- •41.Тензометрические полупроводниковые чувствительные элементы. Схемы включения тензорезисторов.
- •42.Тензорезистивные кремниевые датчики. Характеристики и параметры мостовых тензорезисторных преобразователей давления.
- •43.Градуировка, балансировка и компенсация температурной погрешности мостовой схемы тензопреобразователей.
- •47. Магнитоупругие преобразователи (муп). Принцип действия и конструкция муп. Схемы включения муп. Погрешность муп. Магнитоупругий датчик измерения силы.
- •48. Гальваномагниторекомбинационные преобразователи.
- •49. Датчики Виганда.
- •51.Эффект Холла. Материалы для изготовления датчиков Холла (дх). Основные параметры дх и их связь со свойствами полупроводника.
- •52. Технология изготовления дх.
- •53.Магниторезистивные преобразователи. Основные параметры магниторезисторов.
- •54.Технология изготовления магниторезисторов.
- •55.Применение гальваномагнитных преобразователей в средствах автоматизации.
- •56.Магнитодиодный эффект. Параметры магнитодиодов.
- •57.Конструкция и технология изготовления магнитодиодов. «Торцевые» и планарные магнитодиоды.
- •59.Основные задачи температурных измерений. Физические основы температурных измерений.
- •60.Погрешности температурных измерений контактными датчиками.
- •61.Полупроводниковые терморезисторы (тр). Основные характеристики тр: температурная зависимость сопротивления, вольт-амперные характеристики, инерционность, стабильность и срок службы.
- •62.Тр с отрицательным и положительным ткс. Кремниевые датчики температуры.
- •63.Применение датчиков температуры: медный, платиновый и марганцевый термометры сопротивления.
- •64.Основные задачи измерений тепловых потоков. Классификация датчиков теплового потока (дтп). Физические модели «тепловых» дтп.
- •65.Тонкопленочные дтп, калориметрические дтп
- •66.Градиентные (с продольным и поперечным градиентом) дтп
- •67. Бесконтактные измерители температуры. Тепловые фотоприемники. Применение пироэлектриков.
- •68. Биосенсоры. Применение биосенсоров: биосенсоры на основе бактерий, микроорганизмов, биологических тканей. Проблемы и перспективы развития.
- •69. Датчики газового состава. Электродные реакции.
- •70.Электрохимические методы анализа: кондуктометрия, потенциометрия, вольтамперометрия, амперометрия, кулонометрия.
- •71. Химические измерения: кислотность, окислительно- восстановительный потенциал, проводимость.
- •73.Особенности «интеллектуальных» датчиков физических величин. Функциональные возможности и требования, предъявляемые к «интеллектуальным» датчикам.
- •74.Микропроцессорные модули для интеллектуальной обработки информации. Измерительный канал «интеллектуальных» датчиков.
- •75.Основные критерии выбора микроконтроллера для «интеллектуального» датчика.
- •76. Универсальный интерфейс преобразователя.
- •77.Стандартизация интерфейсов «интеллектуальных» датчиков (семейство ieee р 1451). Коррекция ошибок в «интеллектуальных» датчиках.
- •79.Исполнение датчиков в зависимости от воздействия климатических факторов внешней среды.
- •80.Исполнение датчиков в зависимости от степени защиты от воздействия твердых тел (пыли) и пресной воды.
- •81. Исполнение датчиков в зависимости от устойчивости к воздействию синусоидальной вибрации.
54.Технология изготовления магниторезисторов.
В настоящее время для формирования магниторезисторов наиболее часто используется пленочная технология, позволяющая получать магниторезисторы различной конфигурации. материала для изготовления магнитопезистопов. Особенностью этой технологии является нанесение в едином цикле вакуумного напыления на стеклянную подложку хромового подслоя толщиной около 50 нм, слоев сурьмы, индия и последующей их термообработке по определенному режиму, приводящей к образованию пленки поликристаллического антимонида индия (рис. 3.20). Полученная таким образом пленка прочно удерживается на подложке и не отслаивается в процессе фотолитографического травления. Необходимо отметить, что поверх пленки антимонида индия целесообразно наносить слой металлического индия, из которого фотолитографически вытравливаются поперечные полоски для закорачивания холловского напряжения и улучшения параметров магниторезисторов. Выбор индия для указанных целей обосновывается его высокой проводимостью, повышенной адгезией к InSb, а также стремлением избежать загрязнения вакуумной установки другими металлами.
