- •41.Тензометрические полупроводниковые чувствительные элементы. Схемы включения тензорезисторов.
- •42.Тензорезистивные кремниевые датчики. Характеристики и параметры мостовых тензорезисторных преобразователей давления.
- •43.Градуировка, балансировка и компенсация температурной погрешности мостовой схемы тензопреобразователей.
- •47. Магнитоупругие преобразователи (муп). Принцип действия и конструкция муп. Схемы включения муп. Погрешность муп. Магнитоупругий датчик измерения силы.
- •48. Гальваномагниторекомбинационные преобразователи.
- •49. Датчики Виганда.
- •51.Эффект Холла. Материалы для изготовления датчиков Холла (дх). Основные параметры дх и их связь со свойствами полупроводника.
- •52. Технология изготовления дх.
- •53.Магниторезистивные преобразователи. Основные параметры магниторезисторов.
- •54.Технология изготовления магниторезисторов.
- •55.Применение гальваномагнитных преобразователей в средствах автоматизации.
- •56.Магнитодиодный эффект. Параметры магнитодиодов.
- •57.Конструкция и технология изготовления магнитодиодов. «Торцевые» и планарные магнитодиоды.
- •59.Основные задачи температурных измерений. Физические основы температурных измерений.
- •60.Погрешности температурных измерений контактными датчиками.
- •61.Полупроводниковые терморезисторы (тр). Основные характеристики тр: температурная зависимость сопротивления, вольт-амперные характеристики, инерционность, стабильность и срок службы.
- •62.Тр с отрицательным и положительным ткс. Кремниевые датчики температуры.
- •63.Применение датчиков температуры: медный, платиновый и марганцевый термометры сопротивления.
- •64.Основные задачи измерений тепловых потоков. Классификация датчиков теплового потока (дтп). Физические модели «тепловых» дтп.
- •65.Тонкопленочные дтп, калориметрические дтп
- •66.Градиентные (с продольным и поперечным градиентом) дтп
- •67. Бесконтактные измерители температуры. Тепловые фотоприемники. Применение пироэлектриков.
- •68. Биосенсоры. Применение биосенсоров: биосенсоры на основе бактерий, микроорганизмов, биологических тканей. Проблемы и перспективы развития.
- •69. Датчики газового состава. Электродные реакции.
- •70.Электрохимические методы анализа: кондуктометрия, потенциометрия, вольтамперометрия, амперометрия, кулонометрия.
- •71. Химические измерения: кислотность, окислительно- восстановительный потенциал, проводимость.
- •73.Особенности «интеллектуальных» датчиков физических величин. Функциональные возможности и требования, предъявляемые к «интеллектуальным» датчикам.
- •74.Микропроцессорные модули для интеллектуальной обработки информации. Измерительный канал «интеллектуальных» датчиков.
- •75.Основные критерии выбора микроконтроллера для «интеллектуального» датчика.
- •76. Универсальный интерфейс преобразователя.
- •77.Стандартизация интерфейсов «интеллектуальных» датчиков (семейство ieee р 1451). Коррекция ошибок в «интеллектуальных» датчиках.
- •79.Исполнение датчиков в зависимости от воздействия климатических факторов внешней среды.
- •80.Исполнение датчиков в зависимости от степени защиты от воздействия твердых тел (пыли) и пресной воды.
- •81. Исполнение датчиков в зависимости от устойчивости к воздействию синусоидальной вибрации.
67. Бесконтактные измерители температуры. Тепловые фотоприемники. Применение пироэлектриков.
Оптические бесконтактные методы измерения температуры по интенсивности теплового излучения тел называются методами оптической пирометрии.
