Приложение п4 Перечень принятых сокращений

А

номинальная числовая апертура

АВС

активный волоконный световод

АИМ

амплитудно-импульсная модуляция

АПП

абсолютный показатель преломления

АЦП

аналого-цифровой преобразователь

ВАХ

вольтамперная характеристика

ВКР

вынужденное комбинационное рассеяние

ВОЛС

волоконно-оптическая линия связи

ВОС

волоконно-оптическая система

ВОСП

волоконно-оптическая система передач

ВОСС

волоконно-оптические системы связи

ВУ

вращательные уровни

ГИП

газоразрядная индикаторная панель

ГИС

гигантская интегральная схема

ГЛИН

генератор линейно изменяющегося напряжения

ДА

диэлектрическая анизотропия

ДГС

двойная гетероструктура

ДКВ

двойная корреляционная выборка

Еф

энергия соответствующая уровню Ферми

ЖК

жидкий кристалл

ЖКИ

жидкокристаллический индикатор

ЖКЭ

жидкокристаллический экран

ЗУ

запоминающее устройство

ИК

инфракрасный

ИМС

интегральная микросхема

ИС

информационная система

КМОП

комплементарные приборы со структурой металл-окисел-полупроводник

КПД

коэффициент полезного действия

КУ

колебательный уровень

ЛВС

локально-вычислительная система

ЛД

лазерный диод

ЛФД

лавинный фододиод

МКО

международная комиссия по освещению

МП

мультиплексор

МЭВ

монохроматическая электромагнитная волна

НЖК

нематематические жидкие кристаллы

ОВ

оптическое волокно

ОЗУ

оперативное запоминающее устройство

ОИ

окно интерфейса

ОК

оптический канал

ОКГ

оптический квантовый генератор

ООС

отрицательная обратная связь

ОС

обратная связь

ОУ

операционный усилитель

ОЭП

оптоэлектронные приборы

ПВО

полное внутреннее отражение

ПОВ

планарный оптический волновод

ПОС

положительная обратная связь

ППЛ

полосковый полупроводниковый лазер

ПФП

пиротехнический фотоприемник

СБИС

сверхбольшая интегральная схема

СВ

стекловолокно

СД

светодиод

СИД

светоизлучающий диод

СКР

спонтанное комбинационное рассеяние

СПФ

спонтанный фотон

ССИД

суперлюминесцентный светоизлучающий диод

СТФ

стимулированный фотон

СЭ

солнечный элемент

СЭУ

солнечная энергетическая установка

УБИС

ультрабольшая интегральная схема

ФАПЧ

фазовая автоподстройка частоты

ФД

фотодиод

ФКВ

фотонно-кристалическое волокно

ФНЧ

фильтр нижних частот

ФП

фотоприемник

ФПЗС

фотоприемные приборы с зарядовой связью

ФЭС

фотоэлектрические системы

ЦАП

цифро-аналоговый преобразователь

ЦСК

цилиндрическая система координат

ЭДС

электродвижущая сила

ЭКП

экран коллективного пользования

ЭЛИ

электролюминесцентный индикатор

ЭР

электронный регулятор

ЭУ

электронные устройства

ЭУ

электронный уровень

DWDM

многоканальная система передачи с плотным мультиплексированием

EDFA

эрбиевый усилитель

G-Ethernet

пакетная технология передачи информации компьютерных сетей;

NZDSF

волокно с ненулевой смещенной дисперсией

OTH

оптическая транспротная иерархия – стандарт построение гибких мультисервисных оптических сетей

PON

технология пассивных оптических сетей

SDH

синхронная цифровая иерархия

SMF

одномодовое волокно

WAN

система глобальной связи

WDW

система со спектральным мультиплексированием

ZWPE

волокно с нулевым водяным пиком

Приложение П5

Перечень принятых обозначений

А_э

механический эквивалент света

B

синий свет

с

скорость света в свободном пространстве

С_д

емкость диода

D_n

коэффициент диффузии электронов

Е

вектор напряженности

Е

энергия, освещенность поверхности

Е_ф

энергия фотона

Е_фон

энергия фонона

Е_з

энергетическая ширина запрещенной зоны

Е_п

дно зоны проводимости – минимальное значение энергии свободного

электрона

Е_в

потолок валентной зоны – максимальное значение энергии валентного

электрона

Е_вын

энергия вынуждающего излучения

Е_e

облученность поверхности

Е_F

энергия Ферми

Е_ю

модуль Юнга

e

f

заряд электрона

частота

G

зеленый свет

Фе

поток излучения

h

постоянная Планка

l_r

длина когерентности

K

K_i

Постоянная Больцмана

коэффициент передачи по току

К_V

коэффициент световой эффективности

К_л

коэффициент усиления лазера

К_п

коэффициент потерь излучения в резонаторе лазера

k₁, k₂

коэффициенты отражения зеркал резонатора

I

ток

I_n

электронная составляющая тока

I_p

дырочная составляющая тока

I_обр

о

I_пов

ток утечки по поверхности

I_пр

прямой ток

I_рек

ток рекомбинации

I_тун

ток туннельный

I_V

сила света

L

яркость светящейся поверхности

M

светимость излучающей поверхности

M_ф

масса фотона

М_e

энергетическая светимость

n

показатель преломления

N_а

число Авогадро

P

мощность

P_вых

выходная мощность

P_погл

поглощаемая мощность

P_пред

предельная мощность

P_э

импульс электрона

P_изл

мощность излучения

P_ген

мощность генерируемая внутри кристалла

P_λ

мощность излучения для длины волны λ

П_v

плотность энергии электромагнитного поля

Q

добротность

r_п

сопротивление потерь

r_д

сопротивление диода

R_т.с.

темновое сопротивление

R

красный свет

S

площадь поверхности

t

время

t_И

длительность импульса

U_П

напряжение источника питания

U_ПР

напряжение прямого смещения

U_ОБР

напряжение обратного смещения

V_ф

фазовая скорость

V_г

групповая скорость

V_к

объем когерентности

α

коэффициент поглощения, коэффициент затухания света

β

коэффициент, учитывающий потери



толщина слоя



внешний квантовый выход

_опт

коэффициент вывода света

_э

внутренний квантовый выход

длина волны

частота оптического излучения

υ_ц

центральная частота излучения

τ_j

время жизни на уровне j

τ_к

время когерентности

τ_ф

время излучения фотона



угол излучения, характеристическая температура Дэбая

Θ_р

расходимость излучения

Ω

телесный угол