- •А.Н. Игнатов
- •Новосибирск 2013
- •Предисловие
- •1.1 Введение в волоконную оптику
- •1.2 Особенности оптической электроники
- •1.3 История развития оптоэлектроники
- •1.4 Современное состояние оптоэлектронной элементной базы
- •1.5 Система обозначений оптоэлектронных приборов индикации
- •1.6 Система обозначений полупроводниковых приборов и оптронов
- •Тестовые вопросы к главе 1 «Введение в оптоэлектронику»
- •2 Физические основы оптоэлектроники
- •2.1 Различие между фотометрическими и энергетическими характеристиками
- •2.2 Фотометрические характеристики оптического излучения
- •2.2.1 Функция видности и ее зависимость от длины электромагнитной волны
- •2.2.2 Телесный угол, световой поток и механический эквивалент света
- •2.2.3 Сила света, IV
- •2.2.4 Освещенность поверхности, е
- •2.2.5 Закон освещенности
- •2.2.6 Светимость излучающей поверхности, м
- •2.2.7 Яркость светящейся поверхности, l
- •Величина
- •2.2.8 Закон Ламберта
- •2.2.9 Световая экспозиция, нv
- •2.5 Колориметрические параметры
- •2.6 Когерентность оптического излучения
- •2.6.1 Монохроматическая электромагнитная волна (мэв)
- •2.6.2 Особенности излучения электромагнитных волн в ультрафиолетовом (уф), видимом и инфракрасном (ик) диапазонах
- •2.7 Квантовые переходы и вероятности излучательных переходов
- •2.7.1 Энергетические уровни и квантовые переходы
- •2.7.2 Спонтанные переходы
- •2.7.3 Вынужденные переходы
- •2.7.4 Соотношения между коэффициентами Эйнштейна
- •2.7.5 Релаксационные переходы
- •2.8 Ширина спектральной линии
- •2.9 Использование вынужденных переходов для усиления электромагнитного поля
- •2.10 Механизм генерации излучения в полупроводниках
- •2.11 Прямозонные и непрямозонные полупроводники
- •2.12 Внешний квантовый выход и потери излучения
- •2.13 Излучатели на основе гетероструктур
- •2.14 Поглощение света в твердых телах
- •2.15 Типы переходов и характеристики излучающих полупроводниковых структур.
- •2.16 Параметры оптического излучения
- •Тестовые вопросы к главе 2 «Физические основы оптоэлектроники»
- •3 Приборы некогерентного излучения
- •3.1 Источники света
- •3.1.1 Разновидности источников
- •3.2 Основные характеристики и параметры светодиодов
- •3.2.1 Параметры светодиодов
- •3.2.2 Характеристики светодиодов
- •3.2.3 Определение и оценка параметров светодиодов
- •3.2.4 Схемы возбуждения, обеспечивающие высокую световую эффективность светодиодов
- •3.2.5 Влияние температуры
- •3.2.6 Срок службы
- •3.2.7 Ограничение тока
- •3.2.8 Достоинства твердотельных излучателей
- •3.3 Конструкции светодиодов
- •3.4 Основные схемы возбуждения светодиодов
- •3.5 Выбор типа светодиода
- •3.5.1 Основные соображения для выбора типа светодиода
- •3.5.2 Памятка разработчику
- •3.6 Электрическая модель светодиода
- •3.7 Светодиоды инфракрасного излучения
- •3.8 Светодиодные источники повышенной яркости и белого света
- •Тестовые вопросы к главе 3 «Источники некогерентного излучения»
- •4 Приборы когерентного излучения
- •4.1 Физические основы усиления и генерации лазерного излучения
- •4.2 Структурная схема лазера
- •4.3 Лазеры на основе кристаллических диэлектриков
- •4.4 Жидкостные лазеры
- •4.5 Газовые лазеры
- •4.6 Устройство и принцип действия полупроводникового инжекционного моно лазера
- •4.7 Устройство и принцип действия полупроводниковых лазеров с гетероструктурами
- •4.8 Волоконно-оптические усилители и лазеры
- •4.8.1 Волоконные усилители
- •4.8.2 Волоконные лазеры
- •4.8.3 Волоконные лазеры на основе вынужденного комбинационного рассеяния
- •4.9 Светоизлучающие диоды для волоконно-оптических систем
- •4.10 Сравнительная характеристика лазеров и светодиодов
- •4.10.1 Параметры отечественных полупроводниковых лазеров и оптических модулей
- •4.11. Квантовые эффекты в полупроводниках
- •4.12. Фотонные нанокристаллы.
