- •Вопрос 1 Явление переноса в газах: диффузия, теплопроводность, вязкость
- •Вопрос 2 Теория теплоёмкости Эйнштейна
- •Недостатки теории
- •Вопрос 1Пространственная решетка. Элементарная и примитивная решетки.
- •Вопрос 2 Уравнение Аррениуса
- •Вопрос 1 Природа пластичности твердых тел
- •Вопрос 2 Учет вклада свободных электронов в теплоемкость.
- •Вырожденный газ
- •Вопрос 1 Распределение электронов по энергетическим зонам в металлах, полупроводниках и диэлектриках.
- •Вопрос 2 Понятие длинны и времени выравнивания концентрации в газах и времени выравнивания температуры.
- •Вопрос 1Пространственные группы и кристаллические классы
- •Вопрос 2 Перемещение атомов в твёрдых телах на большие расстояния.
- •Вопрос 1 Дефекты кристаллической решётки.
- •Вопрос 2 Теория теплоёмкости Дебая.
- •Вопрос 1 Общее уравнение переноса
- •Вопрос 2 Решетка с базисом на примере кубической объемно центрированной и кубической гранецентрированной решеток. Простая, объемно- и гранецентрированная кубические решетки
- •Вопрос 1 Квантовая теория электропроводности металлов
- •Вопрос 2 Эффект Холла как метод исследования полупроводников
- •Вопрос 1 Поглощение света в кристаллах
- •Вопрос 2 Закон Видельмана- Франса
- •Вопрос 1Частные случаи общего уравнения переноса
- •Процесс переноса массы
- •Процесс переноса энергии
- •Вопрос 2 Нормальные колебания решетки
- •Вопрос 1 Сравнение механизма электропроводности металлов с механизмов проводимости в полупроводниках
- •Вопрос 2 Теплопроводность твердых тех
- •Вопрос 1 Понятие о симметрии кристаллической решетки
- •Вопрос 2 вакансионный механизм диффузии в твердых телах
- •Вопрос 1 Теплоемкость твердых тел
- •Вопрос 2 Эффект Холла в полупроводниках конечных размеров
- •Вопрос 1 Зависимость концентрации свободных электронов их подвижности и проводимости от температуры
- •Вопрос 2 Используем статистику Ферми-Дирака для описания электронного газа в полупроводнике.
- •Вопрос 1 Электропроводность чистых металлов. Правило Маттисена
- •Вопрос 2
- •Вопрос 1 Понятие эффективного диаметра молекул их длины свободного пробега
- •Вопрос 2 Определение энергии Ферми
- •Вопрос 1 Эффект Холла в неограниченном веществе
- •Вопрос 2 Индексы Милера
- •Вопрос 1 Модель свободных электронов
- •Вопрос 2 Методы изучения структуры твёрдых тел с помощью рентгеновского излучения.
- •Вопрос 1 Понятие о фононах
- •Вопрос 2 Зависимость концентрации, подвижности и проводимости полупроводников от температуры
- •Вопрос 1 Теплопроводность металлов
- •Вопрос 2 определение ширины запрещенной зоны полупроводников оптическим методом
- •Вопрос 1 Квантовая теория электропроводности
- •Вопрос 2 Атомный механизм диффузии в междоузлии
- •Вопрос 1 Сравнение классической теории электропроводности с квантовой
- •Вопрос 2 Оптика полупроводников
- •Вопрос 1 Условия выбора элементарных ячеек по Браве
- •Вопрос 2 Теория теплоемкости Дебая
- •Вопрос 1 Энергия активации диффузии в твердых телах
- •Вопрос 2 учебник Савельев страница 182, 202 (учебник у Славы )
- •Вопрос 1 Частные случаи общего уравнения переноса.
- •Вопрос 2 Связь подвижности электронов со временем релаксации.
- •Вопрос 1 Пространственные группы и кристаллические классы.
