Тестовые вопросы к главе 5 «Полупроводниковые фотоприемные Приборы»

1. Н

   

   азовите тип собственного поглощения света в кристаллах, используя данный рис.:

а) 1;

б) 2;

в) 3;

г) 4;

д) 5;

ж) 6.

2. Н

   а) 1;

   б) 2;

   в) 3;

   г) 4;

   д) 5;

   ж) 6.

   азовите тип примесного поглощения света в кристаллах, используя данный исунок:

3. Каким образом используется закон Бугера в оптоэлектронике:

а) позволяет рассчитать числовую апертуру;

б) позволяет рассчитать фоточувствительность фотоприемника;

в) позволяет оценить степень поглощения света в твердом теле;

г) позволяет определить граничную длину волны фотоприемника.

4. Укажите граничную длину волны фотоэффекта:

а) 1;

б) 2;

в) 3;

г) 4.

5.5. Что называется фотодиодом с барьером Шоттки:

а) прибор, использующий слой с собственной проводимостью;

б) прибор, использующий внутри структуры металлический слой;

в) прибор, использующий внутри структуры гетеропереход;

г) прибор, использующий внутри структуры слой с малым сопротивлением.

5.6. Что называется гетерофотодиодом:

а) прибор, использующий контакт металл-проводник;

б) прибор, использующий слой с высокой проводимостью;

в) прибор, использующий слой с низкой проводимостью;

г) прибор, использующий полупроводниковые материалы с различной шириной запрещенной зоны.

5.7. Какие особенности имеют ЛФД фотоприемники:

а) используют фотодиффузионный режим;

б) отличаются малым уровнем собственных шумов;

в) возможностью усиления фототока;

г) отличаются повышенным уровнем собственных шумов.

8. Что предусматривается в структуре фотоприемника для повышения чувствительности:

а) короткая поглощающая свет область;

б) длинная поглощающая свет область;

в) узкая поглощающая свет область;

г) оптические контакты с низким сопротивлением.

8. В какой области фотоносители перемещаются, используя механизм дрейфа:

а) в области оптических контактов;

б) в области p-n – перехода;

в) в пассивной p-области;

г) в пассивной n-области.

5.10. По какой формуле можно рассчитать токовую чувствительность к освещенности:

а) ; б) ; в) ; г) .

5.11. Какой эффект используется в работе наноэлектронных фотоприемников на квантовых схемах:

1. туннельный эффект;

2. эффект размерного квантования;

3. тиристорный эффект;

4. эффект лавинного пробоя.

5.12. Какой квантовой эффективностью характеризуются фотоприемники на квантовых точках:

1. n < 1 %;

2. n ≈ 3 – 30 %;

3. n ≈ 31 – 50 %;

4. n > 50 %.