 – Прозрачный слой.
Рис 4.42. Структура полимерного светодиода (PLED)
Табл. 4.4 Достоинства и недостатки материалов, используемых в органических светодиодах
|
Низкомолекулярный материал – OLED |
Высокомолекулярный (полимерный) материал – PLED |
||
Цвет
|
Эффективность, кд/А |
Ресурс работы, ч (при яркости 150 кд/м2) |
Эффективность, кд/А |
Ресурс работы, ч (при яркости 150 кд/м2) |
Красный Зеленый Синий Желтый Белый |
1...2 8...10 4 8...10 2...4 |
50 000 200 000 14 000 >30 000 100 000 |
4...5 8...9 3 8 6...8 |
40 000 30 000 20 000 |
c помощью специального струйного "принтера". Структура PLED представлена на (рис. 4.42), на прозрачную гибкую подложку наносят пленку анода 4 и затем полимерную пленку 3, являющуюся источником инжектирования дырок HIL (hole injection layer). Далее осаждают слой 2, являющийся инжектором электронов EIL (electron injection layer) q более низким положением дна зоны проводимости. Толщина и электрические характеристики материалов подобраны так, чтобы электроны и дырки из соответствующих слоев собирались вдоль границы контакта слоев, где и происходит их рекомбинация с генерацией фотонов. Слой 1 является катодом.
В табл. 4.4 представлены некоторые сравнительные характеристики OLED-и PLED-структур. Из таблицы видно, что в настоящее время OLED-структуры превосходят PLED-структуры по сумме параметров свечения. Однако OLED-технология, в отличие от PLED-технологии, не позволяет создавать дисплеи больших размеров.
Типы OLED-структур
В настоящее время существует несколько типов ОLED - структур:
• пассивно-матричные (ПМ) (Passive-Matrix OLED, PMOLED). Элементы изображения (пиксели) представляет собой диодные структуры. Для генерации излучения необходима подача тока как на строку, так и на столбец матрицы. На базе PMOLED выполняются устройства малых размеров (2—3") отображения информации на сотовых телефонах, карманных компьютерах и МРЗ-плеерах со сроком службы не более 5 000 ч непрерывной работы. Однако PMOLED не пригодны для создания экранов с большой диагональю и высоким разрешением;
• активно-матричные (AM) (Active-Matrix OLED, AMOLED) — аналог пассивно-матричных структур, но в отличие от первого типа пиксель состоит из диода и тонкопленочного полевого транзистора (TFT), являющегося переключателем, который контролирует количество энергии, поступающей к диоду. Меньшая, чем у пассивно-матричных диодов потребляемая мощность и более высокая частота обновления данных позволяет использовать AMOLED для создания больших ТВ-экранов, дисплеев портативных устройств, мониторов, электронных информационных и рекламных табло;
• OLED-структуры с прозрачным катодом или прозрачные диоды (transparent OLED, TOLED). Ими могут быть как PMOLED-структуры, так и AMOLED-структуры. Прозрачные органические с ветодиоды на тонких прозрачных стеклянных или пластмассовых подложках позволяют генерировать излучение оптического диапазона как верхней и нижней, так и обеими торцевыми поверхностями. В нерабочем режиме панели прозрачны. TOLED могут монтироваться на стеклах очков, нашлемных дисплеях, на лобовом стекле азтомобиля, самолета и т. д.;
• наборные OLED-структуры (stacked OLED, SOLED). Особенностью формирования структуры данных светодиодных структур является вертикальное расположение субпикселей. Данная структура OLED, благодаря независимой регулировке интенсивности излучения цветопередачи и шкалы серого позволяет создавать полноцветные экраны с высоким разрешением;
• гибкие OLED-структуры (foldable-flexible OLED — FOLED) могут формироваться как на гибкой металлической фольге, так и на поверхности пластмасс. Дисплеи на гибких OLED могут быть включены в ткань одежды для спасательных служб и военных. При подаче фонового изображения (стены здания, рельефа местности и т. д.) на специальную одежду человек сливается с фоном и становится "невидимым";
• фосфоресцирующие OLED-структуры (phosphorescent OLED, — PHOLED), разработанные компанией Universal Display Corp (UDC). В данных структурах слои транспортировки дырок и электронов выполнены на основе растворимого в полимере фосфоресцирующего низкомолекулярного материала. Благодаря фосфоресценции, PHOLED теоретически могут преобразовывать практически 100 % потребляемой энергии в световое излучение (в отличие от 23 % для обычных органических светодиодов), что приводит к значительному уменьшению потребляемой мощности, сокращению тепловых потерь и, соответственно, к получению матриц больших размеров. PHOLED также пригодны для изготовления AMOLED с TFT на поли- или аморфном кремнии. Слои формируются на подложке с помощью процесса струйной печати органическим паром (Organic Vapor Phase Deposition, OVPD) — пары органического материала пропускают через микроскопические сопла, формирующие коллимированный пучок газа, создающий на подложке требуемый рис.. На базе технологий PHOLED и TOLED разрабатываются окна, которые в зависимости от погодных условий и освещенности могут либо самостоятельно испускать дневной свет, либо его пропускать. По последним рейтингам продаж 2008 г. объемы реализации AMOLED значительно превзошли PMOLED. В настоящее время в этой области деятельности лидируют две компании — Samsung SDI, выпускающая дисплеи для мобильных телефонов и SONY, наладившая производство телевизоров.
Фирма SONY выпускает серийный телевизор Sony XEL-l-П" с разрешением 960 х 540 пикселей и контрастностью экрана около 106 : 1 при мощности потребления всего 25 Вт, что заметно ниже показателей моделей с аналогичным разрешением. Толщина матрицы составляет около 3 мм. В ближайшее время планируется выход в продажу OLED-телевизора с экраном 21", продемонстрированный на выставке электроники в Лас-Вегасе CES (Consumer Electronics Show) (CES) в январе 2009 г.
В середине 2008 года на выставке электроники CeBIT-2008 компания Samsung продемонстрировала OLED-дисплей с диагональю 31" и толщиной 4,3 мм.
