- •Глава 1. М е м б р а н н ы е э л е к т р от е х н ол о г и и
- •1.1.Основы теории электрокинетических и электрокапиллярных явлений в процессах электромембранных технологий
- •1.2. Общее описание электромембранных процессов
- •1.3. Классификация эмп
- •1.4. Требования к ионообменным мембранам
- •1.6. Электродиализ с биполярными мембранами
- •1.7. Мембранный электролиз
- •1.8. Электродеионизация
- •1.10. Электрогравитация (электроосаждение)
- •1. 12. Транспортное объединение
- •1. 9. Электросорбция
- •1.13. Электрофорез
- •Глава 2. Электротехнологии и электротехнологические установки с применением сильных электрических полей
- •2.1. Технологические процессы, основанные на силовом воздействии электрических полей на материалы
- •2.2. Методы зарядки частиц
- •2.2.1. Ионная зарядка
- •«Ударная» зарядка частиц в электрическом поле
- •«Диффузионная» зарядка частиц
- •2.2.2. Индукционная зарядка частиц
- •2.2.3. Статическая электризация
- •2.3. Движение частиц в электрическом поле
- •Движение частицы в однородном электрическом поле
- •2.4. Коллективные процессы в заряженном аэрозоле
- •2.5. Разделение неоднородных систем в электрофильтрах.
- •2 Коронирующие электроды
- •1 Осадительные электроды; 2 коронирующие электроды
- •2.6. Нанесение покрытий в электрическом поле
- •2.6.1. Электроокраска
- •2.6.2. Нанесение порошковых покрытий
- •2.7. Электросепарация
- •2.7.1. Классификация сепараторов
- •2.7.2. Сепарация по электропроводности
- •1 Дозатор, 2 металлический заземленный барабан (осадительный электрод),
- •3 Некоронирующий высоковольтный электрод, 4 приемник для непроводящих
- •1 Дозатор, 2 металлический заземленный барабан (осадительный электрод),
- •3 Коронирующий высоковольтный электрод, 4 приемник для непроводящих
- •1 Дозатор, 2 пластинчатый наклонный (осадительный) электрод,
- •3 Коронирующий электрод, 4 отклоняющий электрод,
- •5 Дополнительный отклоняющий электрод, 6 приемник.
- •2.7.3. Трибоэлектростатическая сепарация
- •1 Транспортер с проводящей заземленной лентой, 2 ванна с пористой
- •6 Приемный бункер для концентрата.
- •2.7.4. Пироэлектрическая сепарация
- •1 Дозатор, 2 металлический заземленный барабан (осадительный электрод),
- •3 Электронагреватели, 4 приемник для электризующихся частиц кристаллов I,
- •2.7.5. Диэлектрическая сепарация
- •1 Диэлектрические плоскости, 2 провода в пазах, 3 силовые линии,
- •Глава 3. Электротехнологии и электротехнологические установки с применением плазмохимических реакций
- •3.1. Генераторы озона и озонные технологии
- •3.1.1. Физико-химические и биологические свойства озона
- •3.1.2. Основные способы получения озона
- •1, 3 Электроды; 2 диэлектрический барьер; 4 зона разряда
- •1 Наружный электрод; 2 барьер из стеклоэмали; 3 внутренний электрод.
- •3.1.3 Технологическое применение озона
- •3.1.4. Математическое описание бактерицидного эффекта озона в процессе электроантисептирования
- •3.2. Электротехнологии конверсии газов в плазме газового разряда
- •3.3. Модификация поверхности материалов в плазме газового разряда
- •Глава 4. Импульсные электротехнологии
- •4.1. Электрогидравлическая технология
- •4.1.1.Технологические применения разряда в жидкости
- •4.2. Электроэрозионная обработка материалов
- •4.2.1. Электроэрозионные установки
- •6 Пузырьки пара или газа; 7 твердые частицы; 8 продукты пиролиза
- •1 Анод; 2 катод; 3 канал разряда; 4 рабочая среда; 5 газовый
- •4.2.2. Физические основы электроэрозионной обработки металлов
- •4.3. Магнитно-импульсная обработка материалов
- •4.3.1. Физическая сущность магнитно-импульсной обработки
- •4.3.2. Разновидности магнитно-импульсной обработки
- •4.3.3. Генераторы токов для магнитно-импульсной обработки
- •4.3.4. Технологические особенности
- •Глава 5. Аэрозольные электрогазодинамические
- •5.1.Общая характеристика
- •5.2. Конденсационные элетрогазодинамические генераторы
- •5.3. Элетрогазодинамические генераторы
- •2 Газовый поток; 3 коронирующий электрод зарядного устройства;
- •4 Заземленный электрод-сетка; 5 коллектор; Rн – нагрузка.
