- •Предмет фізики твердого тіла
- •2 Періодичні структури
- •2.1 Хімічний зв'язок та кристалічна структура
- •2.2 Кристалічна решітка
- •2.3 Симетрія кристалів
- •2.4. Просторові групи і кристалічні класи.
- •2.5 Позначення вузлів, площин і напрямків у кристалі.
- •2.6. Щільно упаковані структури
- •2.7 Вектор оберненої решітки
- •2.8 Визначення структури кристалів
- •3. Дефекти в кристалах і механічні властивості твердих тіл
- •3.1 Дефекти кристалів
- •3.2 Механічні властивості твердих тіл
- •3.3 Дифузія та іонна провідність у твердих тілах
- •4. Динаміка кристалічної решітки
- •4.1 Коливання кристалічної решітки
- •4.2 Поняття про фонони
- •4.3 Теплоємність кристалів
- •5 Зонна теорія кристалів твердих тіл
- •5.1 Електрон в періодичному полі кристала
- •5.2 Утворення енергетичних зон
- •5.3 Зонна структура металів, напівметалів і діелектриків
- •5.4 Електрон в кристалі як квазічастинка
- •6 Метали
- •6.1 Класична електронна теорія металів
- •6.2 Квантова статистика електронів в металі
- •7 Напівпровідники
- •7.1 Власні напівпровідники
- •7.2 Домішкові напівпровідники
- •7.3 Фотопровідність напівпровідників
- •7.4 Люмінесценція
- •Література
6.2 Квантова статистика електронів в металі
Вперше квантову статистику до електронів в металі (тобто до електронного газу) застосував Зоммерфельд.
6.2.1 Статистика Фермі-Дірака
В основі квантової статистики лежать наступні основні положення: всі електрони системи однакові (тотожно нерозрізнимі); стан електрона визначається набором квантових чисел; в системі не може бути одночасно більше одного електрона в даному квантовому стані (принцип заборони Паулі).
Вільні електрони перебувають у різних станах і заповнюють дискретні енергетичні рівні дозволеної зони, починаючи з самого нижнього. Заповнення рівнів електронами задається статистикою Фермі-Дірака:
,
(6.19)
яка
визначає ймовірність заповнення
електроном енергетичного рівня з
енергією
в
умовах термодинамічної рівноваги
електронів в системі. Відзначимо, що
якщо
,
то
,
якщо
,
то
(при
цьому одиницею в статистиці Фермі-Дірака
можна знехтувати, і статистика Фермі-Дірака
переходить в статистику Максвелла-Больцмана).
Будь-яке відхилення від статистики
Максвелла-Больцмана називається
виродженням. Виродженню системи ферміонів
відповідає
,
при цьому якщо
,
то газ фермионів буде середньо выродженим,
а при
говорять про сильно вироджений газ
ферміонів.
6.2.2 Повністю вироджений електронний газ
Розглянемо повністю вироджений електронний газ. Повністю вироджений електронний газ – це газ при температурі абсолютного нуля (Т=0К):
а)
якщо
,
то
при
.
В цьому випадку
;
б)
якщо
,
то
.
В цьому випадку
.
Енергія
называється рівнем Фермі (див. рис. 6.1).
Рисунок 6.1 – Вид розподілу Фермі-Дірака при Т 0
Рівень
Фермі – це
такий енергетичний рівень, нижче якого
всі стани зайняті, а вище якого всі стани
вільні при температурі абсолютного
нуля. При
отримаємо
.
Визначимо енергію, що відповідає рівню Фермі. Для цього скористаємося умовою нормування:
,
(6.20)
де
– число електронів,
енергії яких знаходяться в інтервалі
від
до
,
(6.21)
де dΩ – число станів з енергіями від до знайдемо наступним чином:
.
(6.22)
Для
однієї
частки доступний фазовий об'єм
дорівнює:
,
(6.23)
Тоді
.
(6.24)
Отже, маємо
.
(6.25)
Для ферміонів необхідно врахувати можливість спінового виродження g, яке визначається формулою:
,
(6.26)
де
– спінове число.
Для
електронів
,
тоді
.
Таким чином, можна записати:
,
(6.27)
так
як в інтервалі від 0
до
.
Число
електронів з енергією в інтервалі від
до
можна
представити у вигляді:
,
(6.28)
тоді функція розподілу набуде вигляду:
.
(6.29)
Цю
функцію можна розглядати як щільність
дозволених станів в зоні. Якщо замість
взяти
ефективну масу електрона провідності
,
то
описує розподіл енергетичних рівнів в
нижній частині зони провідності. Взагалі
кажучи, якщо замість
взяти ефективну
масу дірки
,
то
описує
розподіл енергетичних рівнів у верхній
частині валентної зони.
Запишемо умову нормування:
.
(6.30)
При К маємо
,
(6.31)
,
(6.32)
звідки
,
(6.33)
.
(6.34)
Таким
чином, рівень Фермі пропорційний
концентрації
електронів
і обернено пропорційний масі електронів.
Знаючи рівень Фермі, можна визначити середню енергію повністю виродженого електронного газу:
.
(6.35)
Враховуючи вираз для N (6.32), можна записати:
,
т.е.
.
Можна визначити тиск повністю виродженого газу. З статистичної фізики відомо, що рівняння стану ідеального фермі-газу має вигляд:
.
(6.36)
При Т=0К маємо:
,
(6.37)
де
–
концентрація електронного газу.