- •4.13. Наноэлектронные лазеры
- •4.13.1. Наноэлектронные лазеры с горизонтальными резонаторами
- •4.13.2. Наноэлектронные лазеры с вертикальными резонаторами
- •4.14.1. Органические светодиоды
- •4.14.2. Пассивно-матричные oled
- •4.14.3. Активно-матричные oled
- •4.14.4. Технологии получения органических светодиодов
- •Тестовые вопросы к главе 4 «Приборы когерентного излучения»
- •5 Полупроводниковые фотоприемные приборы
- •5.1 Принцип работы фотоприемных приборов
- •5.2 Характеристики, параметры и модели фотоприемников
- •5.2.1 Параметры фотоприемников
- •5.2.2 Характеристики фотоприемников
- •5.2.3 Параметры фотоприемника как элемента оптопары
- •5.2.4 Электрические модели фотоприемников
- •5.3 Фотодиоды на основе p-n – перехода
- •5.4 Фотодиоды с p–I–n структурой
- •5.5 Фотодиоды Шоттки
- •5.6 Фотодиоды с гетероструктурой
- •5.7 Лавинные фотодиоды
- •5.8 Фототранзисторы
- •5.9 Фототиристоры
- •5.10 Фоторезисторы
- •5.11 Основные характеристики и параметры фоторезистора
- •5.12 Пзс приемные фотоприборы
- •5.13 Фотодиодные сбис на основе моп – транзисторов
- •5.14 Пиротехнические фотоприемники
- •5.15. Фотоприемные наноэлектронные приборы
- •5.15.1. Фотоприемники на квантовых ямах
- •5.15.2. Фотоприемники на основе квантовых точек
- •Тестовые вопросы к главе 5 «Полупроводниковые фотоприемные Приборы»
- •6 Оптроны
- •6.1 Устройство и принцип действия оптронов
- •6.2 Структурная схема оптрона
- •6.3 Классификация и параметры оптронов
- •6.4 Электрическая модель оптрона
- •6.5 Резисторные оптопары
- •6.6 Диодные оптопары
- •6.7 Транзисторные оптопары
- •6.8 Тиристорные оптопары
- •Тестовые вопросы к главе 6 «Оптроны»
- •7 Индикаторные приборы
- •7.1 Жидкокристаллические индикаторы
- •7.1.1 Основы теории
- •7.1.2 Ячейки на основе эффекта динамического рассеяния (др – ячейки)
- •7.1.3 Ячейки на основе твист-эффекта
- •7.1.4 Основные типы и параметры
- •7.1.5 Схемы включения жидкокристаллических индикаторов
- •7.1.6 Схемы управления многоразрядными индикаторами
- •7.2 Электролюминесцентные индикаторы
- •7.2.1 Устройство и принцип действия
- •7.2.2 Типы и параметры
- •7.2.3 Схемы включения электролюминесцентных индикаторов
- •7.3 Плазменные панели и устройства на их основе
- •7.4 Электрохромные индикаторы
- •7.5. Отображение информации индикаторными приборами
- •Тестовые вопросы к главе 7 «Индикаторные приборы»
- •8 Применение оптоэлектроннх приборов
- •8.1 Устройство и принцип действия оптоэлектронных генераторов
- •8.1.1 Блокинг - генератор
- •8.1.2 Генератор линейно изменяющегося напряжения
- •8.1.3 Генератор с мостом Вина
- •8.2 Применение оптоэлектронных приборов в аналоговых ключах и регуляторах
- •8.3 Применение оптронов для выполнения логических функций
- •8.4 Применение оптронов как аналогов электрорадиокомпонентов
- •8.5 Устройство и принцип действия оптоэлектронных усилителей
- •8.6 Устройство и принцип действия оптоэлектронных цифровых ключей
- •8.7 Применение оптоэлектронных приборов для измерения высоких напряжений и управления устройствами большой мощности
- •8.8 Устройство и принцип действия оптических устройств записи информации
- •8.9 Принцип лазерно-оптического считывания информации
- •8.10 Принципы цифровой оптической записи и воспроизведения информации с компакт дисков
- •8.10.1 Устройство компакт-диска
- •8.10.2 Запись на компакт диски
- •8.10.3 Отличия cd-r/cd-rw дисков от штампованных
- •8.10.4 Маркировка дисков
- •8.10.5 Надежность дисков cd-r/rw в сравнении со штампованными
- •8.10.6 Изготовление и тиражирование компакт-дисков
- •8.10.7 Воспроизведение компакт-диска
- •8.10.8 Устройство накопителей на cd-rom
- •8.10.9 Представление и параметры звукового сигнала на cd
- •8.10.10 Джиттер
- •8.11 Оптоэлектронные сенсорные системы взаимодействия человека с электронной техникой.
