- •Глава 1. М е м б р а н н ы е э л е к т р от е х н ол о г и и
- •1.1.Основы теории электрокинетических и электрокапиллярных явлений в процессах электромембранных технологий
- •1.2. Общее описание электромембранных процессов
- •1.3. Классификация эмп
- •1.4. Требования к ионообменным мембранам
- •1.6. Электродиализ с биполярными мембранами
- •1.7. Мембранный электролиз
- •1.8. Электродеионизация
- •1.10. Электрогравитация (электроосаждение)
- •1. 12. Транспортное объединение
- •1. 9. Электросорбция
- •1.13. Электрофорез
- •Глава 2. Электротехнологии и электротехнологические установки с применением сильных электрических полей
- •2.1. Технологические процессы, основанные на силовом воздействии электрических полей на материалы
- •2.2. Методы зарядки частиц
- •2.2.1. Ионная зарядка
- •«Ударная» зарядка частиц в электрическом поле
- •«Диффузионная» зарядка частиц
- •2.2.2. Индукционная зарядка частиц
- •2.2.3. Статическая электризация
- •2.3. Движение частиц в электрическом поле
- •Движение частицы в однородном электрическом поле
- •2.4. Коллективные процессы в заряженном аэрозоле
- •2.5. Разделение неоднородных систем в электрофильтрах.
- •2 Коронирующие электроды
- •1 Осадительные электроды; 2 коронирующие электроды
- •2.6. Нанесение покрытий в электрическом поле
- •2.6.1. Электроокраска
- •2.6.2. Нанесение порошковых покрытий
- •2.7. Электросепарация
- •2.7.1. Классификация сепараторов
- •2.7.2. Сепарация по электропроводности
- •1 Дозатор, 2 металлический заземленный барабан (осадительный электрод),
- •3 Некоронирующий высоковольтный электрод, 4 приемник для непроводящих
- •1 Дозатор, 2 металлический заземленный барабан (осадительный электрод),
- •3 Коронирующий высоковольтный электрод, 4 приемник для непроводящих
- •1 Дозатор, 2 пластинчатый наклонный (осадительный) электрод,
- •3 Коронирующий электрод, 4 отклоняющий электрод,
- •5 Дополнительный отклоняющий электрод, 6 приемник.
- •2.7.3. Трибоэлектростатическая сепарация
- •1 Транспортер с проводящей заземленной лентой, 2 ванна с пористой
- •6 Приемный бункер для концентрата.
- •2.7.4. Пироэлектрическая сепарация
- •1 Дозатор, 2 металлический заземленный барабан (осадительный электрод),
- •3 Электронагреватели, 4 приемник для электризующихся частиц кристаллов I,
- •2.7.5. Диэлектрическая сепарация
- •1 Диэлектрические плоскости, 2 провода в пазах, 3 силовые линии,
- •Глава 3. Электротехнологии и электротехнологические установки с применением плазмохимических реакций
- •3.1. Генераторы озона и озонные технологии
- •3.1.1. Физико-химические и биологические свойства озона
- •3.1.2. Основные способы получения озона
- •1, 3 Электроды; 2 диэлектрический барьер; 4 зона разряда
- •1 Наружный электрод; 2 барьер из стеклоэмали; 3 внутренний электрод.
- •3.1.3 Технологическое применение озона
- •3.1.4. Математическое описание бактерицидного эффекта озона в процессе электроантисептирования
- •3.2. Электротехнологии конверсии газов в плазме газового разряда
- •3.3. Модификация поверхности материалов в плазме газового разряда
- •Глава 4. Импульсные электротехнологии
- •4.1. Электрогидравлическая технология
- •4.1.1.Технологические применения разряда в жидкости
- •4.2. Электроэрозионная обработка материалов
- •4.2.1. Электроэрозионные установки
- •6 Пузырьки пара или газа; 7 твердые частицы; 8 продукты пиролиза
- •1 Анод; 2 катод; 3 канал разряда; 4 рабочая среда; 5 газовый
- •4.2.2. Физические основы электроэрозионной обработки металлов
- •4.3. Магнитно-импульсная обработка материалов
- •4.3.1. Физическая сущность магнитно-импульсной обработки
- •4.3.2. Разновидности магнитно-импульсной обработки
- •4.3.3. Генераторы токов для магнитно-импульсной обработки
- •4.3.4. Технологические особенности
- •Глава 5. Аэрозольные электрогазодинамические
- •5.1.Общая характеристика
- •5.2. Конденсационные элетрогазодинамические генераторы
- •5.3. Элетрогазодинамические генераторы
- •2 Газовый поток; 3 коронирующий электрод зарядного устройства;
- •4 Заземленный электрод-сетка; 5 коллектор; Rн – нагрузка.
