- •Усилители и формирователи электрических сигналов на биполярных и полевых транзисторах введение
- •1. Усилители электрических сигналов
- •1.1.Общие сведения об усилителях электрических сигналов, их основных параметрах и характеристиках
- •1.2.Искажения в усилителях
- •1.3.Обратные связи в схемах усилителей
- •1.4.Последовательная обратная связь по напряжению
- •1.5.Влияние последовательной ooc по напряжению на стабильность коэффициента усиления усилителя
- •1.6.Влияние последовательной оос по напряжению на входное и выходное сопротивление усилителя
- •1.7.Влияние отрицательной обратной связи на частотные и фазовые характеристики усилителя
- •1.8.Влияние обратной связи на нелинейные искажения и помехи
- •1.9.Обратная связь по току
- •1.10.Параллельная обратная связь по напряжению
- •2.Усилительные каскады на транзисторах
- •2.1.Выбор режима работы транзистора
- •2.2.Стабилизация рабочей точки
- •2.3.Усилители с емкостной связью на транзисторах. Схема с общим эмиттером в области средних частот
- •2.4.Усилитель с оэ в области низких частот
- •2.5.Эквивалентная схема транзистора на высоких частотах
- •2.6.Усилитель с 0э в области высоких частот
- •2.7.Усилитель по схеме об
- •2.8.Особенности усилителя об в области высоких частот
- •2.9.Эмиттерный повторитель
- •3.Усилители на полевых транзисторах
- •3.1.Общие сведения о полевых транзисторах
- •3.2.Схема усилителя с общим истоком
- •3.3.Особенности схем с общим стоком и общим затвором
- •4.Ключевой режим работы транзисторов
- •4.1.Транзисторный ключ по схеме оэ
- •4.2.Статический режим работы транзисторного ключа
- •4.3.Переходные процессы в транзисторных ключах
- •4.4.Анализ переходных процессов в транзисторном ключе. Метод заряда
- •4.5.Анализ переходного процесса в транзисторном ключе
- •Контрольные вопросы и задания
- •Заключение
- •Литература
- •Усилительные устройства на транзисторах и интегральных микросхемах
- •1.Многокаскадные усилители
- •1.1.Общие вопросы проектирования многокаскадных усилителей
- •1.2.Частотная характеристика многокаскадного усилителя
- •1.3.Многокаскадные усилители в интегральном исполнении
- •2.Усилители мощности
- •2.1.Общие сведения об усилителях мощности
- •2.2.Однотактные выходные каскады на транзисторах
- •2.3.Двухтактные усилители мощности
- •2.4.Принцип работы бестрансформаторного усилителя мощности
- •2.5.Энергетические характеристики оконечного каскада
- •2.6.Режим ав для усилителя мощности
- •2.7.Составные транзисторы в усилителях мощности
- •3.Шумы в усилительных каскадах
- •3.1.Шумы резисторов
- •3.2.Шумы транзисторов
- •3.3.Коэффициент шума транзисторных усилителей
- •4.Дифференциальные усилители
- •4.1.Общие сведения о ду
- •4.2.Малосигнальные усилительные параметры ду
- •4.3.Ду в режиме большого сигнала
- •4.4.Ду с отрицательной обратной связью
- •4.5.Источники ошибок усиления постоянной составляющей сигнала
- •4.6.Генератор стабильного тока
- •5.Интегральные операционные усилители
- •5.1.Общие сведения
- •5.2.Основные параметры оу
- •5.3. Применение операционных усилителей
- •5.4.Схемы сложения - вычитания на оу.
- •5.5.Схемы на оу с конденсаторами в цепи обратной связи
- •5.6.Логарифмические преобразователи на оу
- •1. Усилители электрических сигналов 3
- •2. Усилительные каскады на транзисторах 16
- •3. Усилители на полевых транзисторах 37
- •4. Ключевой режим работы транзисторов 44
3.3.Коэффициент шума транзисторных усилителей
Шумовые свойства транзисторных усилителей принято оценивать величиной коэффициента шума. Под коэффициентом шума понимают отношение полной мощности шумов в нагрузке к той части полной мощности, которая обусловлена тепловыми шумами внутреннего сопротивления источника сигнала Pш гн:
где Pш тр — мощность шума в нагрузке, обусловленная собственными шумами транзистора.
