- •Предмет фізики твердого тіла
- •2 Періодичні структури
- •2.1 Хімічний зв'язок та кристалічна структура
- •2.2 Кристалічна решітка
- •2.3 Симетрія кристалів
- •2.4. Просторові групи і кристалічні класи.
- •2.5 Позначення вузлів, площин і напрямків у кристалі.
- •2.6. Щільно упаковані структури
- •2.7 Вектор оберненої решітки
- •2.8 Визначення структури кристалів
- •3. Дефекти в кристалах і механічні властивості твердих тіл
- •3.1 Дефекти кристалів
- •3.2 Механічні властивості твердих тіл
- •3.3 Дифузія та іонна провідність у твердих тілах
- •4. Динаміка кристалічної решітки
- •4.1 Коливання кристалічної решітки
- •4.2 Поняття про фонони
- •4.3 Теплоємність кристалів
- •5 Зонна теорія кристалів твердих тіл
- •5.1 Електрон в періодичному полі кристала
- •5.2 Утворення енергетичних зон
- •5.3 Зонна структура металів, напівметалів і діелектриків
- •5.4 Електрон в кристалі як квазічастинка
- •6 Метали
- •6.1 Класична електронна теорія металів
- •6.2 Квантова статистика електронів в металі
- •7 Напівпровідники
- •7.1 Власні напівпровідники
- •7.2 Домішкові напівпровідники
- •7.3 Фотопровідність напівпровідників
- •7.4 Люмінесценція
- •Література
5 Зонна теорія кристалів твердих тіл
5.1 Електрон в періодичному полі кристала
Атоми
(іони) в ідеальному кристалі розташовані
таким чином, що утворюють регулярну
періодичну структуру. Тому необхідно
розглянути завдання про електрон в
потенційному полі
,
яке
має періодичність решітки Браве, що
лежить в основі такої структури.
Так як повна періодичність – це ідеалізація, то завдання розбивають на дві частини: 1) розгляд гіпотетичного ідеального кристала з абсолютно періодичним потенціалом, 2) вивчення впливу на властивості кристала всіляких відхилень від повної періодичності, які розглядаються як малі обурення.
Завдання про рух електронів в кристалі є багатоелектронне завдання.
Хвильова функція кристала:
,
(5.1)
де
– радіус-вектор
електрона;
–
радіус-вектор
іонів (атомів або ядер).
Стаціонарне рівняння Шредінгера має вигляд:
(5.2)
де
,
тобто
повний гамільтоніан твердих тіл містить
не тільки одноелектронні потенціали,
що описують взаємодію електронів з
атомними ядрами, а й парні потенціали,
що описують взаємодії між електронами,
а також між іонами.
Розглянемо складові, що входять в повний гамільтоніан:
,
.
(5.3)
Всі потенційні енергії є подвійними сумами в силу парних взаємодій. Хвильова функція кристала не може бути представлена у вигляді добутку функцій окремих частинок.
Першим спрощенням є адіабатичне наближення: будемо вважати, що іони нерухомі (так як маса іона багато більше маси електрона). Отже, маємо:
.
(5.4)
Хвильова функція лише параметрично залежить від положення іонів, тобто можна записатиПрослушать
:
.
(5.5)
У
цьому випадку
,
.
Гамільтоніан
кристала має вигляд:
.
(5.6)
Друге спрощення – одноелектронне наближення, яке виконується за методом Хартрі-Фока. Суть методу Хартрі-Фока: вважається, що кожен з електронів рухається незалежно від інших електронів в усередненому полі всіх іонів і інших електронів.
Позначимо
через
потенційну
енергію k-го електрона в усередненому
полі всіх іонів,
– потенційну
енергію k-го електрона в усередненому
полі інших електронів. Тоді
,
.
У цьому випадку гамільтоніан системи дорівнює:
,
(5.7)
отже,
,
(5.8)
де
.
Таким чином, хвильову функцію кристала можна записати у вигляді:
.
(5.9)
Підстановка такої функції призводить до поділу змінних і до запису рівняння Шредінгера для одного електрона:
,
(5.10)
де
.
Величина
носить
назву внутрішньокристалічного потенціалу.
Потенціал
будується
для кожного типу кристалічної решітки
і його побудова –
окреме завдання у фізиці твердого тіла.
Вид потенціалу
пов'язаний з симетрією кристала і він
має періодичність кристалічної решітки.
Нехай маємо лінійний одномірний кристал. Потенціал періодичний (див. рис. 5.1), причому
,
(5.11)
де – довільний вектор решітки.
Рисунок 5.1 – Вид всередині кристалічного потенціалу
Імовірність локалізації електрона в точках, віддалених на вектор решітки , однакова, тобто
,
(5.12)
тоді
функції
та
можуть
відрізнятися тільки фазовими множниками:
,
(5.13)
в
цій умові вектор
визначений
з точністю до довільного вектора
оберненої решітки. Нехай
,
тоді
.
У фізиці твердого тіла доводиться теорема Блоха, яка стверджує, що хвильові функції електронів в кристалі можуть бути представлені у вигляді плоских хвиль, амплітуда яких є періодичною функцією решітки:
,
(5.14)
де
.
У загальному випадку хвильові функції електронів уявимі в вигляді пакету функцій Блоха. Покажемо, що функції Блоха задовольняють умові (5.13):
,
т.е.
.
На
хвильові функції електронів в кристалі
накладаються граничні умови.
З-за меж кристала реально в кристалі
існують не бігучі, а стоячі хвилі, однак
у додатках зручно працювати з бігучими
хвилями, тому на кристал накладаються
граничні умови Борна-Кармана: електрон
описується бігучою хвилею в момент
часу, коли електрон виходить з-за кордону
кристала, на протилежній стороні
з'являється такий же електрон, а хвильові
функції на кордонах повинні збігатися,
тобто для лінійного кристала це означає
:
,
.
Але
,
тоді
,
і
приходимо до рівняння
,
(5.15)
де
-
ціле число.
Хвильовий вектор k приймає значення:
,
(5.16)
тобто
.
Якщо
,
то значення k
не
призводять до фізично різних результатів,
так як вектор
визначається
лише з точністю до довільного вектора
оберненої решітки. Таким чином, хвильовий
вектор
приймає
дискретних
значень. Отже, для електронів в кристалі
хвильовий вектор
володіє
дискретним спектром значень і може
розглядатися як квантове число, що
визначає стан електрона. Враховуючи,
що
,
в
багатьох випадках розподіл
k
можна
вважати практично безперервним.