- •5.4. Элетрогазодинамические компрессоры
- •2 Стенка с иглами; 3 заземленный электрод-сетка; 4 ионы или заряженные
- •Глава 6. Технологические лазеры
- •6.1. Физическая модель лазерной обработки
- •6.1.1.Феноменологический (теплофизический) подход к лазерному
- •6.2. Основные параметры технологических лазеров
- •6.3. Характеристики «качества» излучения технологических лазеров
- •6.3.1.Когерентность лазерного излучения
- •6.3.2. Монохроматичность излучения
- •6.3.3. Поляризация излучения
- •6.4. Параметры технологических лазеров
- •6.5. Перспективы развития и основные области применения технологических лазеров
- •6.5.1. Перспективы развития технологических лазеров
- •6.5.2. Основные области применения технологических лазеров
- •6.6. Устройство и принцип действия газового (co2), твердотелого и полупроводникового лазеров (nd-yag)
- •6.6.1. Газовые лазеры
- •6.6.2.Твердотельные лазеры
- •6.6.3. Полупроводниковые лазеры
- •6.6.4. Волоконные лазеры
- •6.7. Принцип действия инжекционных лазеров
- •6.7.1. Усиление и генерация света в активных средах
- •6.7.2. Конструкция и работа инжекционных лазеров
- •6.7.3. Порог генерации и кпд инжекционных лазеров
- •Глава 1. М е м б р а н н ы е э л е к т р от е х н ол о г и и ..................6
- •Глава 2. Электротехнологии и электротехнологические
- •Глава 3. Электротехнологии
- •Глава 6. Технологические лазеры……………………………...184
3.3. Модификация поверхности материалов в плазме газового разряда
В широком смысле под модификацией поверхности материалов в плазме газового разряда понимается изменение свойств поверхности при участии низкотемпературной газоразрядной плазмы. Свойства поверхности обрабатываемого материала изменяются в результате физико-химических процессов, происходящих на границе раздела газ (газовая среда)твердое тело:
за счет разрыва старых и образования новых связей исходного материала,
за счет нанесения и привития к поверхности материалов других веществ.
При модификации поверхности материала протекают две конкурирующие реакции (процесса):
образование пленки вещества путем осаждения из газовой фазы,
травление, которое приводит к удалению веществ с поверхности материала.
На рис. 3.14 приведена схема модификации поверхности твердого тела в плазме газового разряда.
При наличии процессов модификации можно выделить три случая:
а) плазма является одновременно средой проведения, источником участвующих в процессе частиц и стимулятором (активатором) процесса;
б) плазма служит только для активации участвующих в процессе частиц;
в) плазма используется только для активации участвующих в процессе частиц поверхностей или для стимуляции самого процесса.
Рис.3.14. Схема модификации поверхности в плазме газового разряда
В первом случае обрабатываемая поверхность твердого тела находится в контакте с плазмой, во втором вне плазмы, в третьем возможны оба варианта.
Различные процессы обработки можно объединить в три большие группы:
1. Собственно сама модификация поверхностных слоев материалов (окисление, нитридизация, анодизация и др.).
2. Удаление материала с поверхности твердого тела (все виды распыления, травления и очистки).
3. Нанесение пленки материала на поверхность твердого тела.
Как пример, рассмотрим модификацию поверхности полимерных материалов, в которых она имеет наиболее широкую гамму технологических приложений.
Все изменения физических и химических свойств тонкого поверхностного слоя полимера начинаются с изменения его химического состава и структуры. Причем, любые химические превращения в этом слое под действием неравномерной плазмы могут инициироваться только генерируемыми ею активными частицами, к которым относятся кванты УФ-излучения, электронно- и колебательно-возбужденные молекулы, свободные атомы и радикалы, а также заряженные частицы, бомбардирующие поверхность обрабатываемого материала.
При всем многообразии генерируемых в плазме активных частиц их действие на материалы ограничивается очень небольшим поверхностным слоем. В случае полимерных материалов его толщина, как правило, меньше 1 мкм. Таким образом, все технологические эффекты плазменной обработки полимерных материалов определяются набором физико-химических процессов, инициируемых активными частицами плазмы в тонком поверхностном слое.
