- •41.Тензометрические полупроводниковые чувствительные элементы. Схемы включения тензорезисторов.
- •42.Тензорезистивные кремниевые датчики. Характеристики и параметры мостовых тензорезисторных преобразователей давления.
- •43.Градуировка, балансировка и компенсация температурной погрешности мостовой схемы тензопреобразователей.
- •47. Магнитоупругие преобразователи (муп). Принцип действия и конструкция муп. Схемы включения муп. Погрешность муп. Магнитоупругий датчик измерения силы.
- •48. Гальваномагниторекомбинационные преобразователи.
- •49. Датчики Виганда.
- •51.Эффект Холла. Материалы для изготовления датчиков Холла (дх). Основные параметры дх и их связь со свойствами полупроводника.
- •52. Технология изготовления дх.
- •53.Магниторезистивные преобразователи. Основные параметры магниторезисторов.
- •54.Технология изготовления магниторезисторов.
- •55.Применение гальваномагнитных преобразователей в средствах автоматизации.
- •56.Магнитодиодный эффект. Параметры магнитодиодов.
- •57.Конструкция и технология изготовления магнитодиодов. «Торцевые» и планарные магнитодиоды.
- •59.Основные задачи температурных измерений. Физические основы температурных измерений.
- •60.Погрешности температурных измерений контактными датчиками.
- •61.Полупроводниковые терморезисторы (тр). Основные характеристики тр: температурная зависимость сопротивления, вольт-амперные характеристики, инерционность, стабильность и срок службы.
- •62.Тр с отрицательным и положительным ткс. Кремниевые датчики температуры.
- •63.Применение датчиков температуры: медный, платиновый и марганцевый термометры сопротивления.
- •64.Основные задачи измерений тепловых потоков. Классификация датчиков теплового потока (дтп). Физические модели «тепловых» дтп.
- •65.Тонкопленочные дтп, калориметрические дтп
- •66.Градиентные (с продольным и поперечным градиентом) дтп
- •67. Бесконтактные измерители температуры. Тепловые фотоприемники. Применение пироэлектриков.
- •68. Биосенсоры. Применение биосенсоров: биосенсоры на основе бактерий, микроорганизмов, биологических тканей. Проблемы и перспективы развития.
- •69. Датчики газового состава. Электродные реакции.
- •70.Электрохимические методы анализа: кондуктометрия, потенциометрия, вольтамперометрия, амперометрия, кулонометрия.
- •71. Химические измерения: кислотность, окислительно- восстановительный потенциал, проводимость.
- •73.Особенности «интеллектуальных» датчиков физических величин. Функциональные возможности и требования, предъявляемые к «интеллектуальным» датчикам.
- •74.Микропроцессорные модули для интеллектуальной обработки информации. Измерительный канал «интеллектуальных» датчиков.
- •75.Основные критерии выбора микроконтроллера для «интеллектуального» датчика.
- •76. Универсальный интерфейс преобразователя.
- •77.Стандартизация интерфейсов «интеллектуальных» датчиков (семейство ieee р 1451). Коррекция ошибок в «интеллектуальных» датчиках.
- •79.Исполнение датчиков в зависимости от воздействия климатических факторов внешней среды.
- •80.Исполнение датчиков в зависимости от степени защиты от воздействия твердых тел (пыли) и пресной воды.
- •81. Исполнение датчиков в зависимости от устойчивости к воздействию синусоидальной вибрации.
51.Эффект Холла. Материалы для изготовления датчиков Холла (дх). Основные параметры дх и их связь со свойствами полупроводника.
