- •Вопрос 1 Явление переноса в газах: диффузия, теплопроводность, вязкость
- •Вопрос 2 Теория теплоёмкости Эйнштейна
- •Недостатки теории
- •Вопрос 1Пространственная решетка. Элементарная и примитивная решетки.
- •Вопрос 2 Уравнение Аррениуса
- •Вопрос 1 Природа пластичности твердых тел
- •Вопрос 2 Учет вклада свободных электронов в теплоемкость.
- •Вырожденный газ
- •Вопрос 1 Распределение электронов по энергетическим зонам в металлах, полупроводниках и диэлектриках.
- •Вопрос 2 Понятие длинны и времени выравнивания концентрации в газах и времени выравнивания температуры.
- •Вопрос 1Пространственные группы и кристаллические классы
- •Вопрос 2 Перемещение атомов в твёрдых телах на большие расстояния.
- •Вопрос 1 Дефекты кристаллической решётки.
- •Вопрос 2 Теория теплоёмкости Дебая.
- •Вопрос 1 Общее уравнение переноса
- •Вопрос 2 Решетка с базисом на примере кубической объемно центрированной и кубической гранецентрированной решеток. Простая, объемно- и гранецентрированная кубические решетки
- •Вопрос 1 Квантовая теория электропроводности металлов
- •Вопрос 2 Эффект Холла как метод исследования полупроводников
- •Вопрос 1 Поглощение света в кристаллах
- •Вопрос 2 Закон Видельмана- Франса
- •Вопрос 1Частные случаи общего уравнения переноса
- •Процесс переноса массы
- •Процесс переноса энергии
- •Вопрос 2 Нормальные колебания решетки
- •Вопрос 1 Сравнение механизма электропроводности металлов с механизмов проводимости в полупроводниках
- •Вопрос 2 Теплопроводность твердых тех
- •Вопрос 1 Понятие о симметрии кристаллической решетки
- •Вопрос 2 вакансионный механизм диффузии в твердых телах
- •Вопрос 1 Теплоемкость твердых тел
- •Вопрос 2 Эффект Холла в полупроводниках конечных размеров
- •Вопрос 1 Зависимость концентрации свободных электронов их подвижности и проводимости от температуры
- •Вопрос 2 Используем статистику Ферми-Дирака для описания электронного газа в полупроводнике.
- •Вопрос 1 Электропроводность чистых металлов. Правило Маттисена
- •Вопрос 2
- •Вопрос 1 Понятие эффективного диаметра молекул их длины свободного пробега
- •Вопрос 2 Определение энергии Ферми
- •Вопрос 1 Эффект Холла в неограниченном веществе
- •Вопрос 2 Индексы Милера
- •Вопрос 1 Модель свободных электронов
- •Вопрос 2 Методы изучения структуры твёрдых тел с помощью рентгеновского излучения.
- •Вопрос 1 Понятие о фононах
- •Вопрос 2 Зависимость концентрации, подвижности и проводимости полупроводников от температуры
- •Вопрос 1 Теплопроводность металлов
- •Вопрос 2 определение ширины запрещенной зоны полупроводников оптическим методом
- •Вопрос 1 Квантовая теория электропроводности
- •Вопрос 2 Атомный механизм диффузии в междоузлии
- •Вопрос 1 Сравнение классической теории электропроводности с квантовой
- •Вопрос 2 Оптика полупроводников
- •Вопрос 1 Условия выбора элементарных ячеек по Браве
- •Вопрос 2 Теория теплоемкости Дебая
- •Вопрос 1 Энергия активации диффузии в твердых телах
- •Вопрос 2 учебник Савельев страница 182, 202 (учебник у Славы )
- •Вопрос 1 Частные случаи общего уравнения переноса.
- •Вопрос 2 Связь подвижности электронов со временем релаксации.
- •Вопрос 1 Пространственные группы и кристаллические классы.
- •Вопрос 1 Учет вклада свободных электронов в теплоемкость.
- •Вопрос 2 Симметрия Кристаллов
- •Вопрос 1 Классификация твёрдых тел
- •Вопрос 2 Зависимость сопротивления проводника от температуры
- •Вопрос 2 Оптика полупроводников
- •Вопрос 1 Частный случай общего уравнения переноса: диффузия
- •Вопрос 2 Кубическая сингания
- •Вопрос 1
- •Вопрос 2 Теория теплоёмкости Эйнштейна. Общие положения.
- •Вопрос 1 Связь межплоскостных расстояний с индексами
- •Вопрос 2 Проводимость примесных полупроводников.
Вопрос 1 Классификация твёрдых тел
По виду зонной структуры твёрдые тела классифицируют на проводники, полупроводники и диэлектрики.
проводники — зона проводимости и валентная зона перекрываются, таким образом электрон может свободно перемещаться между ними, получив любую допустимо малую энергию. Таким образом, при приложении к твердому телу разности потенциалов, электроны смогут свободно двигаться из точки с меньшим потенциалом в точку с большим, образуя электрический ток. К проводникам относят все металлы.
полупроводники — зоны не перекрываются и расстояние между ними составляет менее 4эВ. Для того, чтобы перевести электрон из валентной зоны в зону проводимости требуется энергия меньшая, чем для диэлектрика, поэтому чистые (собственные, нелегированные) полупроводники слабо пропускают ток.
диэлектрики — зоны не перекрываются и расстояние между ними составляет более 4эВ. Таким образом, для того, чтобы перевести электрон из валентной зоны в зону проводимости требуется значительная энергия, поэтому диэлектрики ток практически не проводят.