В таком определении идеальный «нешумящий» усилительный каскад имеет коэффициент шума, равный единице.
Определим значение
коэффициента шума для схемы с ОЭ, для
чего введем в эквивалентную схему
усилительного каскада основные шумовые
генераторы тока и напряжения. В
эквивалентной схеме, представленной
на рис. 3.1, а, шумящее активное внутреннее
сопротивление источника сигнала заменено
в соответствии со следствиями из теоремы
Найквиста нешумящим сопротивлением Rг
и э.д.с. тепловых шумов
.
Рис. 3.1. Эквивалентная схема транзистора -—а; эквивалентные схемы для определения составляющих коллекторного тока — б, в
Аналогично
распределенное сопротивление области
базы заменено нешумящим сопротивлением
rб,
и э.д.с. равной
.
Генератор тока
,
подключенный параллельно дифференциальному
сопротивлению эмиттерного перехода
rэ, отражает шумы перераспределения
тока эмиттера.
Дробовые шумы и
избыточный шум в эквивалентной схеме
отражены соответственно генераторами
,
,
.
Будем считать для простоты сопротивление нагрузки Rн идеальным, т. е. не обладающим собственными шумами. Тогда, учитывая, что Pн=I2Rн, получим:
.
Здесь
— составляющая коллекторного тока,
пропорциональная э.д.с. Uтг,
a ij
— составляющие тока Iк,
пропорциональные э.д.с. Uтб
и токам других генераторов шумового
тока, показанных на рис. 3.1, а.
Определим составляющие тока Iк в нагрузке, для чего в силу линейности системы применим принцип суперпозиции. Найдем сначала составляющую теплового тока внутреннего сопротивления генератора, используя эквивалентную схему, изображенную на рис. 3.1, б. Согласно принципу суперпозиции при rк»rб и rк»rэ:
,
где
— составляющая тока эмиттера,
вызванная действием генератора Uтг,
— составляющая тока эмиттера, связанная
с источником Iэ,
— коэффициент токораспределения,
показывающий какая доля тока ответвляется
в цепь эмиттера.
Записанные выражения
для токов
и
позволяют определить ток Iэ,
а затем и ток αIэ.
Последний полностью протекает в цепи
нагрузки и, следовательно, является
искомой составляющей i1н.
Средний квадрат этого тока в нагрузке
равен:
.
Аналогично для теплового
тока базы в нагрузке, поскольку э.д.с.
включена последовательно с э.д.с.
,
получаем:
.
Составляющую коллекторного тока Iк, вызванную действием тока Iр, можно определить аналогично составляющей i1н, воспользовавшись эквивалентной схемой, изображенной на рис. 3.1, в.
Среднеквадратичное значение этого тока имеет вид:
.
Так как генератор тока подключен к зажимам эмиттер-коллектор, т.е. параллельно Rн, то:
.
Используя принцип суперпозиции (аналогично тому как при нахождении тока i1н), получим:
,
.
Подставим полученные выражения в уравнение для коэффициента шума.
После преобразований, с учетом того, что rэ«rб и β»1, получим:
Уравнение для F
позволяет определить частотную
характеристику коэффициента шума.
Подъем на нижних частотах объясняется
возрастанием избыточного шума с
понижением частоты (см. последний член
в уравнении для F).
Для большинства транзисторов на частотах
в несколько килогерц и выше этим шумом
по сравнению с другими можно пренебречь.
В области частот от единиц кГц до десятков
МГц коэффициент шума F
остается постоянным, что объясняется
преобладанием тепловых и дробовых
шумов, являющихся, как известно, белым
шумом. На более высоких частотах f≈fт
увеличение F
объясняется уменьшением
коэффициентом усиления по току |α|.
Продифференцировав выражение для коэффициента шума по Rг и приравняв производную к нулю, можно найти оптимальное значение Rг, при котором шумы минимальны.
.
Если выполняется условие А/2qf « (1-)Iэ, то
.
Зависимость коэффициента шума от величины Rг имеет неявный минимум, что видно из выражения для коэффициента шума.
