- •41.Тензометрические полупроводниковые чувствительные элементы. Схемы включения тензорезисторов.
- •42.Тензорезистивные кремниевые датчики. Характеристики и параметры мостовых тензорезисторных преобразователей давления.
- •43.Градуировка, балансировка и компенсация температурной погрешности мостовой схемы тензопреобразователей.
- •47. Магнитоупругие преобразователи (муп). Принцип действия и конструкция муп. Схемы включения муп. Погрешность муп. Магнитоупругий датчик измерения силы.
- •48. Гальваномагниторекомбинационные преобразователи.
- •49. Датчики Виганда.
- •51.Эффект Холла. Материалы для изготовления датчиков Холла (дх). Основные параметры дх и их связь со свойствами полупроводника.
- •52. Технология изготовления дх.
- •53.Магниторезистивные преобразователи. Основные параметры магниторезисторов.
- •54.Технология изготовления магниторезисторов.
- •55.Применение гальваномагнитных преобразователей в средствах автоматизации.
- •56.Магнитодиодный эффект. Параметры магнитодиодов.
- •57.Конструкция и технология изготовления магнитодиодов. «Торцевые» и планарные магнитодиоды.
- •59.Основные задачи температурных измерений. Физические основы температурных измерений.
- •60.Погрешности температурных измерений контактными датчиками.
- •61.Полупроводниковые терморезисторы (тр). Основные характеристики тр: температурная зависимость сопротивления, вольт-амперные характеристики, инерционность, стабильность и срок службы.
- •62.Тр с отрицательным и положительным ткс. Кремниевые датчики температуры.
- •63.Применение датчиков температуры: медный, платиновый и марганцевый термометры сопротивления.
- •64.Основные задачи измерений тепловых потоков. Классификация датчиков теплового потока (дтп). Физические модели «тепловых» дтп.
- •65.Тонкопленочные дтп, калориметрические дтп
- •66.Градиентные (с продольным и поперечным градиентом) дтп
- •67. Бесконтактные измерители температуры. Тепловые фотоприемники. Применение пироэлектриков.
- •68. Биосенсоры. Применение биосенсоров: биосенсоры на основе бактерий, микроорганизмов, биологических тканей. Проблемы и перспективы развития.
- •69. Датчики газового состава. Электродные реакции.
- •70.Электрохимические методы анализа: кондуктометрия, потенциометрия, вольтамперометрия, амперометрия, кулонометрия.
- •71. Химические измерения: кислотность, окислительно- восстановительный потенциал, проводимость.
- •73.Особенности «интеллектуальных» датчиков физических величин. Функциональные возможности и требования, предъявляемые к «интеллектуальным» датчикам.
- •74.Микропроцессорные модули для интеллектуальной обработки информации. Измерительный канал «интеллектуальных» датчиков.
- •75.Основные критерии выбора микроконтроллера для «интеллектуального» датчика.
- •76. Универсальный интерфейс преобразователя.
- •77.Стандартизация интерфейсов «интеллектуальных» датчиков (семейство ieee р 1451). Коррекция ошибок в «интеллектуальных» датчиках.
- •79.Исполнение датчиков в зависимости от воздействия климатических факторов внешней среды.
- •80.Исполнение датчиков в зависимости от степени защиты от воздействия твердых тел (пыли) и пресной воды.
- •81. Исполнение датчиков в зависимости от устойчивости к воздействию синусоидальной вибрации.
75.Основные критерии выбора микроконтроллера для «интеллектуального» датчика.
1.Пригодность для прикладной системы: наличие требуемого числа контактов, портов ввода - вывода; наличие периферийных устройства (последовательные порты ввода - вывода, постоянной и оперативной памяти, ЦАП, АЦП и т.д.); возможность ядра процессора обеспечить необходимую производительность, т.е. вычислительную мощность, позволяющую обрабатывать системные запросы в течение всей жизни системы на выбранном прикладном языке. 2.Доступность. 3.Поддержка разработчика: средства отладки; оценочный модуль; внутрисхемные эмуляторы; насадки для логических анализаторов; отладочные мониторы. 4.Информационная поддержка: примеры применения; утилиты, в том числе «бесплатные» ассемблеры; примеры исходных текстов. 5.Надежность. Микроконтроллеры оснащены встроенными дополнительными устройствами. Эти устройства под управлением микропроцессорного ядра микроконтроллера выполняют определенные функции. Встроенные устройства обладают повышенной надежностью, поскольку они не требуют никаких внешних электрических цепей. К наиболее известным встроенным устройствам относятся устройства памяти и порты ввода - вывода, таймеры, системные часы.
Устройства памяти включают оперативную память, постоянные запоминающие устройства, перепрограммируемую память или электрически перепрограммируемую память. Таймеры включают часы реального времени и таймеры прерываний. Следует принимать во внимание не только диапазон и разрешение таймера, но и другие подфункции, такие как сравнение, захват входных линий при изменении длительности сигнала. Средства периферии включают последовательные порты связи, параллельные порты, АЦП, ЦАП, драйверы дисплея и т.д. Необходимо внимательно изучить набор команд и регистров каждого микроконтроллера, т.к. они играют важнейшую роль в определении возможностей системы в целом. Для этого необходимо определить: существуют ли специальные команды, которые будут использоваться в системе, такие как умножение, деление и табличное интерполирование; существуют ли режимы энергосбережения для экономии батарейного питания, такие как столовый, столовый с низким потреблением мощности или с ожиданием; существуют ли команды битовых манипуляций (установка бита, очистка бита, тест бита, изменение бита, команды перехода по установленному биту), облегчающие применение микроконтроллера, или команды манипуляции с битовыми полями. Реальным критерием производительности является количество тактовых циклов, требуемое для выполнения задачи, а не количество исполненных команд. Основные технические параметры, по которым сравниваются различные модели микроконтроллеров: разрядность, производительность, рабочая частота, наличие и размер ПЗУ, ОЗУ, наличие интегрированных устройств: последовательных портов, АЦП, устройств ввода - вывода, корпус.