Вопрос 2 Зависимость сопротивления проводника от температуры
Удельное сопротивление, а следовательно, и сопротивление металлов, зависит от температуры, увеличиваясь с ее ростом. Температурная зависимость сопротивления проводника объясняется тем, что
возрастает интенсивность рассеивания (число столкновений) носителей зарядов при повышении температуры;
изменяется их концентрация при нагревании проводника.
Опыт показывает, что при не слишком высоких и не слишком низких температурах зависимости удельного сопротивления и сопротивления проводника от температуры выражаются формулами:
где ρ0, ρt — удельные сопротивления вещества проводника соответственно при 0 °С и t °C; R0, Rt — сопротивления проводника при 0 °С и t °С, α — температурный коэффициент сопротивления: измеряемый в СИ в Кельвинах в минус первой степени (К-1). Для металлических проводников эти формулы применимы начиная с температуры 140 К и выше.
Температурный коэффициент сопротивления вещества характеризует зависимость изменения сопротивления при нагревании от рода вещества. Он численно равен относительному изменению сопротивления (удельного сопротивления) проводника при нагревании на 1 К.
где — среднее значение температурного коэффициента сопротивления в интервале ΔΤ.
Для всех металлических проводников α > 0 и слабо изменяется с изменением температуры. У чистых металлов α = 1/273 К-1. У металлов концентрация свободных носителей зарядов (электронов) n = const и увеличение ρ происходит благодаря росту интенсивности рассеивания свободных электронов на ионах кристаллической решетки.
Для растворов электролитов α < 0, например, для 10%-ного раствора поваренной соли α = -0,02 К-1. Сопротивление электролитов с ростом температуры уменьшается, так как увеличение числа свободных ионов из-за диссоциации молекул превышает рост рассеивания ионов при столкновениях с молекулами растворителя.
Формулы зависимости ρ и R от температуры для электролитов аналогичны приведенным выше формулам для металлических проводников. Необходимо отметить, что эта линейная зависимость сохраняется лишь в небольшом диапазоне изменения температур, в котором α = const. При больших же интервалах изменения температур зависимость сопротивления электролитов от температуры становится нелинейной.
Графически зависимости сопротивления металлических проводников и электролитов от температуры изображены на рисунках 1, а, б.
При очень низких температурах, близких к абсолютному нулю (-273 °С), сопротивление многих металлов скачком падает до нуля. Это явление получило название сверхпроводимости. Металл переходит в сверхпроводящее состояние.
Зависимость сопротивления металлов от температуры используют в термометрах сопротивления. Обычно в качестве термометрического тела такого термометра берут платиновую проволоку, зависимость сопротивления которой от температуры достаточно изучена.
Об изменениях температуры судят по изменению сопротивления проволоки, которое можно измерить. Такие термометры позволяют измерять очень низкие и очень высокие температуры, когда обычные жидкостные термометры непригодны.
Билет 29
Кристаллографические индексы узлов и направлений
Кристаллографические направления - это характерные прямые линии, выходящие из точки отсчета, вдоль которых в кристаллической решетке располагаются атомы. Точками отсчета, могут служить вершины куба, а кристаллографическими направлениями - его ребра и диагонали, а также диагонали граней
Трехмерная периодичность в расположении атомов (ионов или групп атомов) кристаллов позволяет построить связанную с этим расположением пространственную решетку. Повторяющиеся элементы (точки) этой решетки называются узлами. В наиболее простых случаях положение узлов решетки совпадает с положением центров атомов (ионов), в более сложных – узел может быть геометрическим центром или центром тяжести определенной атомной группировки (молекулы).
Для описания пространственной решетки вводят систему координатных осей. Начало координат помещают в один из узлов решетки. Три координатных оси должны совпадать с тремя некомпланарными кристаллографическими направлениями. Описание решетки оказывается наиболее простым и удобным, если выбор осей соответствует ее симметрии. Кристаллографические направления, совпадающие с выбранными осями координат, называются основными кристаллографическими осями.
Углы между ними – a , b и g (рис. 8) являются важными характеристиками пространственной решетки. Три вектора, направленные вдоль основных осей и равные по длине соответствующим периодам идентичности, принято называть основными векторами или элементарными трансляциями (a, b, с на рис. 8). При таком описании положение любого узла пространственной решетки может быть определено вектором:
R = ma + nb + pc,
где m, n, p – целые числа. Таким образом, в любой узел решетки можно попасть из начала координат путем соответствующего числа (m, n, p) элементарных перемещений вдоль основных координат осей. Такие элементарные перемещения также называются элементарными трансляциями. Если положение данного узла задано вектором R, то числа m, n, p по существу являются координатами узла решетки и называются индексами узла (рис. 8).
Для определения индекса какого-либо направления необходимо найти индекс ближайшего к данной точке отсчета атома, находящегося на данном направлении. Например, индекс ближайшего атома вдоль оси ОХ обозначается цифрами 100 (рис. 1.4,а). Эти цифры представляют собой координаты упомянутого атома относительно точки О, выраженные через количество параметров вдоль осей OX, OY и OZ соответственно.
Индексы направления ОХ и параллельных ему направлений обозначаются [100]. Соответственно направления OY и OZ обозначаются [010] и [001]. Кристаллографические направления вдоль диагоналей граней XOZ, XOY и YOZ обозначают [101], [110] и [011]. Пользуясь указанной методикой, можно определить индекс любого направления. Например, индекс направления вдоль диагонали куба выразится так: [111].