- •8.11 Лазерный микропроектор со спиральной разверткой для мобильных устройств
- •Тестовые вопросы к главе 8 «Применение оптоэлектронных приборов»
- •9. Волоконно-оптические системы связи
- •9.1. Общие сведения
- •9.2. Классификация волоконно-оптических систем распределения
- •9.3. Волоконно-оптические системы распределения
- •9.4. Оптические передатчики
- •9.5 Приемники волоконно-оптических систем связи
- •9.5.1 Приемные оптоэлектронные модули
- •9.6. Цифровые волоконно-оптические системы связи
- •9.7. Аналоговые волоконно-оптические системы связи
- •9.8 Умные соединители на основе смартлинков
- •9.8.1 Технические решения смартлинков
- •9.8.2 Самоформирующиеся компьютеры
- •9.8.3 Оптоволоконные нейроинтерфейсы
- •9.9 Волоконно оптические технологии для сетей доступа
- •9.9.1 Общие сведения
- •9.9.2 Тенденции мирового развития сетей доступа
- •9.9.3 Технологии оптических сетей доступа
- •9.9.4 Категории оптических сетей доступа
- •9.9.5 Волокно до бизнеса – FttBusiness
- •9.9.6 Волокно до дома – ftth
- •9.9.7 Волокно до многоквартирного дома – fттb
- •9.9.8 Волокно до сельского района
- •9.10 Медиоконверторы и их применение в оптических системах связи
- •9.10.1 Общие сведения
- •9.10.2. Основные технические требования, предъявляемые к оборудованию
- •9.10.3. Классификация медиаконвертеров по критерию управляемости
- •9.10.4. Конструктивное исполнение
- •9.10.5. Основные параметры медиаконвертеров
- •9.10.6. Система управления
- •9.10.7. Устройство и применение медиоконвертора rs-485
- •Тестовые вопросы к главе 9 «Волоконно-оптические системы связи»
- •Приложение п1
- •Приложение п2
- •Приложение п3
- •Приложение п4 Перечень принятых сокращений
- •Список цитированной литературы
3.2.4 Схемы возбуждения, обеспечивающие высокую световую эффективность светодиодов
Наклон кривых для GaAsP на рис. 4.6 показывает, что удвоение тока возбуждения приводит к более чем двукратному увеличению светового потока.
Это говорит о росте световой эффективности таких светодиодов при больших возбуждающих токах и указывает на то, что импульсные схемы возбуждения позволяют получить больший световой поток по сравнению со статическими. Достигаемое таким образом увеличение световой эффективности иллюстрируется числовым примером, относящимся к характеристике красного GaAsP-светодиода и к форме импульсов возбуждающего тока, изображенной на рис. 4.7, а. Как видно из рис. 4.7, б, при возбуждении постоянным током 10 мА создается световой поток около 0,7 млм, а при импульсном возбуждении средний световой поток составляет 2,0 млм (~10% от 20 млм).