- •5.4. Элетрогазодинамические компрессоры
- •2 Стенка с иглами; 3 заземленный электрод-сетка; 4 ионы или заряженные
- •Глава 6. Технологические лазеры
- •6.1. Физическая модель лазерной обработки
- •6.1.1.Феноменологический (теплофизический) подход к лазерному
- •6.2. Основные параметры технологических лазеров
- •6.3. Характеристики «качества» излучения технологических лазеров
- •6.3.1.Когерентность лазерного излучения
- •6.3.2. Монохроматичность излучения
- •6.3.3. Поляризация излучения
- •6.4. Параметры технологических лазеров
- •6.5. Перспективы развития и основные области применения технологических лазеров
- •6.5.1. Перспективы развития технологических лазеров
- •6.5.2. Основные области применения технологических лазеров
- •6.6. Устройство и принцип действия газового (co2), твердотелого и полупроводникового лазеров (nd-yag)
- •6.6.1. Газовые лазеры
- •6.6.2.Твердотельные лазеры
- •6.6.3. Полупроводниковые лазеры
- •6.6.4. Волоконные лазеры
- •6.7. Принцип действия инжекционных лазеров
- •6.7.1. Усиление и генерация света в активных средах
- •6.7.2. Конструкция и работа инжекционных лазеров
- •6.7.3. Порог генерации и кпд инжекционных лазеров
- •Глава 1. М е м б р а н н ы е э л е к т р от е х н ол о г и и ..................6
- •Глава 2. Электротехнологии и электротехнологические
- •Глава 3. Электротехнологии
- •Глава 6. Технологические лазеры……………………………...184
4.3.2. Разновидности магнитно-импульсной обработки
На рис. 4.9 приведены наиболее типичные схемы разрядных контуров установок для магнитно-импульсной обработки материалов.
Рис. 14.9. Разновидности магнитно-импульсной обработки
Наиболее простые из них первые две, в которых обрабатываемая заготовка 3 включается последовательно в цепь разряда, состоящую из заряженного конденсатора С и разрядника Р. В установке, схема которой показана на рис.13.9,а электродинамические силы создаются за счет взаимодействия тока в 3 с магнитным полем, созданным током в обратном проводе, проложенном в непосредственной близости от 3. Заготовка или отдельные ее участки движутся в направлении действия электродинамических сил, показанных стрелками. В зависимости от задачи обработки за 3 размещается матрица той или иной формы. Аналогично осуществляются и другие операции магнитно-импульсной обработки. В этом случае вместо 3 включается подвижная мембрана, передающая импульсное давление на предмет обработки или в упругую среду.
Операции обжима заготовок из проводящего материала (формообразование, сборка, прессование материалов внутри заготовки и т.д.) наиболее просто осуществляются на установках, схема которых соответствует показанной на рис.4.9,б. Обратный токопровод выполняется обычно в виде трубки и вместе с 3 образует коаксиальную малоиндуктивную систему. Основным недостатком этого способа обработки являются трудности получения требуемых больших разрядных токов, что связано со сложностями конструктивного выполнения источника тока, и обеспечения контакта токопроводящих проводников с заготовкой.
В установках с индукторами И (рис.4.9,в) в значительной степени облегчается решение этих проблем. Так, многовитковый индуктор И вместе с 3 образует понижающий трансформатор, и суммарный ток, протекающий по 3, может во много раз превышать ток первичной цепи.
С помощью индукторов И осуществляются операции обжима и раздачи (формообразование, сборка, вырубка отверстий, сварка и т.д.) в соответствии со схемами рис.4.9,в-е (последняя служит для обработки плоских заготовок). При обработке заготовок с малыми размерами используются концентраторы К магнитного потока (рис.4.9,д), представляющие собой массивные детали сложной формы из хорошо проводящего и механически прочного материала. Концентратор имеет не показанную на рис.4.9,д узкую аксиальную щель и представляет собой незамкнутый виток. Вместе с многовитковым намотанным на него индуктором концентратор образует понижающий трансформатор, а вместе с заготовкой трансформатор с коэффициентом трансформации, близким к единице. Металл стенок щели концентратора выполняет функции проводов, соединяющих оба трансформатора.
Электрические схемы замещения разрядных установок, используемые для расчетов переходных процессов, приведены на рис. 4.10.
Рис. 4.10. Схемы замещения разрядных цепей установок с пропусканием
тока через заготовку (а) с индуктором (б) и концентратором (в)
В них входят внутренние индуктивность и активное сопротивление установок Lу и Rу, индуктивности и активные сопротивления заготовок Lз и Rз. При использовании индукторов необходимо учитывать их индуктивности Lи и активные сопротивления Rи, а также взаимную индуктивность Mи,з (рис.4.10,б). Наиболее сложной является схема замещения разрядной цепи с концентратором (рис.4.10,в). В нее кроме упомянутых элементов входят взаимные индуктивности индуктор-концентратор Mи,к и концентратор-заготовка Мк,з, а также активное сопротивление концентратора Rк, индуктивности участков концентратора, граничащих с обмоткой Lи,к, с заготовкой Lк,з и в щели Lк.
Все эти схемы приводятся к одной, состоящей из последовательно соединенных конденсатора С, заряженного до напряжения U, суммарных индуктивности L и активного сопротивления R.
Разрядный ток в магнитно-импульсных установках имеет колебательный характер. Нелинейности элементов R и L обычно слабо сказываются на форме тока, поэтому он может быть найден из решения переходного процесса для линейной цепи:
,
(4.10)
где
.
Электродинамические силы в простейших случаях (например, для установок, показанных на рис.13.10,а,б и имеющих схему замещения, приведенную на рис.13.10,а) находятся по уравнению
(4.11)
Аналогично можно рассчитать электродинамические силы, действующие на заготовку, при использовании индукторов или концентраторов. Для этого необходимо определить ток в заготовке, что нетрудно сделать при заданном токе разряда i и известных параметрах схем рис. 4.10,б,в.