6
n
1
ε0
ε
~kT
Рисунок 6.2 – Вид розподілу Фермі-Дірака при Т 0
Розподіл Фермі-Дірака із зростанням температури має вигляд, показаний на рисунку 6.2.
Зі зростанням температури на вільні енергетичні рівні переходять ті електрони, енергія яких близько рівня Фермі. Коли 0, то в тепловому русі будуть приймати участь всі електрони, фермі-газ перестане бути виродженим. Введемо температуру Фермі
,
(6.38)
яка показує, при якій температурі фермі-газ перестане бути виродженим:
.
(6.39)
Оцінимо температуру виродження:
,
m 10-30 кг, отже
T0
1018
104
(K)
.
Електронний газ в металах аж до температур плавлення є виродженим. Таким чином, при кімнатній температурі електронний газ в металах можна розглядати як сильно вироджений газ ферміонів.
Залежність хімічного потенціалу μ від температури можна отримати з наступного виразу:
.
(6.40)
Цей інтеграл у загальному випадку не береться. Наближений розрахунок для області температур, в якій електронний газ є ще дуже виродженим, призводить до наступної залежності:
.
(6.41)
Так
як аж до температури плавлення
,
то можна вважати
,
тобто рівень Фермі при будь-якій
температурі можна вважати збігаючимся
з
.
Побудуємо вираз для середньої енергії сильно виродженого електронного газу:
.
(6.42)
Наближені
обчислення середньої енергії виродженого
електронного газу дають наступні
коефіцієнти:
.
Таким чином, маємо:
,
(6.43)
т.е.
.
(6.44)
Теплоємність електронного газу визначається наступним співвідношенням:
,
(6.45)
отже
сv
T.
Якби електронний газ був би класичний,
то його теплоємність
.
Розглянемо наступне співвідношення:
,
(6.46)
.
Таким
чином, внаслідок того, що електронний
газ в металах є виродженим, термічному
збудженню навіть в області високих
температур піддається лише незначна
частка вільних електронів; інші електрони
теплоту не поглинають. Тому теплоємність
електронного газу незначна в порівнянні
з теплоємністю решітки, і теплоємність
металу в цілому практично дорівнює
фононній теплоємності решітки. В області
температур, близьких до абсолютного
нуля, фононів теплоємність
Т3
і
внесок електронного газу може мати
основне значення, так як
Т.
6.2.4 Теплопровідність металів
Теплопровідність металів, як правило, значно більше теплопровідності діелектриків. Це пояснюється тим, що в металах перенесення тепла здійснюється головним чином вільними електронами. Механізм електронної теплопровідності можна вважати аналогічним механізмом фононної теплоємності, якщо врахувати, що в теплообміні беруть участь не всі електрони провідності, а тільки частина їх з енергіями, близькими до енергії Фермі. Тоді коефіцієнт теплопровідності можна представити у вигляді:
,
(6.47)
де
–
теплоємність
одиниці об'єму електронного газу.
Так як в обміні енергією з кристалічною решіткою, а отже, в перенесенні тепла беруть участь тільки електрони з енергіями, що мало відрізняються від енергії Фермі, то можна записати:
,
(6.48)
де
–
швидкість електрона з енергією, близькою
до енергії Фермі. Тоді для коефіцієнта
теплопровідності маємо:
.
(6.49)
Порівняємо величини коефіцієнтів електронної та решіткової теплопровідності:
.
(6.50)
Для
чистих металів:
і
,
тому
Для
сплавів це відношення змінюється і
6.2.5 Електропровідність металів
Під впливом зовнішнього електричного поля електрони, що розташовані поблизу рівня Фермі, переходять на більш високі енергетичні рівні. Це означає, що у формуванні електропровідності беруть участь не всі вільні електрони, а лише ті з них, що розташовуються безпосередньо біля рівня Фермі.
У створенні електричного струму беруть участь всі електрони провідності. Вакантні стани при дії зовнішнього електричного поля створюються відразу для всіх електронів, так як кожен електрон, переходячи в вакантний стан, залишений іншим електроном, залишає після себе вакантний стан, який заміщується третім електроном, залишає після себе вакантний стан, і т.д.
Густина електронного струму визначається виразом:
,
(6.51)
де
– функція розподілу електронів у
присутності електричного поля.
В анізотропних кристалах, взагалі кажучи, вводять тензор електропровідності. У кубічних кристалах досить ввести одну скалярну величину – питому електропровідність . Розрахунок величини питомої електропровідності металу в квантовій теорії призводить до наступного виразу:
,
(6.52)
де – середня довжина вільного пробігу електронів, що володіють енергіями, близькими до енергії Фермі; – їх швидкість.
Таким
чином, час релаксації
визначається
енергією Фермі.
Довжина вільного
пробігу
визначається характером взаємодій
електронів з дефектами кристалічної
решітки, які поділяються на дві групи:
домішки і теплові коливання решітки
(фонони).
Так як концентрація фононів залежить від температури, то залежність рухливості електронів у металі і, отже, електропровідності від Т матиме складний характер. Для чистих металів залежність електропровідності (і питомого опору) від Т має вигляд, представлений на рисунку 6.3:
Т
Рисунок 6.3 – Вид залежності = f(T)
а) в області високих температур
;
(6.53)
б) в області низьких температур
,
(6.54)
де А,В, α і b – коефіцієнти пропорційності.
6.2.6 Закон Відемана-Франца
У квантовій теорії для закону Відеман-Франца виходить такий вираз:
.
(6.55)
Досвід
показує, що закон добре виконується при
температурах вище температури Дебая
.