Эффект Холла открыт американским физиком Эдвином Холлом в 1879 году. Сущность эффекта Холла состоит в том, что при прохождении тока через пластину в продольном направлении под влиянием магнитного поля возникает на краях пластинки в поперечном направлении разность потенциалов, обусловленная законом Лоренца (под влиянием магнитного поля токоносители смещаются к краю пластины). Эта разность потенциалов (ЭДС) пропорциональна величине векторного произведения напряженности поля и тока HI. Если материал однороден, то поток электронов имеет одинаковую плотность. При наличии магнитного поля силы Лоренца отклоняют электроны и искривляют их траектории. Это направление траекторий приводит к появлению отрицательных зарядов на одной стороне пластины. На противоположной стороне накапливается нескомпенсированный положительный заряд. Накопление зарядов на противоположных гранях пластинки приводит к появлению поперечного электрического поля с напряженностью Ег, которое получило название поле Холла. Такое накопление зарядов продолжается, пока возникающая поперечная ЭДС не скомпенсирует силы, создаваемые магнитным полем. После этого установится стационарный процесс, при котором электроны движутся параллельно граням пластины, как и при отсутствии магнитного поля. Материалы для изготовления датчиков Холла: Полупроводниковый материал, предназначенный для изготовления ДХ, должен обладать не только высокими, но и по возможности мало зависящими от температуры значениями постоянной Холла и подвижности носителей тока. Выбор полупроводникового материала для ДХ диктуется областью его применения. Кристаллические датчики обычно изготавливают из германия, кремния, полупроводниковых соединений элементов третей и пятой групп периодической системы Менделеева - антимонида индия, арсенида индия, арсенида галлия, а также твердого раствора - тройного соединения In(Aso,gPo,2). Как правило, используются полупроводники с электронной проводимостью, поскольку они имеют значительно большую подвижность носителей заряда, чем полупроводники с дырочной проводимостью. Необходимо подчеркнуть, что свойства каждого из указанных полупроводниковых материалов могут существенно изменяться в зависимости от рода и количества примесей, вводимых в них. Одним из самых первых материалов, который был использован при изготовлении ДХ, предназначенных для технического применения, был германий. В качестве примеси для легирования германия чаще всего используется сурьма, хотя для получения германия с электронной проводимостью могут быть применены также мышьяк и фосфор. При этом в зависимости от количества примеси удается в довольно широких пределах изменять параметры, характеризующие материал с точки зрения использования его для изготовления ДХ. Отличительной чертой кремния как материала для изготовления ДХ является возможность получения больших значений постоянной Холла. Поэтому у кремниевых ДХ высокая магнитная чувствительность. Свойства кремния также определяются степенью легирования примесями. Допускаемая температура нагрева кремниевого ДХ значительно больше, чем для датчиков из Ge, InAs, InSb. Главными недостатками кремниевых датчиков являются: Высокое значение и плохая стабильность остаточного напряжения (неэквипотенциальности); Высокое выходное сопротивление, что лимитирует снимаемую с датчиков мощность; Технологические сложности при получении качественных контактов к кремниевой пластине. Особенностью ДХ, изготовленных из кремния, является их устойчивость к ядерному излучению. Основные параметры датчиков Холла и их связь со свойствами полупроводника: Наиболее распространенной формой ДХ является плоская пластина с двумя парами электродов. Через электроды 1-2 протекает ток 1. Эти электроды называются токовыми. Обычно они выполняются по всей ширине поперечных граней, что обеспечивает равномерное распределение входного тока по сечению преобразователя. По мере уменьшения отношения длины к ширине начинает сказываться закорачивающее действие токовых электродов. Ширина ДХ выбирается максимально возможной, однако при ее выборе необходимо учитывать следующее: не всегда возможно изготовить однородный датчик, что вносит неточность в зависимость ЭДС Холла от управляющего тока и управляющего магнитного поля; при работе датчика на высоких частотах очень сильно будет сказываться влияние вихревых токов, а также паразитные индуктивности и емкости; при измерении неравномерно распределенных магнитных полей габариты ДХ могут быть ограничены самими условиями применения. Значение тока и размеры ДХ взаимосвязаны и определяются условиями нагрева.