Рис. 3.7. Временные диаграммы: возбуждающего тока (а); светового потока (б). Коэффициент заполнения t1/t2 = 10%; частота регенерации = 1/t2
При возбуждении большими токами длительность и коэффициент заполнения импульса влияют на температуру перехода. Возникающие при этом явления обсуждаются в следующем подразделе. Если светодиоды возбуждаются импульсами частотой, значительно превышающей 30 Гц, то не возникает ни мельканий, ни других ощущений вспышки, заметных человеческому глазу.
3.2.5 Влияние температуры
С ростом температуры прямое падение напряжения на светодиоде падает, соответствующий коэффициент составляет от (-1,3 до -2,5) мВ/°С. Длина волны максимальной интенсивности излучения увеличивается с ростом температуры, коэффициент равен приблизительно 0,2 нм/°С или меньше в зависимости от материала светодиода. Кроме того, излучение светодиода ослабевает с ростом температуры, типичное значение отрицательного температурного коэффициента приблизительно равно 1 %/°С.
3.2.6 Срок службы
Поскольку светодиод является твердотельным прибором, его срок службы должен превышать долговечность оборудования, где он установлен. Однако чрезвычайно медленная естественная диффузия примесей в кристаллическое полупроводниковое соединение наряду с другими не совсем ясными механизмами приводит к тому, что с течением времени световой поток несколько уменьшается. Из кривых испытаний на срок службы, приведенных на рис. 4.7, а и на рис. 4.7, б, видно, что спад светового потока больше при больших токах, однако, как правило, он меньше 10 % даже после 1000 ч непрерывной работы.
Обычно срок службы светодиода определяется как время, за которое световой поток понижается до 50 % своего первоначального значения. Для светодиодов с излучением в видимом диапазоне обычно приводятся цифры срока службы в 100000 ч (свыше 11 лет) для нормальных рабочих условий. Скорость деградации также зависит от выбранного рабочего тока, его снижение ослабляет деградацию и увеличивает срок службы.
3.2.7 Ограничение тока
Из кривых зависимости IПР от UПР, изображенных на рис. 4.8, видно, что после достижения точки перегиба ток IПР резко возрастает при небольшом увеличении прямого падения напряжения UПР. Для ограничения тока последовательно со светодиодом должен быть включен резистор (в соответствии с рис. 3.2). Этим обеспечивается эксплуатация светодиода при токе, равном или меньшем задаваемого техническими условиями. Величина сопротивления резистора получается из уравнения
,
(3.1)
где UП – напряжение питания.
Рис. 3.8. Зависимость (а) силы света от тока IПР, (б) тока IПР
от напряжения UПР
Уравнение выполняется для всех применений светодиодов (в качестве индикаторов, осветителей, шкальных индикаторов, буквенно-цифровых индикаторов или оптронов).
Если несколько светодиодов подсоединяются параллельно (через общий резистор) непосредственно к одному и тому же стабилизированному источнику питания, то прибор с наименьшим пороговым напряжением UПОР будет отбирать большую часть тока, в результате чего его световой поток заметно превысит световой поток других светодиодов. Для того чтобы избежать этого, необходимо последовательно с каждым светодиодом включить отдельный токоограничивающий резистор.
В качестве эмпирического правила можно ориентироваться на следующее: сила света (4 5) мкд достаточна для того, чтобы четко различать свечение светодиода в условиях ярко освещенного помещения (освещенность около 1000 лк). Для высокоэффективных красных светодиодов видимого диапазона излучения требуемый ток I обычно равен ~ 10 мА, для других цветов – обычно 20 мА.
Пример 1. Расчет тока возбуждения светодиода. Красный светодиод должен питаться от источника +5В и давать силу света 15 мкд. Рассчитать сопротивление токоограничивающего резистора.
Решение. На рис. 4.6 показаны характеристики этого светодиода. Из них можно найти, что ток IПР = 10 мА необходим для получения силы света 15 мкд; при этом токе напряжение UПР = 1,8 В. Использовав эти значения, получим
RОГР = (UП – UПР)/ IПР = (5 – 1,8)/0,01 = 3,2/0,01 = 320 Ом.
Ближайший номинал резистора равен 330 Ом (0,5 Вт).