Травление это операция повсеместного или локального удаления поверхностных слоев материала с целью очистки его от загрязнений или придания рельефа его поверхности.
По физико-химическому механизму воздействия частиц низкотемпературной газоразрядной плазмы на поверхность процессы травления можно разделить на три группы:
1. Ионное травление, при котором поверхностные слои материалов удаляются только в результате физического распыления. Травление осуществляется энергетическими ионами газов (0,15,0 кэВ), химически не реагирующими с обрабатываемым материалом (обычно ионами инертных газов).
2. Плазмо-химическое травление, при котором поверхностные слои материалов удаляются в результате химических реакций. Химические реакции происходят между химически активными частицами и поверхностными атомами с образованием летучих продуктов.
3. Ионно-химическое травление, при котором поверхностные слои материалов удаляются в результате как физического распыления энергетическими ионами, так и химических реакций между химически активными частицами и атомами материалов.
Наиболее широкое применение процесс травления нашел при изготовлении изделий электроники, когда необходимо в тонких пленках или в поверхностном слое полупроводниковой подложки сформировать топологический рисунок элементов схемы, существенно уменьшить размеры элементов структур с одновременным увеличением точности, надежности и автоматизации их производства.
Плазмохимические методы осаждения таких пленок дают возможность наносить тугоплавкие и многокомпонентные сплавы, диэлектрики, полупроводники, т.е. практически все материалы, изменяя структурные, механические, электрические, ферромагнитные и другие свойства твердой поверхности.
При ионном напылении пленочное покрытие получается распылением в плазме инертных газов материала мишени при подаче на нее отрицательного потенциала и бомбардировке ионами плазмы.
При ионно-плазменном напылении происходит нанесение сложных по составу пленочных покрытий распылением мишени в плазме, содержащей химически активный газ. В этом случае пленки на подложке формируются в результате химического взаимодействия распыленного материала и активного газа (метана, кислорода, азота).
Физико-химические и технологические эффекты плазменной обработки
Таблица 3.2
Химические и физические изменения |
Технологические эффекты |
1. Химические изменения поверхностного слоя. 1А. Образование двойных связей и новых функциональных групп, например OH; CN; =NH; C=O; NH2; COOH; сшивка полимерных цепей. 1В. Процессы деструкции: разрывы цепей макромолекул; разрушение функциональных групп; образование газообразных продуктов травления. 1С. Другие изменения: изменение эффективной степени полимеризации и средней молекулярной массы; изменение степени окисления отдельных атомов в макромолекулах, например, атомов кислорода, изменение окислительно-восстановительных свойств поверхности. |
Изменение смачиваемости, капиллярности, общего влагопоглощения. Возрастание насыщенности окраски, уменьшение времени окраски, улучшение печатных свойств. Модификация антиресорбционных свойств, уменьшение загрязняемости. Улучшение адгезионных свойств для нанесения покрытий и изготовления композитных материалов. Изменение растворимости поверхностного слоя в органических и неорганических растворителях. |
2. Изменение структуры поверхностного слоя. Изменение степени кристалличности. Изменение температуры фазовых переходов. Фазовые переходы, инициируемые плазмой. Образование микродоменных структур. Увеличение эффективной площади поверхности. Изменение поверхностной пористости и проницаемости. Изменение коэффициентов диффузии газов и жидкостей в полимерах. |
Улучшение погодостойкости полимеров. Замедление миграции пластификатора к поверхности материала. Модифицирование свойств ион-обменных смол и ионселективных мембран. Дезинфекция поверхности полимера. Придание полимерам биосовместимости. |
3. Изменение физических свойств поверхностного слоя. Изменение поверхностной энергии. Изменение коэффициента поверхностного трения. Изменение механических свойств. Изменение спектров поглощения в ИК-, УФ- и видимой областях. Изменение поверхностной проводимости, диэлектрической постоянной и тангенса угла диэлектрических потерь. Накопление поверхностного заряда. |
Возрастание прочности, эластичности и сопротивления трению. Уменьшение усадки и свойлачиваемости шерсти. Придание несминаемости тканям. Изменение окраски и блеска поверхности полимера. Сглаживание поверхности и уменьшение поверхностного трения. Придание требуемых электрических свойств, включая антистатические. |