55.Применение гальваномагнитных преобразователей в средствах автоматизации.
Измерение индукции постоянных и переменных магнитных полей. Тесламетрами на гальваномагнитных датчиках с высокой точностью (до десятых долей процента) измеряется магнитная индукция от 1 O'6 до нескольких десятков Тл. Миниатюрными зондами приборов измеряют индукцию в труднодоступных местах, где невозможно использование других методов. Бесконтактные сигнализаторы положения перемещающихся объектов на ДХ и магниторезисторах применяются в случаях, если необходимо получить весьма точную информацию о положении движущегося объекта при условии, что скорость перемещения его высока и велико расстояние между ним и воспринимающим элементом. Такая задача возникает при программном управлении металлорежущими станками, в автоматизированных подъемно-транспортных механизмах и т.д. Сигнализаторы положения на ДХ и магниторезисторах невосприимчивы к воздействию газов, пыли, вибрациям, имеют большой срок службы. Датчики, предназначенные для преобразования линейных перемещений в электрическую величину [11], построенные на основе гальва- номагнитных преобразователей, по сравнению с аналогичными датчиками, основанными на реостатном, емкостном, индуктивном, фотоэлектрическом и других принципах, характеризуются более высокими разрешающей способностью, порогом чувствительности, надежностью работы при относительной простоте конструкции, малыми габаритами, небольшим собственным потреблением энергии, длительным сроком службы. Датчик давления на основе гальваномагнитных преобразователей целесообразно использовать для регистрации импульсных и быстропеременных давлений, вызывающих перемещение постоянного магнита относительно ДХ на величину порядка 0,01 мм. Это означает, что имеется возможность создания высокоточных датчиков, работающих в широком диапазоне давлений. Преимуществами датчиков давления с гальваномагнитными преобразователями являются: возможность работы в агрессивных средах. Это объясняется тем, что чувствительный элемент и преобразовательный узел связаны между собой посредством магнитного поля; при отключении питания и последующем восстановлении информация о текущем давлении не теряется. Бесконтактные реле на магниторезисторах построены на базе обычных миниатюрных электромагнитных реле. При прохождении тока через катушку реле в воздушном зазоре магнитной цепи, куда помещен магниторезистор, возникает магнитное поле. Под действием последнего сопротивление магниторезистора увеличивается приблизительно в восемь раз. Выходная цепь, управление которой осуществляется магниторезистором, может быть эквивалентна замыкающему, размыкающему или переключающему механическим контактам. Бесколлекторные двигатели постоянного тока отличаются от обычных щеточных тем, что коммутация тока в их обмотках осуществляется не посредством щеток и разрезного коллектора, а с помощью электронной схемы. Такой двигатель собран из ротора в виде постоянного магнита, обмоток, статора и гальваномагнитных датчиков-индикаторов угла поворота ротора. В качестве последних используется преимущественно ДХ, что объясняется следующими обстоятельствами: выходной сигнал, снимаемый с ДХ и служащий для управления током в обмотке двигателя, зависит от направления магнитного поля, воздействующего на ДХ. Таким образом, один ДХ может управлять двумя обмотками, сдвинутыми на 180°. При использовании же магниторезисторов каждая обмотка требует самостоятельного магниторезистора; индукция в воздушном зазоре двигателя, куда помещается галь- ваномагнитный датчик, обычно составляет 0,4-0,6 Тл. Этого достаточно для получения сигнала нужного значения с выхода ДХ, но не обеспечивает требуемого изменения сопротивления магниторезистора. Преимуществами бесколлекторных двигателей являются длительный срок службы, взрывобезопасность и отсутствие искровых помех.