- •Вопрос 1 Учет вклада свободных электронов в теплоемкость.
- •Вопрос 2 Симметрия Кристаллов
- •Вопрос 1 Классификация твёрдых тел
- •Вопрос 2 Зависимость сопротивления проводника от температуры
- •Вопрос 2 Оптика полупроводников
- •Вопрос 1 Частный случай общего уравнения переноса: диффузия
- •Вопрос 2 Кубическая сингания
- •Вопрос 1
- •Вопрос 2 Теория теплоёмкости Эйнштейна. Общие положения.
- •Вопрос 1 Связь межплоскостных расстояний с индексами
- •Вопрос 2 Проводимость примесных полупроводников.
Вопрос 1 Теплоемкость твердых тел
В качестве модели твердого тела рассмотрим правильно построенную кристаллическую решетку, в узлах которой частицы (атомы, ионы, молекулы), принимаемые за материальные точки, колеблются около своих положений равновесия — узлов решетки — в трех взаимно перпендикулярных направлениях. Таким образом, каждой составляющей кристаллическую решетку частице приписывается три колебательных степени свободы, каждая из которых, согласно закону равнораспределения энергии по степеням свободы, обладает энергией kT.
Внутренняя энергия моля твердого тела
где NA — постоянная Авогадро; NAk=R (R — молярная газовая постоянная). Молярная теплоемкость твердого тела
(73.1)
т. е. молярная (атомная) теплоемкость химически простых тел в кристаллическом состоянии одинакова (равна 3R) и не зависит от температуры. Этот закон был эмпирически получен французскими учеными П. Дюлонгом (1785—1838) и Л. Пти (1791—1820) и носит название закона Дюлонга и Пти.
Закон Дюлонга-Пти (Закон постоянства теплоёмкости) — эмпирический закон, согласно которому молярная теплоёмкость твёрдых тел при комнатной температуре близка к 3R:
где R — универсальная газовая постоянная.
Закон выводится в предположении, что кристаллическая решетка тела состоит из атомов, каждый из которых совершает гармонические колебания в трех направлениях, определяемыми структурой решетки, причем колебания по различным направлениям абсолютно независимы друг от друга. При этом получается, что каждый атом представляет три осциллятора с энергией E, определяемой следующей формулой:
.
Формула
вытекает из теоремы о равнораспределении энергии по
степеням свободы. Так как каждый
осциллятор имеет одну степень
свободы,
то его средняя кинетическая
энергия равна
,
а так как колебания происходят
гармонически, то средняя потенциальная
энергия равна
средней кинетической, а полная энергия
- соответственно их сумме. Число
осцилляторов в одном моле вещества
составляет
,
их суммарная энергия численно равна
теплоемкости тела - отсюда и вытекает
закон Дюлонга-Пти.
Вопрос 2 Эффект Холла в полупроводниках конечных размеров
Холловское поле в полупроводнике конечных размеров компенсирует действие магнитного поля, и носители заряда движутся по той же траектории, что и без магнитного поля. В этом случае сопротивление полупроводниковой пластины под действием магнитного поля не должно было бы изменяться. Однако из-за различных скоростей движения носителей заряда на них по-разному действует холловское поле и сила Лоренца.
На более медленные носители сильнее действует поле Холла, а на более быстрые - сила Лоренца. Траектории движения носителей с отличными от средней скоростями не будут совпадать с направлением внешнего электрического поля. Таким образом, уменьшаются составляющая скорости в направлении поля и соответственно протекающий ток. Уменьшение проводимости в магнитном поле получило название «эффект магнитосопротнвления».
Изменение сопротивления в магнитном поле зависит от подвижности, механизма рассеяния, угла между направлением магнитного поля и направлением движения носителей и от ряда других факторов. Поскольку холловское поле уменьшает эффект маг-нитосопротивления, значительно большее магнитосопротивление можно получить в полупроводниках СО смешанной проводимостью и неограниченных в направлении х.
Билет 14
