4.10 Сравнительная характеристика лазеров и светодиодов

В таблице 4.3 приведены типовые параметры полупроводниковых источников света.

Таблица 4.3 – Технические характеристики полупроводниковых источников света

Параметр	СИД		Лазеры
	Поверхностные	Суперлюминесцентные
Потребляемая мощность, мВт	75-750	75-750	15-600
Пороговый ток накачки, мА	-	-	5-250
Рабочий ток накачки, мА	50-300	50-300	10-300
Выходная мощность излучения в непрерывном режиме, мВт	1-10	1-10	1-50
Яркость, Вт/ср*см2	10-100	103	105
Мощность, вводимая в многомодовый световод, мВт	0,05-0,5	0,1-1	0,5-15
Ширина спектра излучения, нм	30-50	3-5	2*104-3
Центральная длина волны излучения, мкм	0,8	0,9	1 - 1,6
Температурная нестабильность центральной длины волны, нм/К	0,3	0,3	0,01-0,3
Ширина полосы частот модуляции по уровню - 3 дБ, МГц	100	200	500-5000
Нелинейность ватт-амперной характеристики, 	0,3-3	10	0,3-30
Срок службы, ч	104-107	104-106	103-105
Степень сложности	От низкой до средней	Средняя	Высокая
Стоимость	От низкой до средней	Средняя	От средней до высокой

Приведенный анализ показывает, что полупроводниковые источники излучения отвечают большинству требований, предъявляемых к таким приборам в световодных системах связи и световодных измерительных системах. Светоизлучающие диоды являются наиболее подходящими источниками для амплитудных ВОЛ и низкоскоростных систем передачи информации с использованием многомодовых волоконных световодов. Примерные представления о границе перехода от использования СИД к использованию лазеров в системах на многомодовых волокнах дают графики зависимостей длины ретрансляционного участка от скорости передачи информации при использовании этих излучателей, приведенные на рис. 4.26.

Зависимость длины регенерационного участка L от скорости передачи информации N для ступенчатого световода с затуханием 5 дБ/км для  = 0,85 мкм: 1 – для лазерного диода (спад характеристики на участке ВС обусловлен межмодовой дисперсией); 2 – для светоизлучающего диода (спад характеристики обусловлен на участке ЕF широким спектром диода, на участке FG - дополнительно спадом частотной характеристики).

Рис. 4.26. Зависимость длины регенерационного участка от скорости

передачи