Любое тело, находящееся при температуре выше абсолютного нуля, излучает электромагнитное излучение с непрерывным спектром в видимом и инфракрасном диапазонах с длинами волн от 0,1 до 100 мкм. Основным условием применимости методов пирометрии является требование, чтобы регистрируемое излучение было чисто тепловым, то есть подчинялось законам теплового излучения. Методы оптической пирометрии являются бесконтактными, что позволяет их использовать для измерения температур движущихся объектов, удаленных тел, микрообъектов и изолированных систем при невозможности установки контактных датчиков. Методам оптической пирометрии присуще высокое быстродействие фотоэлектрических приемников излучения, что позволяет измерять температуры быстропротекающих процессов. Современные системы измерения тепловых излучений создают возможности применения томографических методов для измерения пространственных полей температуры в случае полупрозрачных сред, особенно для случая микроволнового диапазона. Важным ограничением пирометрических методов является отличие теплового излучения реальных тел от излучения абсолютно черного тела. Это приводит к зависимости спектрального коэффициента излучения от температуры, длины волны, материала структуры излучающей нагретой поверхности. Приемник пирометра регистрирует все тепловое излучение от нагретого тела в области визирования. Это приводит к сильному влиянию отраженного и фонового теплового излучения на результаты измерений температуры оптическими пирометрами. Тепловые фотоприемники: В тепловых фотоприемниках энергия оптического излучения преобразуется в тепловую при се поглощении приемной площадкой. Приемная площадка покрывается высокопоглощающим покрытием с коэффициентом черноты более 0,9. Такие покрытия не селективны и поглощают интегральный поток во всем диапазоне длин волн падающего излучения. По способу измерения температуры приемника тепловые фотоприемники подразделяются на термоэлектрические, болометрические, пироэлектрические. Термоэлектрические приемники используют фольговые термобатареи. Для повышения чувствительности таких приемников уменьшают размеры приемных площадок. В болометрах используется терморезистивный способ измерения температуры. Приемной площадкой является сам чувствительный элемент с теплопоглощающим покрытием. В качестве терморезистивного материала используются металлы или полупроводники в виде автономной фольги либо пленки, нанесенной на изоляционную подложку. Пироэлектрические приемники обладают сверхчувствительностью: до 10 s К. Так, в радиационных пирометрах для измерений температуры ±50°С используются пироэлектрические приемники МГ-30, имеющие порог чувствительности до 10''Вт и чувствительность около 1000 В/Вт при выходном сопротивлении около 50 Ом. Поэтому вопрос о практическом применении пироэлектриков не вставал, пока не появились сегнетоэлектрические кристаллы, у которых спонтанная поляризация возникает при некоторой определенной температуре и сравнительно быстро увеличивается при се понижении. При разбиении кристалла на домены происходит уменьшение этой энергии, поскольку пространственная протяженность электрического поля уменьшается вследствие замыкания электрических силовых линий непосредственно вблизи поверхности кристалла. Для того чтобы сегнегоэлектрический кристалл приобрел пироэлектрические свойства, необходимо сделать его поляризацию однородной, а сам кристалл - монодоменным. Это оказывается возможным благодаря тому, что замечательным свойством сегнетоэлектриков является возможность переключения направления спонтанной поляризации внешним электрическим полем. Применение пироэлектриков: Пироэлектрические материалы находят широкое применение в качестве сенсорных устройств различного назначения, детекторов и приемников излучений, датчиков теплометрических приборов. Используется главным образом их основное свойство - любой вид радиации, попадающий на пироэлектрический образец, вызывает изменение его температуры и соответствующее изменение поляризации. К числу преимуществ пироэлектрических приемников излучения относятся широкий (практически неограниченный) диапазон частот детектируемой радиации, высокая чувствительность, быстродействие, способность к работе в области повышенных температур. Особенно перспективно применение пироэлектрических приемников в области частот ИК-диапазона. Все фотоприемники на основе внутреннего фотоэффекта обладают избирательной чувствительностью. Существует ряд других физических принципов создания приемников излучения. Важное место среди них во многих случаях принадлежит тепловым приемникам, обладающим практически равномерной чувствительностью во всем диапазоне длин волн. Независимо от конкретного проявления реакции чувствительного элемента на воспринимаемое оптическое излучение общим для всех тепловых приемников является использование температурного состояния чувствительного элемента (значения температуры или скорости ее изменения). ), решающее влияние на основные параметры пироэлектрических приемников оказывает значение пироэлектрического коэффициента. Максимальное значение пироэлектрический коэффициент принимает при температуре кристалла, близкой к температуре фазового перехода (в точке Кюри).
